【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种多孔硅的修饰方法，其包括如下步骤：⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢氟酸：无水乙醇体积比为3:1；⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰；⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4-（二乙氨基）水杨醛反应，得到带有芳叔胺基团的多孔硅；⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中，去除残存的有机物。【专利说明】
本专利技术涉及一种修饰制备稳定的多孔硅的方法，以及将其作为生物传感器，用在生物分子的检测。
技术介绍
敏感稳定的非标记检测技术在生物检测，环境监控，药物开发和食品安全生产中具有重要的意义。这些非标检测技术中，基于多孔硅的傅里叶转换反射干涉光谱技术是一种简单，灵敏，有效的检测技术。当检测目标例如互补链DNA，抗体或配体等与多孔硅表面的相应生物分子反应，薄膜的有效折射率发生变化，从而可以敏感的检测这些目标分子。CN101710118A公开了一种基于多孔娃三兀结构微腔的光学免疫检测方法，该方法采用基于计算机精确控制的电化学腐蚀方法制备多孔硅微腔，其中多孔硅微腔内上、下的Bragg结构由三种电流密度交替进行...
【技术保护点】
一种多孔硅的修饰方法，其包括如下步骤：⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢氟酸：无水乙醇体积比为3:1；优选地电流密度为600mA/cm2,蚀刻时间为20秒；⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰；⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4‑（二乙氨基）水杨醛反应，得到带有芳叔胺基团的多孔硅；⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中，去除残存的有机物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕小毅，莫家庆，贾振红，张富春，李鹏，
申请(专利权)人：新疆大学，
类型：发明
国别省市：新疆;65
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。