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本发明提供一种多孔硅的修饰方法，其包括如下步骤：⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢氟酸：无水乙醇体积比为3:1；⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰；⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4-（二乙氨基）水杨醛反应，得到带有芳...
该专利属于新疆大学所有，仅供学习研究参考，未经过新疆大学授权不得商用。

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