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本发明涉及将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法,所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块,并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层。所述方法包括:(A)提供半导体晶圆,其顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属...该专利属于汉高知识产权控股有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过汉高知识产权控股有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法,所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块,并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层。所述方法包括:(A)提供半导体晶圆,其顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属...