【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶娃(polycrystallinesilicon)(简称多晶娃(polysilicon))作为原材料用于通过直拉(Czochralski) (CZ)或区域熔炼(FZ)法生产用于半导体的单晶硅，并且用于通过各种拉伸和铸造方法生产单晶硅或多晶硅，该单晶硅或多晶硅用于生产光伏太阳能电池。通常,通过西门子法(平炉法，Siemens process)生产多晶娃。在该方法中，在钟罩形反应器(“西门子反应器”)中，通过直接通电加热支持体(support body)，通常是硅的细丝棒，并且引入含氢气和一种或多种含硅组分的反应气体。通常，使用的含硅组分是三氯硅烷(SiHCl3, TCS)或三氯硅烷与二氯硅烷(SiH2Cl2, DCS)和/或与四氯硅烷(四氯化硅)(SiCl4, STC)的混合物。较不常见地，但在工业规模上也使用硅烷(SiH4)。将丝棒垂直地插入位于反应器底部的电极中，通过电极它们被连接至电源。高纯度多晶硅在加热的丝棒和水平桥上沉积，结果其直径随时间增加。 通常，通过设定棒温度和反应气体流量以及组成来控制沉积过程。通常，在面向反应器壁的棒表面上，使用辐射高温计测定棒...
【技术保护点】
一种多晶硅棒，包括具有0.01至20mm厚度的多晶硅的外层，其中，所述外层包括具有大于20μm的平均尺寸的微晶。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.21 DE 102011089449.71.一种多晶娃棒,包括具有0.01至20mm厚度的多晶娃的外层,其中，所述外层包括具有大于20 μ m的平均尺寸的微晶。2.根据权利要求1所述的多晶硅棒，其中，所述外层具有4-10μ m的表面粗糙度。3.根据权利要求1或权利要求2所述的多晶硅棒，所述多晶硅棒具有光泽表面。4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅棒，所述多晶硅棒在所述外层之下具有类似的结构，这种结构包括孔隙、间隙、裂口、裂缝和裂纹。5.通过粉碎根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅棒生产多晶硅块。6.通过根据权利要求5所述的方法生产的多晶硅块。7.—种通过将包括含硅组分以及氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，所述方法导致以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，与第一步骤相比，将第二步骤的所述沉积中所述棒的温度升高至少50°C，其中，所述第二步骤的所述沉积中所述反应气体中的所述含硅组分的浓度是5m0l%或更小并且所述含硅组分的进料是每Im2棒表面积为0.25mol或更少，使得生产的所述多晶棒包括具有0.01至20mm的厚度的外层，所述外层...
【专利技术属性】
技术研发人员：米哈伊尔·索芬，埃里克·多恩贝格尔，赖纳·佩什，
申请(专利权)人：瓦克化学股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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