热载流子测试电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种热载流子测试电路，包括功率开关管以及n个反相器，所述功率开关管的漏极连接工作电压，所述功率开关管的栅极连接开关信号，每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管，PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极，所述NMOS晶体管的源极接地，PMOS晶体管的栅极连接NMOS晶体管的栅极，作为所述反相器的输入端，PMOS晶体管的漏极连接NMOS晶体管的漏极，作为所述反相器的输出端。该热载流子测试电路中，所述开关信号为低电平时，至少一所述反相器空接，至少另一所述反相器连接压力电压；所述开关信号为高电平时，测量所述一反相器与所述另一反相器之间的电压差异，从而可以通过所述反相器之间阈值电压的变化差异，测量器件热载流子的变化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
热载流子测试电路
本技术涉及集成电路可靠性测试领域，特别是涉及一种热载流子测试电路。
技术介绍
对超大规模集成电路制造产业而言，随着MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)装置尺寸的不断减小，半导体制作工艺已经进入深亚微米时代，且向超深亚微米发展，此时，半导体器件可靠性越来越直接影响着制作的IC芯片的性能和使用寿命。但是，由于MOS器件尺寸等比例缩小时，器件工作电压并没有相应等比例减少，所以，相应的器件内部的电场强度随器件尺寸的减小反而增强。因此，在小尺寸器件中，电路的横向尺寸越来越小，导致沟道长度减小，即使是较小的源漏电压也会在漏端附近形成很高的电场强度，由于该横向电场作用，在漏端的强场区，沟道电子获很大的漂移速度和能量，成为热载流子。在深亚微米工艺中，随着MOS器件尺寸的日益缩小，MOS器件的热载流子注入(HCI)效应越来越严重，其引起的器件性能的退化是影响MOS器件可靠性的重要因素之一。因此，HCI测试已成为MOS器件可靠性测试的主要测试项目之一。现有技术中，热载流子的计算方法是在直流信号下进行的，其具体过程可简要概述为:将待测器件的栅和漏端分别加载一个高于工作电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热载流子测试电路，其特征在于，包括功率开关管以及n个反相器，所述功率开关管的漏极连接工作电压，所述功率开关管的栅极连接开关信号，每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极，所述PMOS晶体管的栅极连接所述NMOS晶体管的栅极，所述PMOS晶体管的漏极连接所述NMOS晶体管的漏极，所述NMOS晶体管的源极接地，n为大于等于2的整数。

【技术特征摘要】
1.一种热载流子测试电路，其特征在于，包括功率开关管以及η个反相器，所述功率开关管的漏极连接工作电压，所述功率开关管的栅极连接开关信号，每一所述反相器包括一对PMOS晶体管和NMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源极连接所述功率开关管的源极，所述PMOS晶体管的栅极连接所述NMOS晶体管的栅极，所述PMOS晶体管的漏极连接所述NMOS晶体管的漏极，所述NMOS晶体管的源极接地，η为大于等于2的整数。2.如权利要求1所述的热载流子测试电路，其特征在于，所述开关信号为高电平或低电平；所述开关信号为低电平时，至少一所述反相器空接，至少另一所述反相器连接压力电压；所述开关信号为高电平时，测量所述一反相器与所述另一反相器之间的电压差异。3.如权利要求1所述的热载流子测试电路，其特征在于，在每一所述反相器中，输入端与输出端相连。4.如权利要求3所述的热载流子测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11