在涂布后研磨前切割制造技术

本发明专利技术涉及将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法，所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块，并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层。所述方法包括：(A)提供半导体晶圆，其顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层；(B)穿过所述金属预连接凸块之间的所述底部填充剂切割并切入所述半导体晶圆的所述顶部表面中至最终所需晶圆厚度，产生切割线；以及(C)从晶圆背侧除去晶圆材料至少至所述切割线的深度，从而由所述晶圆单体化得到的裸片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在涂布后研磨前切割相关申请交叉引用本申请要求2011年7月29日提交的美国专利申请N0.61/513，146的优先权，其内容援引并入本申请中。
技术介绍
本专利技术涉及制造施加有底部填充封装剂的半导体晶圆(wafer)的方法。电气和电子设备的微型化及轻量化已经导致需要更薄的半导体装置和更薄的半导体封装。制备更薄的半导体裸片(die)的一种方式是从半导体晶圆的背侧去除过量材料，从该半导体晶圆切割单个裸片。过量晶圆的去除通常发生在研磨过程中，通常称作背侧研磨。当在晶圆薄化之前将晶圆切割成单个半导体电路时，该过程称为“研磨之前切割”或DBG。制备更小且更有效的半导体封装的一种方式是采用具有金属凸块阵列的封装，所述金属凸块阵列连接至封装的有源面。设置所述金属凸块以使其与基板上的焊盘(bondingpad)对齐。当使所述金属凸块回流至熔体时，凸块与焊盘连接，同时形成电连接和机械连接。在所述晶圆材料、金属凸块和基板之间存在热失配，从而引起金属间连接受到重复热循环的应力。这可潜在地导致故障。为应对该问题，将封装材料(称为底部填充剂)设置在晶圆和基板之间、围绕并支撑金属凸块的间隙中。半导体封装制造中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法，所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块，并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层，所述方法包括：(A)提供半导体晶圆，该半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层；(B)穿过所述金属预连接凸块之间的所述底部填充剂切割并切入所述半导体晶圆的顶部表面中至最终所需晶圆厚度，产生切割线；以及(C)从晶圆背侧除去晶圆材料至少至所述切割线的深度，从而由所述晶圆单体化得到的裸片。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.29 US 61/513,1461.将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法，所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块，并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层，所述方法包括: (A)提供半导体晶圆，该半导体晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·黄，Y·金，R·吉诺，Q·黄，
申请(专利权)人：汉高知识产权控股有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US