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本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。本实用新型的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在晶体生长结束后，可以将坩埚底盖和坩埚壁很...
该专利属于河北同光晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北同光晶体有限公司授权不得商用。

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