【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及机加工等离子体加工装置的部件，并且更具体地讲，涉及对用于等离子体加工装置的、由非金属的硬而脆材料形成的部件进行单点车削。
技术介绍
在半导体材料加工领域中，例如，包括真空加工室的半导体材料加工装置用于实现多种加工，诸如在衬底上蚀刻和沉积各种材料以及脱胶。随着半导体技术的演化，减小晶体管的大小要求晶片加工和工艺设备具有越来越高的精确度、可重复性和洁净度。存在用于半导体加工的多种设备，包括涉及使用等离子体的应用，诸如等离子体蚀刻、反应离子蚀亥IJ、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和脱胶。这些工艺所需的设备类型包括设置在等离子体室内且必须在这种环境下工作的部件。等离子体室内部的环境可以包括暴露于等离子体、暴露于蚀刻剂气体、暴露于紫外线和热循环。用于这种部件的材料必须适于承受等离子体室内的环境条件，并且如此实现许多晶片的加工，每个晶片的加工过程可能包括多个工艺步骤。为了具有成本效益，这种部件通常必须承受成百上千次晶片周期，同时保持它们的功能和洁净度。对于产生颗粒的部件的容忍度一般极低，即使这些颗粒很少且不大于几十个纳米也不行。被选择在等离子体...
【技术保护点】
一种等离子体加工装置的部件的延性模式机加工方法，其中所述部件是由非金属的硬而脆材料制成的，所述方法包括：使用金刚石切削刀具单点车削所述部件，使得所述非金属的硬而脆材料的一部分在切屑形成期间经历高压相变以形成所述硬而脆材料的延性相部分，其中车削表面是由相变材料形成的并且所述车削表面是所述相变材料的槽纹表面。
【技术特征摘要】
2013.02.20 US 13/771,9331.一种等离子体加工装置的部件的延性模式机加工方法，其中所述部件是由非金属的硬而脆材料制成的，所述方法包括: 使用金刚石切削刀具单点车削所述部件，使得所述非金属的硬而脆材料的一部分在切屑形成期间经历高压相变以形成所述硬而脆材料的延性相部分，其中车削表面是由相变材料形成的并且所述车削表面是所述相变材料的槽纹表面。2.如权利要求1所述的方法，其中(a)所述部件的所述车削表面的预定表面粗糙度(Ra)形成所述车削部件的所述槽纹表面；(b)所述车削表面的所述预定表面粗糙度约为0.0Ol μ m至0.2 μ m ; (c)所述车削表面的所述槽纹表面具有螺旋图案；(d)所述车削表面的所述槽纹表面显现出光衍射图案；(e)所述车削表面的所述槽纹表面形成精车削表面；并且/或者(f)所述部件是由硅形成的，并且形成所述车削表面的所述相变材料包括无定形硅、S1-1II 和 S1-XII。3.如权利要求1所述的方法，其中所述槽纹表面没有亚表面损伤。4.如权利要求1所述的方法，其中所述高压转变部分用激光辐射照射，使得(a)所述激光辐射被延性相材料吸收以加热所述延性相材料并使其硬度减小；并且/或者(b)所述激光辐射具有约400纳米至1500纳米的波长。5.如权利要求1所述的方法，其中(a)切削深度约为0.25 μ m至50 μ m，进给速率约为0.1 μ m/转至50 μ m/转，并且所述部件以约500转每分钟至1500转每分钟的速度旋转；(b)所述切削深度约为0.25 μ m至50 μ m,所述进给速率为约0.2 μ m/转至3 μ m/转,并且所述部件以500转每分钟至1000转每分钟的速度旋转；并且/或者(C)所述切削深度在单点车削所述部件时增大和/或 减小；并且/或者(d)所述进给速率在单点车削所述部件时增大和/或减小。6.如权利要求1所述的方法，其中所述脆性材料是选自由陶瓷、含硅材料和石英材料组成的组。7.如权利要求1所述的方法，其中所述部件包括边缘环、喷头电极、窗、气体喷射器、等离子体约束环、室内衬或静电夹盘。8.如权利要求1所述的方法，其中所述部件是等离子体加工装置的...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·F·斯顿夫，蒂莫西·戴尔，大卫·艾伦·鲁伯格，利华·L·黄，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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