一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件技术

本发明专利技术公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，其中低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域；沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔；同时进行离子激活和氢化处理；沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。由于将离子激活和氢化处理同时进行，可以缩短制程，从而降低了器件制作的热成本和时间成本。接触孔形成后进行离子激活和氢化处理，氮等离子处理能够有效修补多晶硅薄膜内部和界面的悬挂键，改善多晶硅薄膜的界面特性，因此可以提升离子的激活效率和氢化效果，从而能够有效提高器件的迁移率和开关比等电学特性。

【技术实现步骤摘要】
一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和显示器件。
技术介绍
低温多晶娃薄膜晶体管(LowTemperature Poly-silicon Thin FilmTransistor，简称LTPS TFT)由于具有较高的迁移率和稳定性等优点，已经普遍应用在有源矩阵有机发光显不器(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,简称 AM0LED)、有源矩阵液晶显不器(Active Matrix Liquid Crystal Display,简称AMLCD)等显不器上。这种低温多晶硅薄膜晶体管的制备过程一般是在基板上沉积非晶硅层，再通过热处理等方式使非晶硅熔融结晶以形成具有晶粒结构的多晶硅层，接下来利用多晶硅层作为薄膜晶体管的沟道层，硅的氮氧化物作为栅绝缘层，金属作为栅极，然后以金属栅极为掩膜进行自对准的离子注入形成源漏极，最终完成多晶硅薄膜晶体管的制作。在多晶硅薄膜晶体管的制备过程中，离子注入后会造成多晶硅的晶格损伤，需要后续的激活工艺对注入的离子进行激活并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1、在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域；S2、沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔；S3、同时进行离子激活和氢化处理；S4、沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 51、在衬底基板上依次制作缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极，形成源漏区域； 52、沉积层间介质层，经过图案化处理形成源漏区域的接触孔； 53、同时进行离子激活和氢化处理； 54、沉积源漏金属层，经过图形化处理得到源极和漏极。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤SI具体包括: SI 1、在衬底基板上沉积缓冲层； 512、在缓冲层上方沉积非晶硅层，并使非晶硅层经过晶化处理成为多晶硅，再对多晶硅进行图案化处理形成有源层； 513、在有源层上方沉积形成栅绝缘层； 514、在栅绝缘层上方沉积栅极金属层，经过图案化处理形成栅极； 515、通过离子注入形成源漏区域。3.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，形成缓冲层、非晶硅层以及栅绝缘层均采用等离子体增强化学气相沉积法制作。4.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述晶化处理采用准分子激光退火设备进行处理。5.如权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：田慧，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11