一种低功耗高稳定性的复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低功耗高稳定性的复位电路，包括：POR电流产生模块，用于在上电时产生POR电流对充放电模块进行充电，并给掉电检测模块的放电通道提供电压偏置；掉电检测模块，连接该POR电流产生模块，在电压下降较大时开启放电通道对该充放电模块进行放电以产生复位输出将后续电路复位；充放电模块，在POR电流和该掉电检测模块放电通道控制下发生充放电以按要求输出原始复位电压；施密特整形模块，将该充放电模块输出的原始复位电压整形为上升下降延时小的规则的数字复位信号，本发明专利技术不仅达到低功耗的预期，并成功实现了上电复位与掉电检测再复位的功能，同时利用施密特触发器很好地提供了迟滞电压，保证了整体电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗高稳定性的复位电路
本专利技术涉及一种复位电路，特别是涉及一种低功耗高稳定性的复位电路，属于CMOS模拟电路设计领域。
技术介绍
典型的上电复位电路工作原理和设计实现都简单易行。图1为现有技术一种高电平上电复位电路，其电容C上端接电源VDD下端接电阻R上端并输出复位信号RESET，电阻R下端接地，VDD上电时，电容电压不能突变，电容下端即RESET为电源VDD，之后VDD给电容C充电，充电电流在电阻R上产生电压，形成了电容C下端与GND之间的电压差，在该电压大于后续电路高电平阈值前的输出即被后续电路判定为高电平“1”从而实现复位，足够时间后，电容C被充电至电压VDD，其下极板即RESET输出为0V低电平，该RESET信号被后续电路判定为“0”而处于正常工作状态；低电平复位只需要将电阻R和电容C位置呼唤即可。这种结构的上电复位电路有以下三个缺点：首先，该电容的容值需要较大，很占面积；其次，该种上电复位电路仅能实现上电输出高电平，无法检测电源上的突然掉电现象；再次，这种复位电路的功耗较大，无法满足如今越来越高的低功耗需求。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供一种低功耗高稳定性的复位电路，不仅达到低功耗的预期，并且成功实现了上电复位与掉电检测再复位的功能，同时在稳定性方面，利用施密特触发器很好地提供了迟滞电压，保证了整体电路的稳定性。为达上述及其它目的，本专利技术提出一种低功耗高稳定性的复位电路，至少包括：POR电流产生模块，用于在上电时产生POR电流对充放电模块进行充电，并给掉电检测模块的放电通道提供电压偏置；掉电检测模块，连接该POR电流产生模块，在电压下降较大时开启放电通道对该充放电模块进行放电以产生复位输出将后续电路复位；充放电模块，在POR电流和该掉电检测模块放电通道控制下发生充放电以按要求输出原始复位电压；施密特整形模块，将该充放电模块输出的原始复位电压整形为上升下降延时小的规则的数字复位信号。进一步地，该POR电流产生模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管，该第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管源极接电源正端，该第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管源极接电源负端，该第三NMOS管与该第四NMOS管的漏极和栅极各自短接形成有源电阻后构成串联分压电路，该第三NMOS管源极与该第四NMOS管的漏极、栅极作为该电压输出端接至该掉电检测模块，该第三NMOS管漏极、栅极接该第一PMOS管与该第二PMOS管栅极、该第一PMOS管漏极，该第一PMOS管、该第二PMOS管背靠背连接构成第一镜像恒流源，该第二PMOS管漏极接该第五NMOS管、第六NMOS管栅极、该第五NMOS管漏极，该第五NMOS管、第六NMOS管背靠背连接构成第二镜像恒流源，该第六NMOS管漏极接该第七PMOS管、第八PMOS管栅极、该第七PMOS管漏极，该第七PMOS管、第八PMOS管背靠背连接构成第三镜像恒流源，该第八PMOS管漏极接该掉电检测模块、该施密特整形模块及该充放电模块。进一步地，该掉电检测模块包括第十PMOS管、第十一PMOS管、第九NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管和第一电阻，该第九NMOS管、第十二NMOS管、第十四NMOS管接电源负端，该第十一PMOS管源极、该第一电阻上端接电源正端，该第十三NMOS管与该第十四NMOS管的漏极和栅极各自短接形成有源电阻后与该第一电阻一起构成串联偏置电路，该第一电阻下端与该第十一PMOS管栅极、该第十三NMOS管漏极、栅极相连，该第十一PMOS管漏极与该第十PMOS管栅极、该第十二NMOS管漏极相连，该第十PMOS管漏极接该第九NMOS管漏极。进一步地，该第九NMOS管与该第十二NMOS管的栅极接该第三NMOS管源极、该第四NMOS管的漏极、栅极，该第十PMOS管源极接第八PMOS管漏极。进一步地，该施密特整形模块包括第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十九PMOS管、第十七NMOS管、第十八NMOS管、第二十NMOS管、第二电阻、第三电阻，该第十八NMOS管源极接电源负端，该第十五PMOS管源极接电源正端，该第十五PMOS管漏极接该第十六PMOS管、该第十九PMOS管源极，该第十六PMOS管漏极与该第十七NMOS管漏极、该第十九PMOS管、该第二十NMOS管栅极相接构成输出端，该第十七NMOS管源极接该第十八NMOS管漏极、该第二十NMOS管源极，该第十九PMOS管漏极通过该第二电阻下拉至电源负端，该第二十NMOS管漏极通过第三电阻上拉至电源正端。