金属铝配合物及其在有机发光器件中的应用制造技术

本发明专利技术提供了一种金属铝配合物，具有如式（I）所示的结构式。其中，Q选自式（Q1）或式（Q2）所示的结构式；R1为甲基，R2-R6独立地选自氢原子、甲基或氰基的其中之一；L为式（IV）所示的结构式；R7-R11独立地选自氢原子、苯基、吡啶基团、嘧啶基团、C6~C30的取代或非取代的芳环或C6~C30的含氮杂芳环的其中之一。本发明专利技术还提供了一种含有所述金属铝配合物的有机电致发光器件。该金属铝配合物的电子迁移率高，能够作为发光层主体材料，空穴阻挡层材料或电子传输层材料用于OLED器件中，实现了单一材料的多功能化，并简化了器件结构，实现了器件的高效率和低电压。

【技术实现步骤摘要】
金属铝配合物及其在有机发光器件中的应用
本专利技术涉及一种新型的有机发光材料及其在有机发光器件中的应用。具体涉及一类金属铝配合物和包含这类材料的有机电致发光器件。
技术介绍
1987年，柯达公司的邓青云(C.ff.Tang)和VanSlyke报道使用三(8_羟基喹啉)铝(Alq3)作为有机功能层，首次在低电压下成功制备了有机电致发光器件(OLEDs)，激起了有机材料应用于电致发光领域的研究热潮。而有机金属铝配合物由于其热稳定性能好，在真空下容易沉积成无空洞的薄膜，合成工艺简单，成本低廉等优点，作为电子传输层或主发光层，被广泛的开发并应用到OLEDs中。目前常用的空穴传输材料的空穴迁移率一般为10_5~10_3cm2/(V.s)，如TPD的空穴迁移率为1*10 3cm2/ (V.s)。而电子传输材料的电子迁移率则一般为10 6~10 4cm2/(V.s)，如Alq3电子迁移率仅为4.7*10_6cm2/(V.S)，且Alq3的阳离子不稳定会影响器件的寿命(Science，1999, 283, 1900)。常用的电子传输材料Bebq2的电子迁移率虽然较好(l(T4cm2/(V.s本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属铝配合物，其特征在于，具有如式（I）所示的结构式：(Q)2‑Al‑O‑L（I）其中，Q选自式（Q1）或式（Q2）所示的结构式；R1为甲基，R2‑R6独立地选自氢原子、甲基或氰基的其中之一；L为式（IV）所示的结构式：R7‑R11独立地选自氢原子、苯基、吡啶基团、嘧啶基团、C6~C30的取代或非取代芳环或C6~C30的含氮杂芳环的其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种金属铝配合物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构式:(Q) 2_A1-O-L(I) 其中， Q选自式(Ql)或式(Q2)所示的结构式； 2.根据权利要求1所所述的金属铝配合物，所述化合物结构式如下: 3.权利要求1或2所述的金属铝配合物在有机电致发光器件中用作发光层材料、电子传输层材料或空穴阻挡层材料。4.一种有机电致发光器件,包括第一电极和第二电极、以及位于两电极之间的若干个有机功能层； 所述有机功能层是空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一种或多种的组合，其特征在于:所述发光层材料为一种或多种如权利要求1-2中任一所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔娟，林娜，邱勇，
申请(专利权)人：清华大学，昆山维信诺显示技术有限公司，北京维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11