当前位置: 首页 > 专利查询>上海大学专利>正文

一种高比电容的还原氧化石墨烯的制备方法技术

技术编号:10361041 阅读:131 留言:0更新日期:2014-08-27 17:09
本发明专利技术涉及一种高比电容的还原氧化石墨烯的制备方法,通过对Hummers法制备的氧化石墨烯(GO)进行还原,制备高比电容的rGO。制备过程中:利用聚电解质阻止石墨烯片层堆积以提高其比表面积利用率;随后控制还原电位以保留GO的部分含氧官能团,从而产生一定的赝电容。制备的rGO在扫描速度为5mV/s时,比电容值高达387F/g,远高于已公开的rGO材料。而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的94%。而且合成方法简单,对环境污染小,对设备要求低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高比电容的还原氧化石墨烯(rGO)的制备方法,属于纳米材料的制备及应用

技术介绍
超级电容器是一种介于传统电容器和化学电池之间的新型储能装置,具有充电时间短、能量密度高、使用寿命长、温度特性好、节约能源和绿色环保等特点。碳材料由于低成本、易利用、无毒、环境友好等特点在超级电容器的电极材料中得到广泛应用。超级电容器中常用的碳材料包括活性炭粉末、碳纳米管、碳气凝胶、介孔碳和碳纳米纤维等,他们的比电容值约为100F/g左右。石墨烯是一种新型的碳材料,具有大的比表面和优良的导电性,是一种理想的电容材料,其理论比电容值达到550F/g。但已报道的石墨烯,由于石墨烯片层的堆积,实际比表面利用率较低,因此比电容远小于理论值。本专利技术通过对Hummers法制备的氧化石墨烯(G0)进行还原,制备高比电容的rGO。制备过程中:利用聚电解质阻止石墨烯片层堆积以提高其比表面积利用率;随后控制还原电位以保留GO的部分含氧官能团,从而产生一定的赝电容。制备的rGO在扫描速度为5mV/s时,比电容值高达387F/g,远高于已报道的rGO材料。而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的94%。而且合成方法简单,对环境污染小,对设备要求低。
技术实现思路
本专利技术的目的 是制备高比电容的rGO。该方法具有操作简单,对环境污染小,制备周期短,能耗低的优点。制备的rGO制备的rGO比电容值高达387F/g,远高于已报道的rGO材料,而且在经受1500次的充放电后依然保持了很好的电容性能。为达到上述目的,本专利技术所述的制备rGO的方法是: 第一步:通过Hummers法制备得到G0。第二步:在lmg/mL的GO的N,N- 二甲基甲酰胺(DMF)分散液中加入一定体积的0.01g/mL的PSS水溶液,加热到70~120°C,恒温反应数小时后,离心洗涤三次,将所得产品分散在水中,记为PSS-G0。第三步:将一定量的PSS-GO溶液滴于玻碳电极表面,在空气中干燥后以此电极为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中,在-1.2V (vs.SCE)时利用恒电势法还原PSS-G0,得到了高比电容的rGO。第四步:采用三电极体系,SCE为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中对得到的rGO的电容性能进行表征。发现当扫描速度为5mV/s时,比电容值高达387F/g,远高于已报道的rGO材料。而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的 94%。本专利技术上述的高比电容的rGO制备方法,与现有技术相比,能够既环保又快捷的制备出比电容高,电容稳定性能好的rGO超级电容器电极材料,且反应条件温和,操作简单。并且本专利技术无需加入常用的有毒强还原剂成功解决了现有制备rGO技术的环境污染问题。【附图说明】图1是实施例1中制备的PSS-GO的透射电镜照片,图2是实施例1中制备的PSS-GO经过-1.2 V下还原200s得到的不同扫速的rGO的循环伏安曲线,图3是实施例1中制备的rGO在经过1500次的充放电后的充放电曲线,图4是实施例1中制备的rGO充放电过程中的电容变化。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术进行详细说明:。实施例一:具体步骤如下: 第一步:通过Hummers法制备得到G0。第二步:在lmg/mL的GO的N, N- 二甲基甲酰胺(DMF)分散液中加入5mL的0.01g/HiL的PSS水溶液,加热到85°C,恒温反应8小时后,离心洗涤三次,将所得产品分散在水中,记为 PSS-GO。第三步:将一定量的PSS-GO溶液滴于玻碳电极表面,在空气中干燥后以此电极为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中,在-1.2 V (vs.SCE)时利用恒电势法还原PSS-GOj^l 5 min,得到了高比电容的rGO。第四步:采用三电极体系,SCE为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中对得到的rGO的电容性能进行表征。发现当扫描速度为5mV/s时,比电容值高达387F/go而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的94%。实施例二:具体步骤如下: 第一步:通过Hummers法制备得到G0。第二步:在lmg/mL的GO的N,N- 二甲基甲酰胺(DMF)分散液中加入5mL 0.01g/mL的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)水溶液,加热到85°C,恒温反应8小时后,离心洗涤三次,将所得产品分散在水中,记为PVP-G0。第三步:将一定量的PVP-GO溶液滴于玻碳电极表面,在空气中干燥后以此电极为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中,在-1.2 V (vs.SCE)时利用恒电势法还原PVP-G0,经过5min,得到了高比电容的rGO。 第四步:采用三电极体系,SCE为参比电极,钼丝为对电极,电解液为IM的KCl溶液中对得到的rGO的电容性能进行表征。发现当扫描速度为5mV/s时,比电容值高达365F/go而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的92%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高比电容的还原氧化石墨烯(rGO)的制备方法,其特征是该方法具有以下工艺步骤:第一步:通过Hummers法制备得到GO;第二步:在1mg/mL的GO的N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)分散液中加入5mL的0.01g/mL的PSS水溶液或者5mL的0.01g/mL的PVP水溶液,加热到70~120℃,恒温反应8小时后,离心洗涤三次,将所得产品分散在水中,记为PSS‑GO;第三步:将适量的PSS‑GO溶液滴于玻碳电极表面,在空气中干燥后以此电极为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂丝为对电极,电解液为1M的KCl溶液中,在‑1.2V(vs. SCE)时利用恒电势法还原PSS‑GO,经过5分钟,得到了高比电容的rGO;第四步:采用三电极体系,SCE为参比电极,铂丝为对电极,电解液为1M的KCl溶液中对得到的rGO的电容性能进行表征;当扫描速度为5mV/s时,比电容值高达387F/g;而且在经受1500次的充放电后,比电容值仍为初始比电容值的94%。

【技术特征摘要】
1.一种高比电容的还原氧化石墨烯(rGO)的制备方法,其特征是该方法具有以下工艺步骤: 第一步:通过Hummers法制备得到GO ; 第二步:在lmg/mL的GO的N,N- 二甲基甲酰胺(DMF)分散液中加入5mL的0.01g/mL的PSS水溶液或者5mL的0.01g/mL的PVP水溶液,加热到70~120°C,恒温反应8小时后,离心洗涤三次,将所得产品分散在水中,记为PSS-GO ; 第三步:将适量的PSS-GO溶液滴于玻碳电极表面,...

【专利技术属性】
技术研发人员:施利毅颜蔚禹文娟刘梦艳邓维付继芳
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1