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在氧化铝大孔基底上通过氢氧化物纳米线辅助合成金属铝有机框架物纳米棒阵列的方法技术

技术编号:9661427 阅读:195 留言:0更新日期:2014-02-13 08:37
本发明专利技术公开了一种利用大孔基底上的金属有机纳米棒阵列钉扎作用制备一种金属有机框物气体分离膜的方法。它的步骤如下:1)在磁力搅拌下,将乙醇胺水溶液加入同体积硝酸铜、硝酸锌或硝酸镉水溶液中,调慢搅拌速度,获得相应的氢氧化铜、氢氧化锌或氢氧化镉纳米线溶液,将纳米线溶液直接过滤在多孔氧化铝膜上形成一层纳米线层;2)将纳米线层加入到含有均苯三酸的水溶液中,热处理后获得金属有机框架物纳米棒阵列。本发明专利技术可以直接在氧化铝多孔基底上生长截面为正六边形的金属铝-有机框架物纳米棒阵列,操作简单、制备出的阵列方向性好,能够稳定存在,并且可以作为籽晶层进行二次生长,此法扩大了金属有机框架物薄膜的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属有机框架物纳米阵列的制备方法,尤其涉及一种。技术背景金属有机框架物由于其具有高的孔隙率和好的化学稳定性,在吸附分离、催化反应、药物载体和光学材料等许多领域具有较好的应用前景。这其中金属有机框架物的结构和形貌对其性能有这巨大的影响,而含有铝元素的金属有机框架物由于其良好的六方结构和较好的取向性而被大家所关注。目前制备含有铝元素的金属有机框架物大多需要在强酸条件下才能完成。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种在多孔基底上通过氢氧化物纳米线辅助合成金属有机框架物纳米棒阵列的方法。一种,步骤如下: 1)在磁力搅拌下,将I.4 mM乙醇胺水溶液加入同体积4 mM硝酸铜水溶液中,I分钟后,调慢搅拌速度,并将反应容器密封,12~36小时之后,获得氢氧化铜纳米线溶液,将纳米线溶液15~60 ml直接过滤在多孔氧化招膜上形成一层400~2000 nm厚的纳米线层,多孔氧化铝膜的直径为2. 5 cm,孔径200 nm,孔隙率25~50% ; 2)将纳米线层加入到含有30ml,浓度为ImM,pH=4的均苯三酸水溶液中,120°C热处理24小时后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在氧化铝大孔基底上通过氢氧化物纳米线辅助合成金属铝有机框架物纳米棒阵列的方法,其特征是它的步骤如下:1)在磁力搅拌下,将1.4?mM?乙醇胺水溶液加入同体积4?mM?硝酸铜水溶液中,1分钟后,调慢搅拌速度,并将反应容器密封,12~36小时之后,获得氢氧化铜纳米线溶液,将纳米线溶液15~60?ml直接过滤在多孔氧化铝膜上形成一层400?~2000?nm?厚的纳米线层,多孔氧化铝膜的直径为2.5?cm,?孔径?200?nm,?孔隙率25~50%;2)将纳米线层加入到含有30ml,浓度为1mM,pH=4的均苯三酸水溶液中,120℃热处理24小时,得到金属铝有机框架物纳米棒阵列。

【技术特征摘要】
1.一种在氧化铝大孔基底上通过氢氧化物纳米线辅助合成金属铝有机框架物纳米棒阵列的方法,其特征是它的步骤如下: 1)在磁力搅拌下,将I.4 mM乙醇胺水溶液加入同体积4 mM硝酸铜水溶液中,I分钟后,调慢搅拌速度,并将反应容器密封,12~36小时之后,获得氢氧化铜纳米线溶液,将纳米线溶液15~60 ml直接过滤在多孔氧化招膜上形成一层400~2000 nm厚的纳米线层,多孔氧化铝膜的直径为2. 5 cm,孔径200 nm,孔隙率25~50% ; 2)将纳米线层加入到含有30ml,浓度为ImM,pH=4的均苯三酸水溶液中,120°C热处理24小时,得到金属铝有机框架物纳米棒阵列。2.一种在氧化铝大孔基底上通过氢氧化物纳米线辅助合成金属铝有机框架物纳米棒阵列的方法,其特征是它的步骤如下: 1)在磁力搅拌下,将I.4 mM乙醇胺水溶液加入同体积4 mM硝酸锌水溶液中,I分钟后,调慢搅拌速度,并将反应容器密封,12~36小时之后,获得氢氧化锌纳米线溶液,将纳米线溶液15~...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭新生毛祎胤
申请(专利权)人:浙江大学
类型:发明
国别省市:

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