本发明专利技术的一种有机发光二极管（OLED）显示装置包括衬底、形成在衬底上的薄膜晶体管、像素电极、像素限定层、发射层以及中间层，其中，像素电极形成在薄膜晶体管上并且电连接至薄膜晶体管，像素限定层形成在像素电极上并且限定出像素区，发射层形成在像素电极上并且接触像素区中的像素电极，以及中间层形成在像素限定层上并且接触发射层的一部分。
【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置及其制造方法和供体衬底
本专利技术概括地涉及有机发光二极管(OLED)显示装置、有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法以及用于制造有机发光二极管(OLED)显示装置的供体衬底，更具体地，涉及具有从供体衬底转移的有机发射层的有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。
技术介绍
用于平板显示器的有机发光元件包括阳极、阴极和设置在阳极与阴极之间的有机膜。有机膜包括发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)。根据形成有机膜(具体为发射层)的材料，有机发光元件被分为高分子有机发光兀件和低分子有机发光兀件。为了使有机发光元件实现全色彩，必须对有机膜进行构图。构图方法包括在低分子有机发光元件的情况下使用荫罩板(shadow mask)的方法。在有机发光元件的情况下使用通过喷墨印刷或激光束的激光热转印(LITI)方法。LITI方法的优势在于对有机膜进行精细构图，并且有利于干法工序，而喷墨印刷是湿法工序。根据LITI方法形成聚合物有机膜的图形的方法需要光源、受体衬底和供体膜。受体衬底是其上将形成有机膜的显示器衬底，供体膜包括基底膜、光热转换层和由有机膜制成的转移层。当光源输出的激光束被供体膜的光热转换层吸收然后转换为热能时，有机膜被构图在受体衬底上，形成转移层的有机膜通过热能转移到受体衬底上。然而，在转移过程中，被激光辐照待转移至衬底的一部分有机层可能没有转移，而留在转移层上。在在本
技术介绍
部分公开的以上信息仅仅是为了增强对本专利技术背景的理解，因此其可以包含不形成本国本领域技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供了有机发光二极管(OLED)显示装置和制造方法，该制造方法在通过热转移形成有机发射层的过程中，使得供体衬底的转移区的转移层沉积并同时在转移区附近与外围转移层完全分离。本专利技术的另一实施方式提供了一种供体衬底，其将转移区的转移层转移并同时在转移区附近与转移层完全分离。根据本专利技术的一个实施方式的有机发光二极管(OLED )显示装置包括衬底、形成在衬底上的薄膜晶体管、形成在薄膜晶体管上并且电连接至薄膜晶体管的像素电极、形成在像素电极上并且限定出像素区的像素限定层、形成在像素电极上并且接触像素区中的像素电极的发射层、以及形成在像素限定层上并且接触发射层的一部分的中间层。中间层可由粘合材料制成。中间层可由热硬化材料或光硬化材料制成。中间层可为可附接/可拆分材料。中间层可根据发射层的边缘形成。中间层可形成为环形形状。发射层可覆盖中间层和像素区的像素电极。发射层可覆盖中间层的一部分。中间层可覆盖像素限定层的一部分。根据本专利技术的一个实施方式的制造有机发光二极管(OLED )显示装置的方法包括:在衬底上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成电连接至薄膜晶体管的像素电极；在像素电极上形成限定出像素区的像素限定层；在像素限定层上形成中间层；以及形成接触像素区中的像素电极并覆盖像素电极和中间层的发射层。在形成发射层的步骤中，发射层可覆盖中间层的一部分。形成发射层的步骤可包括:在像素区上设置供体衬底，供体衬底的一个表面处形成有用于形成发射层的转移层；以及将转移层转移至像素区上。在形成中间层的步骤中可将粘合材料或可附接/可拆分材料相对于发射层的边缘放置在转移层的下方；以及当转移层被转移到像素区上时，将粘合材料或可附接/可拆分材料转移到像素限定层上。转移层可覆盖像素电极和中间层。中间层可覆盖像素限定层的一部分。根据本专利技术的一个实施方式的供体衬底，其用于将转移材料转移到由有机发光二极管(OLED)显示装置的像素限定层所限定的像素区，该供体衬底包括基底层、形成在基底层上的光热转换层、转移层以及粘合层，其中转移层形成在光热转换层上并且由有机发射材料制成，粘合层形成在转移层上并且包括开口，开口的形状与像素区对应。开口可等于或大于像素区的面积。粘合层可被形成为环形形状。粘合层可由粘合材料制成。粘合层可由热硬化材料或光硬化材料制成。粘合层可由可附接/可拆分材料形成。在根据本专利技术的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置中，被激光辐照的供体衬底的转移层完全与供体衬底分离，从而形成有机发射层。根据本专利技术的另一实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法可防止被激光辐照的转移区的转移层部分留在供体衬底的缺陷。在根据本专利技术的另一实施方式的供体衬底中，被激光辐照的转移区的转移层完全分离，从而可防止转移层部分残留的缺陷。【附图说明】通过参照详细的描述连同附图，本专利技术的以上及其它特征和优势将变得显而易见。在附图中:图1是根据本专利技术的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管(OLED)显示装置的俯视图；图2是沿图1的线I1-1I所取的截面图；图3至图5是相继示出根据本专利技术的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管(OLED)显示装置的制造方法的视图；图6是根据本专利技术的另一实施方式的供体衬底的截面图；以及图7是示出将转移层从图6的供体衬底转移的过程的视图。【具体实施方式】将在下文参照附图详细地描述专利技术的示例性实施方式，使得本专利
