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本发明涉及一种高比电容的还原氧化石墨烯的制备方法，通过对Hummers法制备的氧化石墨烯（GO）进行还原，制备高比电容的rGO。制备过程中：利用聚电解质阻止石墨烯片层堆积以提高其比表面积利用率；随后控制还原电位以保留GO的部分含氧官能团，从...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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