半导体装置、其制造方法以及电子设备制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
半导体装置、其制造方法以及电子设备本申请是申请日为2010年10月22日、专利技术名称为“半导体装置、其制造方法以及电子设备”的申请号为201010516265.9专利申请的分案申请。相关文件的交叉引用本申请要求2009年10月29日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2009-249327的优先权，将其全部内容通过弓I用并入此处。
本专利技术涉及诸如固体摄像装置的半导体装置、其制造方法以及包括该固体摄像装置的诸如相机的电子设备。
技术介绍
作为固体摄像装置，以诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)等MOS型图像传感器为代表的放大型固体摄像装置已被人们使用。此外，以电荷耦合器件(CCD)图像传感器为代表的电荷转移型固体摄像装置也被使用。这些固体摄像装置广泛地用于数字静物相机、数字视频相机等。近年来，作为安装于诸如相机移动电话和个人数字助手(PDA)等移动设备中的固体摄像装置，鉴于低电源电压、低功耗等因素，许多MOS图像传感器已为人们所用。MOS固体摄像装置包括周边电路区和像素阵列(像素区)，在所述像素阵列中，多个单位像素以二维阵列排列，每个单位像素具有用...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层；第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对；导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中，且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通；绝缘膜，其布置在所述凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。
【技术特征摘要】
2009.10.29 JP 2009-2493271.一种半导体装置，其包括: 第一半导体部，该第一半导体部在其一侧包括第一布线层； 第二半导体部，该第二半导体部在其一侧包括第二布线层，该第二布线层包括电极焊盘部，所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起，使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对； 导电材料，其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中，且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通；绝缘膜，其布置在所述凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层包括铜线且所述导电材料与所述铜线接触。3.如权利要求1所述的半导体装置，还包括位于所述第一半导体部的与所述第一布线层相反的一侧上的所述第一半导体部中的光电二极管。4.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管和所述导电材料之间的绝缘隔离物层。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述绝缘隔离物层围绕所述导电材料。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体部和所述第二半导体部通过等离子体结合而固定到一起。7.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部的区域上方的遮光膜，所述遮光膜不设置在所述光电二极管的上方。8.如权利要求3所述的半导体装置，还包括所述光电二极管上方的防反射膜。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述防反射膜包括氧化钽膜或氧化铪膜。10.如权利要求8所述的半导体装置，还包括所述第一半导体部和所述第二半导体部之间的应力降低膜。11.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二布线层包括与所述导电材料接触的铝线。12.如权利要求1所述的半导体装置，还包括: 具有布线的安装基板；以及 接合线，其设置在所述开口中，并连接于所述电极焊盘部， 其中，所述安装基板的所述布线电连接于所述电极焊盘部。13.—种制造半导体装置的方法，其包括以下步骤: 形成第一半导体部，该第一...
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