进一步地，该第八PMOS管漏极接该第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七NMOS管、该第十八NMOS管栅极。进一步地，该充放电模块为多个MOS电容或类型电容并联构成，其上端接该第八PMOS管的漏极输出，下端接电源负端。进一步地，该充放电模块为一充放电电容，其上端接该第八PMOS管漏极，下端接电源负端。与现有技术相比，本专利技术一种低功耗高稳定性的复位电路通过在上电和掉电中分别使用两路互不相干的回路，并使用施密特触发器，使上电掉电的复位稳定性大大增加，又由于本专利技术采用CMOS工艺，其整体电流功耗仅1uA，低于一般结构的复位电路，达到了高稳定性及低功耗的要求。附图说明图1为现有技术一种典型上电复位电路的电路示意图；图2为本专利技术一种低功耗高稳定性的复位电路的电路示意图。具体实施方式以下通过特定的具体实例并结合附图说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。图2为本专利技术一种低功耗高稳定性的复位电路的电路示意图。如图2所示，本专利技术一种低功耗高稳定性的复位电路POR电流产生模块10、掉电检测模块20、施密特整形模块30以及充放电模块40，其中，POR电流产生模块10包括PMOS管M1、M2、M7、M8(可分别称之为第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第七PMOS管M7、第八PMOS管M8)和NMOS管M3、M4、M5、M6(可分别称之为第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管)，用于在上电时产生POR(PowerOnReset)电流对充放电模块40的充放电电容C1进行充电，并给掉电检测模块20的放电通道提供电压偏置，PMOS管M1、M2、M7、M8的源极接电源正端VDD25，NMOS管M4、M5、M6的源极接电源负端GND25(地)，NMOS管M3与M4的漏极和栅极各自短接形成有源电阻后构成串联分压电路，NMOS管M3源极与M4的漏极、栅极作为电压输出端接至掉电检测模块20的NMOS管M9、M12的栅极，NMOS管M3漏极、栅极接PMOS管M1、M2栅极、PMOS管M1漏极，PMOS管M1、M2背靠背连接构成第一镜像恒流源，该镜像恒流源输出即PMOS管M2漏极接NMOS管M5、M6栅极、NMOS管M5漏极，NMOS管M5、M6背靠背连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗高稳定性的复位电路，至少包括：POR电流产生模块，用于在上电时产生POR电流对充放电模块进行充电，并给掉电检测模块的放电通道提供电压偏置；掉电检测模块，连接该POR电流产生模块，在电压下降较大时开启放电通道对该充放电模块进行放电以产生复位输出将后续电路复位；充放电模块，在POR电流和该掉电检测模块放电通道控制下发生充放电以按要求输出原始复位电压；施密特整形模块，将该充放电模块输出的原始复位电压整形为上升下降延时小的规则的数字复位信号。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗高稳定性的复位电路，至少包括：POR电流产生模块，用于在上电时产生POR电流对充放电模块进行充电，并给掉电检测模块的放电通道提供电压偏置；掉电检测模块，连接该POR电流产生模块，在电压下降较大时开启放电通道对该充放电模块进行放电以产生复位输出将后续电路复位；充放电模块，在POR电流和该掉电检测模块放电通道控制下发生充放电以按要求输出原始复位电压；施密特整形模块，将该充放电模块输出的原始复位电压整形为上升下降延时小的规则的数字复位信号；其中，该POR电流产生模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管，该第一PMOS管、第二PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管源极均接电源正端，该第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管源极均接电源负端，该第三NMOS管与该第四NMOS管的漏极和栅极各自短接形成有源电阻后构成串联分压电路，该第三NMOS管源极与该第四NMOS管的漏极、栅极连接在一起并作为该POR电流产生模块的电压输出端接至该掉电检测模块，该第三NMOS管漏极和栅极均接该第一PMOS管的栅极和漏极以及该第二PMOS管的栅极、该第一PMOS管漏极，该第一PMOS管、该第二PMOS管背靠背连接构成第一镜像恒流源，该第二PMOS管漏极接该第五NMOS管的栅极和漏极以及第六NMOS管栅极，该第五NMOS管、第六NMOS管背靠背连接构成第二镜像恒流源，该第六NMOS管漏极接该第七PMOS管的栅极和漏极以及第八PMOS管栅极，该第七PMOS管、第八PMOS管背靠背连接构成第三镜像恒流源，该第八PMOS管漏极接该掉电检测模块、该施密特整形模块及该充放电模块。2.如权利要求1所述的一种低功耗高稳定性的复位电路，其特征在于：该掉电检测模块包括第十PMOS管、第十一PMOS管、第九NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管和第一电阻，该第九NMOS管、第十二NMOS管、第十...

【专利技术属性】
技术研发人员：单一钟，张宁，马腾飞，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31