一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液及其蚀刻方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液，该新型蚀刻液包括氧化物蚀刻溶液、起到稠度调节作用的调节剂以及水；同时本发明专利技术还公开了上述新型蚀刻液的蚀刻方法及应用。本发明专利技术公开的新型蚀刻液和蚀刻方法可普遍适用于Sn、Zn、Al、Ga、In基及其合金氧化物薄膜材料刻蚀，尤其是ZnO、AZO、GZO、IGZO、IZO等氧化物材料的刻蚀，也可广泛的用于制备精细电子部件中氧化物材料的刻蚀，例如半导体光电器件、太阳能电池、TFT薄膜晶体管、半导体集成电路和透明电极等。本发明专利技术的新型蚀刻液相较于传统的刻蚀液，其具有抑制侧蚀、防止刻蚀不均以及防止刻蚀残留的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
本专利技术涉及一种适用于氧化物材料体系刻蚀的新型蚀刻液。更具体地，本专利技术涉及一种适用于In、Sn、Al、Ga和Zn等氧化物材料体系刻蚀的蚀刻液和蚀刻方法，其主要用于制备精细电子部件中氧化物材料的刻蚀，例如光电半导体器件、半导体集成电路和透明电极等中的氧化物材料的刻蚀。
技术介绍
透明导电薄膜(TransparentConductiveOxide，TCO)材料技术是以ITO、ZnO、In2O3、SnO2等透明氧化物半导体材料及上述氧化物的掺杂体系为材料基础，涵盖材料生长、器件制备、装备制造等多领域学科的先端技术，
包括显示、照明、新材料、半导体微加工、新装备、集成电路、系统集成等诸多
透明导电薄膜材料是新一代光电器件的基础性功能材料，在上世纪末得到高速发展和广泛的应用，约占功能膜的50％以上，有人称其为“二十世纪最后的几项大型技术之一”。透明导电薄膜材料以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射比、红外高反射比以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层以及半导体/绝缘体/半导体(SIS)异质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氧化物材料体系的新型蚀刻液，其特征在于：包括氧化物蚀刻溶液、起到稠度调节作用的调节剂以及水。

【技术特征摘要】
1.一种用于氧化物材料体系的蚀刻液，其特征在于：以重量计，所述蚀刻液中含有，0.01-80wt％的磷酸盐溶液；0.1-80wt％的聚乙二醇调节剂；余量的水。2.如权利要求1所述用于氧化物材料体系的蚀刻液，其特征在于：以重量计，所述蚀刻液中含有，0.01-80wt％的磷酸盐溶液；0.1-80wt％的聚乙二醇调节剂；10-90wt％的水。3.如权利要求1-2任意一项所述用于氧化物材料体系的蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液还包括有添加剂，所述添加剂是表面活性剂、金属离子鳌合剂以及腐蚀抑制剂中一种或几种。4.如权利要求3所述用于氧化物材料体系的蚀刻液，其特征在于：所述添加剂的含量为0.0001wt％～10wt％。5.如权利要求1所述蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于该方法包括如下步骤：(1)在氧化物单层或多层材料体系上喷雾涂布光阻胶并去除部分光阻胶形成光阻胶图案；(2)将刻蚀液通过涂覆方式一次或多次涂覆在具有光阻胶图案的氧化物单层或多层上；(3)利用刻蚀液蚀刻通过光阻胶图案选择性地蚀刻氧化物单层或多层。6.如权利要求5所述蚀刻液的蚀刻方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：范冰丰，王钢，童存声，
申请(专利权)人：佛山市中山大学研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44