的技术人员能够理解本专利技术。本领域技术人员应该理解，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，而不偏离本专利技术的精神或范围。附图和说明被认为在本质上是示例性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的参考标号指示相同的元件。此外，由于为了更好地理解和易于描述，附图中所示的组成部件的尺寸和厚度被任意夸大，所以本专利技术不限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被夸大。在附图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。应该理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为“在”另一个元件“上”时，其可直接在另一元件上，或者在它们之间也可存在其它元件或中间元件。此外，除非明确地相反描述，用语“包括(compri se ) ”及其变体诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”将被理解意指包括所指元件,但不排除任何其他元件。而且，在说明书中，对目标部分的上部的描述指示目标部分的上部或下部，但是并不是指目标部分总是位于根据重力方向的上侧。图1是根据本专利技术的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管(OLED)显示装置的俯视图。图2是沿图1的线I1-1I所取的截面图。参见图1和图2，在根据本专利技术的原理的一个实施方式所构建的有机发光二极管(OLED)显示装置中，被激光辐照的供体衬底的转移层与供体衬底完全分离，从而形成有机发射层。根据本专利技术的原理的一个实施方式构建的有机发光二极管(OLED)显示装置包括衬底110、薄膜晶体管130、像素电极150、像素限定层170、发射层160以及中间层180。接下来，将参照图1根据沉积顺序描述根据本专利技术的一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置的结构。这里，有机发光二极管(OLED)显示装置的结构是驱动薄膜晶体管和由驱动薄膜晶体管发射光的发射层的结构。此时，衬底110由绝缘衬底形成，绝缘衬底由玻璃、石英、陶瓷、塑料等构成。然而，本专利技术不限于此，衬底110也可形成为由不锈钢等构成的金属衬底。在衬底110上形成缓冲层121。缓冲层121用本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置，包括：衬底；薄膜晶体管，形成在所述衬底上；像素电极，形成在所述薄膜晶体管上并与所述薄膜晶体管电连接；像素限定层，形成在所述像素电极上并限定出像素区；发射层，形成在所述像素电极上并在所述像素区中接触所述像素电极；以及中间层，形成在所述像素限定层上并接触所述发射层的一部分。
【技术特征摘要】
2013.02.27 KR 10-2013-00215271.一种有机发光二极管显示装置，包括: 衬底； 薄膜晶体管，形成在所述衬底上； 像素电极，形成在所述薄膜晶体管上并与所述薄膜晶体管电连接； 像素限定层，形成在所述像素电极上并限定出像素区； 发射层，形成在所述像素电极上并在所述像素区中接触所述像素电极；以及 中间层，形成在所述像素限定层上并接触所述发射层的一部分。2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层由粘合材料制成。3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层由热硬化材料或光硬化材料制成。4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层为可附接/可拆分材料。5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层沿所述发射层的边缘形成。6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层形成为环形形状。7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发射层覆盖中间层和所述像素区的像素电极。8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述发射层覆盖所述中间层的一部分。9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述中间层覆盖所述像素限定层的一部分。10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括: 在衬底上形成薄膜晶体管； 在所述薄膜晶体管上形成与所述薄膜晶体管电连接的像素电极； 在所述像素电极上形成限定出像素区的像素限定层； 在所述像素限定层上形成中间层；以及 形成在所述像素区中接触所述像...
【专利技术属性】
技术研发人员：金南珍，朴徹桓，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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