制造高清晰度加热器系统的方法技术方案

本发明专利技术提供了一种制造加热器的方法，它通常包括形成具有介电层、第一双面粘合介电层以及导电层的层压件。接着，将电路图案创建到导电层中，然后将电路图案覆盖有第二双面粘合介电层。将第二双面粘合介电层覆盖有牺牲层，然后形成了加热器，所述加热器包括介电层、第一双面粘合介电层、导电层和第二双面粘合介电层。随后，移除牺牲层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】 相关申请的交叉引用本申请要求2011年8月30日和2012年4月19日提交的临时申请系列号61/528，939和61/635，310的优先权，这些专利的内容全文引入本文以供参考。本申请还涉及与本申请同时提交并共同转让的名称为“控制热阵列的系统和方法(System and Methodfor Controlling a Thermal Array) ”的共同待决申请以及名称为“热阵列系统(ThermalArray System) ”的申请,这些专利的内容全文引入本文以供参考。
本专利技术涉及加热器系统，特别是一种能够在操作期间将精确的温度曲线输送到加热目标，以便补偿热损失和/或其他变化的加热器系统，例如，在半导体处理中使用卡盘或承受器的这些应用。
技术介绍
本部分中的陈述仅提供与本专利技术相关的背景信息，可能不构成现有技术。在半导体处理的技术中，例如，在处理过程中，卡盘或承受器用于保持衬底(或晶片)并向衬底提供均匀的温度曲线。参照图1，示出了静电卡盘的支承组件10，该支承组件10包括具有嵌入式电极14的静电卡盘12，以及通过粘合层18连接到静电卡盘12的加热器板16，所述粘合层通常是有机硅粘合剂。加热器20固定在加热器板16上，举例来说，力口热器板可以是蚀刻箔加热器。加热器组件再次通过通常是有机硅粘合剂的粘合层24连接到冷却板22。衬底26设置在静电卡盘12上，电极14连接至电压源(未示出)，使得产生静电力，这使衬底26保持在适当位置。在包围支承组件10的等离子体反应室内，射频(RF)或微波电源(未示出)可以连接到静电卡盘12。因此，在各个室内等离子半导体处理步骤中，加热器20提供必需的热量以在衬底26上保持温度，所述步骤包括等离子体增强薄膜沉积或蚀刻。在衬底26处理的所有阶段期间，重要的是对静电卡盘12的温度曲线进行严格控制，以减少正在刻蚀的衬底26内的处理变化，同时减少了总处理时间。在半导体处理领域以及其它应用中，用于改善在衬底上的温度均匀性的改进的装置和方法是始终需要的。
技术实现思路
在本专利技术的一种形式中，提供了一种制造加热器的方法，所述方法包括形成一种层压件，其具有介电层、第一双面粘合介电层，以及导电层，将电路图案创建到导电层上，将第二双面粘合介电层覆盖到电路图案上，使用牺牲层覆盖第二双面粘合介电层，形成加热器，所述加热器包括介电层、第一双面粘合介电层、导电层和第二双面粘合介电层，并且随后移除牺牲层。在另一种制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的第一牺牲层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电层上，将第二双面粘合介电层覆盖到电路图案上，使用第二牺牲层覆盖双面粘合介电层上，形成加热器，所述加热器包括第一双面粘合介电层、导电层和第二双面粘合介电层，并随后移除至少一个牺牲层。在又一个制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的第一牺牲层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电材料上，将第二双面粘合介电材料覆盖在蚀刻的电路图案上，使用介电层覆盖双面粘合介电层，形成加热器，所述加热器包括牺牲层、第一双面粘合介电层、导电层、第二双面粘合介电层和介电层，并随后移除牺牲层。在另一个制造加热器的方法中，该方法包括形成一种层压件，其具有第一双面粘合介电层、在双面粘合介电层的一侧上的载体层，以及在双面粘合介电层的相对侧上的导电层，将电路图案创建到导电层中，并将所述层压件连接到相邻的部件上。进一步的应用领域将从这里提供的描述中变得明显。应当理解，描述和具体示例仅用来示例性说明，而不是用来限制本专利技术的范围。【附图说明】为了使本专利技术可以很容易理解，现以示例的方式给出并参考附图描述的各种形式，其中:图1是现有技术的静电卡盘的放大侧视图；图2是具有调谐层并根据本专利技术的一种形式的原理构造的加热器的局部侧视图；图3是具有调谐层或调谐加热器并根据本专利技术的原理构造的图1所示的加热器的另一种形式的分解侧视图；图4是图3所示的加热器的透视分解图，示出了根据本专利技术的原理的基底加热器的示例性四个(4)区域和调谐加热器的十八个(18)区域；图5是示出了具有补充调谐层并根据本专利技术的原理构造的高清晰度加热器系统的另一种形式的侧视图；图6是根据本专利技术的另一形式的彼此偏离的交替调谐层的分解透视图；图7是根据本专利技术的一种形式嵌入到加热器卡盘组件的层中的控制装置的透视图；图8是示出根据现有技术方法制造的加热器的截面图；图9是示出根据本专利技术的一种形式的制造加热器的方法的截面视图；图10是示出根据本专利技术的另一形式的另一种制造加热器的方法的截面图；图11是示出根据本专利技术的另一种形式的又一种制造方法的加热器的截面图；图12是示出根据本专利技术的另一形式的另一种制造加热器的方法的截面图；图13是示出根据本专利技术的另一形式构造的多个支承元件的透视图；图14是示出根据本专利技术教导的支承元件的截面图；图15是根据本专利技术教导的支承元件的放大的平面图；和图16是示出根据本专利技术的教导构造的散热器的透视图。