【技术实现步骤摘要】
半导体开关电路相关申请的交叉引用本申请基于2013年2月26日提交的在先日本专利申请2013-035600并要求其优先权，该申请的全部内容以引用的方式包含于此。
在此说明的实施方式在整体上涉及半导体开关电路。
技术介绍
在移动体通信终端等中，使用用于将天线切换为发送用或者接收用的高频开关。以往，作为该高频开关，使用串联连接绝缘栅极场效应晶体管(M0S晶体管)而成的半导体开关电路。串联连接的MOS晶体管使用阈值、栅极长度及栅极宽度等各条件相同的晶体管。在半导体开关电路是例如具有I个输出(输入)端子和多个输入(输出)端子的多端口的半导体开关电路的情况下，MOS晶体管以树构造多级连接。具有树构造的半导体开关电路对于减轻插入损失是有效的。然而，在具有树构造的半导体开关电路中，向第I级的截止状态的MOS晶体管施加的高频信号的电压振幅大于向第2级的截止状态的MOS晶体管施加的高频信号的电压振幅。因此，如果高频信号的电压振幅过大，则MOS晶体管无法维持截止状态，存在高频信号发生失真、开关的失真特性恶化的问题。
技术实现思路
本专利技术想要解决的课题在于，提供一种高频失真...
【技术保护点】
一种半导体开关电路，其特征在于，具有：第1半导体开关部，一端与共通端子分别连接，具有第1阈值；以及第2半导体开关部，一端与所述第1半导体开关部的另一端分别连接，具有小于所述第1阈值的第2阈值。
【技术特征摘要】
2013.02.26 JP 2013-0356001.一种半导体开关电路，其特征在于，具有: 第1半导体开关部，一端与共通端子分别连接，具有第I阈值；以及第2半导体开关部，一端与所述第1半导体开关部的另一端分别连接，具有小于所述第1阈值的第2阈值。2.如权利要求1记载的半导体开关电路，其特征在于， 所述第1半导体开关部及所述第2半导体开关部具有串联连接的多个绝缘栅极场效应晶体管。3.如权利要求2记载的半导体开关电路，其特征在于，具备: 第I电阻，与所述绝缘栅极场效应晶体管的栅极电极连接；以及 第2电阻，与所述绝缘栅极场效应晶体管的漏极电极和源极电极连接。4.如权利要求1记载的半导体开关电路，其特征在于， 还具备偏置电路，该偏置电路构成为对所述第I半导体开关部之中的处于截止状态的所述第I半导体开关部、以及所述第2半导体开关部之中的处于截止状态的所述第2半导体开关部施加相同的控制电压。5.如权利要求4记载的半导体开关电路，其特征在于， 所述偏置电路具备: 解码电路，对表示所述第I半导体开关部及所述第2半导体开关部的状态的信号进行解码，输出与所述第I半导体开关部及所述第2半导体开关部的状态相应的高电平或低电平的号； 电压产生电路，生成所述控制电压；以及 电压输出电路，将所述高电平的信号或所述低电平的信号电平移位为所述控制电压，并向所述第1半导体开关部及所述第2半导体开关部输出。6.如权利要求5记载的半导体开关电路，其特征在于， 所述电压产生电路具备电荷泵电路和时钟信号产生电路。7.如权利要求1记载的半导体开关电路，其特征在于， 还具备偏置电路，该偏置电路构成为向所述第1半导体开关部之中的处于截止状态的所述第1半导体开关部施加第1控制电压，并向所述第2半导体开关部之中的处于截止状态的所述第2半导体开关部施加高于所述第I控制电压的第2控制电压。8.如权利要求7记载的半导体开关电路，其特征在于， 所述偏置电路具备: 解码电路，对表示所述第1半导体开关部及所述第2半导体开关部的状态的信号进行解码，输出与所述第1半导体开关部及所述第2半导体开关部的状态相应的高电平或低电平的号； 第1电压产生电路，生成所述第I控制电压； 第2电压产生电路，生成所述第2控制电压；以及 电压输出电路，将所述高电平的信号或所述低电...
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