【技术实现步骤摘要】
一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚
本技术涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚。
技术介绍
现有物理气相沉积法生长碳化硅单晶常见为上开盖的石墨坩埚，即石墨坩埚为底部封底，顶端开口的石墨圆筒，将原料放置在石墨坩埚底部，将粘有籽晶的坩埚盖安装在坩埚开口端。晶体生长完成后，坩埚底端的碳化硅结晶与坩埚粘接在一起难以取下，影响坩埚再次使用。物理气相沉积法生长SiC晶体过程中，装有碳化硅原料的坩埚被加热后，碳化硅原料在高温下升华，并在坩埚内温度相对略低的位置沉积。坩埚顶端籽晶位置和坩埚底部温度均低于原料高温区，都会发生气体沉积而形成整块晶体。沉积在坩埚底部的结晶物会与坩埚壁发生粘接或相互挤压，在晶体生长结束后很难去除，使坩埚无法清理干净甚至需要对坩埚进行物理破坏才能使坩埚与底部沉积的晶体分离，影响再次使用，使用成本较高，清理过程较为耗时。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种成本低、效率高、节约时间的底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。本技术的有益效果是:本技术的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在晶体生长结束后，可以将坩埚底盖和坩埚壁很容易的分拆，不受底部沉积的晶体的影响，提高坩埚利用率，使清理坩埚工作得以简化。不但使用效率提高，而且节省了成本。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。进一步，所述隔离层为石墨纸。【附图说明】图1为本技术底部分离式碳化硅晶体生长用...
【技术保护点】
一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。
【技术特征摘要】
1.一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于:包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，...
【专利技术属性】
技术研发人员：高宇，邓树军，段聪，赵梅玉，陶莹，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13
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