此处描述的附图仅是为了说明的目的，而不是要以任何方式限制本专利技术的范围。【具体实施方式】以下说明本质上仅仅是示例性的，而不是用来限制本专利技术、应用或用途。例如，本专利技术的以下形式涉及在半导体加工中使用的卡盘，并且在某些情况下，涉及静电卡盘。然而，应当理解，此处提供的加热器和系统可以在多种应用中实施，并不限于半导体的加工应用。参考图2，本专利技术的一种形式是加热器50，其包括具有至少一个加热器电路54嵌入其中的基底加热器层52。基底加热器层52具有至少一个穿借此形成的孔56 (或导通孔)用于将加热器电路54连接到电源(未示出)。该基底加热器层52提供主加热，同时所示靠近加热层52设置的调谐加热层60提供对加热器50供给的热分布的微调。该调谐层60包括嵌入其中独立控制的多个个体加热元件62。至少一个孔64形成为穿过调谐层60，用于将多个个体加热元件62连接到电源和控制器(未示出)。还如图所示，将路由层66布置在基底加热器52和调谐层60之间，并限定了内腔68。第一组电引线70将加热器电路54连接到电源，延伸穿过加热层孔56。第二组电引线72将多个加热元件62连接到电源，并且延伸穿过路由层66的内腔68，除了基底加热器层52中的孔55。应当理解，路由层66是可选的，并且可以采用没有路由层66的加热器50，而代之以仅具有基底加热器层52和调谐加热层60。在另一种形式中，调谐层60不提供热分布的微调，而是可替换地用于测量卡盘12中的温度。这种形式提供了温度依赖性电阻电路的多个特定区域位置或离散位置。这些温度传感器中的每个可以通过多路切换装置分别读取，将在以下以示例性形式更详细阐明，这样基本上使得要使用的多个传感器相对于测量各个传感器所需的信号线数量。该温度传感反馈可以为控制决策提供必需的信息，例如用于控制背面冷却气压的特定区域来调节从衬底26到卡盘12的热通量。这种相同的反馈也可以用来替换或增加安装在基底加热器50附近的温度传感器，用于经由辅助冷却液热交换器对基底加热区域54或平衡板冷却液温度(未示出)进行温度控制。在一种形式中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造加热器的方法，包括：形成具有介电层、第一双面粘合介电层以及导电层的层压件；将电路图案创建到所述导电层中；将第二双面粘合介电层覆盖在所述电路图案上；将牺牲层覆盖在所述第二双面粘合介电层上；形成所述加热器，其包括所述介电层、所述第一双面粘合介电层、所述导电层和所述第二双面粘合介电层；和随后，移除所述牺牲层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.30 US 61/528,939;2012.04.19 US 61/635,3101.一种制造加热器的方法，包括: 形成具有介电层、第一双面粘合介电层以及导电层的层压件； 将电路图案创建到所述导电层中； 将第二双面粘合介电层覆盖在所述电路图案上； 将牺牲层覆盖在所述第二双面粘合介电层上； 形成所述加热器，其包括所述介电层、所述第一双面粘合介电层、所述导电层和所述第二双面粘合介电层；和 随后，移除所述牺牲层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层是铜材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层由镍合金材料形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述双面粘合介电层由聚酰亚胺材料形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层和所述介电层中的每一个将厚度限定为约 0.02Smm-Q.050mm。6.根据权利要 求1所述的方法，其中，所述电路图案通过蚀刻工艺创建。7.—种制造加热器的方法，所述方法包括: 形成层压件，其具有第一双面粘合介电层、在所述双面粘合介电层的一侧上的第一牺牲层，以及在所述双面粘合介电层的相对侧上的导电层； 将电路图案创建到所述导电层中； 将第二双面粘合介电层覆盖在所述电路图案上； 将第二牺牲层覆盖在所述双面粘合介电层上； 形成所述加热器，其包括所述第一双面粘合介电层、所述导电层和所述第二双面粘合介电层；和 随后，移除至少一个所述牺牲层。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述牺牲层是铜材料。9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述双面粘合介电层由聚酰亚胺材料形成。10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电层由镍合金材料形成。11.根据权利要求14所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·帕塔斯恩斯基，艾伦·诺曼·博尔特，珍妮特·利·史密斯，卡尔·托马斯·斯汪森，穆罕默德·诺斯拉蒂，凯文·罗伯特·史密斯，
申请(专利权)人：沃特洛电气制造公司，
类型：发明
国别省市：美国;US