覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种覆晶式发光二极管以及其覆晶式封装结构，该发光二极管由内向外包含：一蓝宝石基板、一N型欧姆接触层、一发光层、P型欧姆接触层、一透明导电金属氧化物层、至少二不同极的外露电极部及至少一覆盖在最外层的多层式反光层，该多层式反光层包含非导电性反光层或其与导电性反光层的组合，其是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以形成在该发光二极管元件除该外露电极部以外的外表面上，以避免背景技术须利用须多个不同光罩及多次PVD制作方式且容易产生材料高温劣化而造成光衰及电性等问题，达成制程简化及成本效益。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种覆晶式发光二极管，其特征在于，包含：一蓝宝石基板；一N型欧姆接触层，其形成且设置在该元件基板上；一P型欧姆接触层，其形成且设置在该N型欧姆接触层上，其中该P型欧姆接触层与该N型欧姆接触层的交界面形成一发光层；一透明导电金属氧化物层，其形成且设置在该P型欧姆接触层上；二不同极的外露电极部，包含一负极电极部及一正极电极部；及一覆盖在最外层的多层式反光层；该多层式反光层是利用PVD的真空镀膜工法并以同一光罩且一次制作方式以在该发光二极管除该外露电极部以外的外表面上依序形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：宋大仑，璩泽中，赖东昇，
申请(专利权)人：茂邦电子有限公司，
类型：新型
国别省市：萨摩亚;WS