本发明专利技术揭示一种发光元件的封装结构，包含一具有一平台的电路载体；一具有一透明基板的发光元件，透明基板包含一第一平面及一第二平面；一发光二极管管晶位于透明基板的第一平面；以及一第一透明胶材位于第一平面且包覆发光二极管管晶；其中第一平面与平台间的夹角不等于0度，且第一透明胶材在第一平面的投影为圆形，发光二极管管晶位于此圆形投影的几何中心。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术揭示一种发光元件的封装结构，包含一具有一平台的电路载体；一具有一透明基板的发光元件，透明基板包含一第一平面及一第二平面；一发光二极管管晶位于透明基板的第一平面；以及一第一透明胶材位于第一平面且包覆发光二极管管晶；其中第一平面与平台间的夹角不等于0度，且第一透明胶材在第一平面的投影为圆形，发光二极管管晶位于此圆形投影的几何中心。【专利说明】发光二极管装置
本专利技术是关于一种发光元件的封装结构。
技术介绍
一般具有透明基板的发光二极管(Light-Emitting Diode;LED)可以区分为直立式(Face-up type)与倒装式(Flip-chip type)。其中直立式发光二极管以胶材或金属固着于载体上，倒装式发光二极管则以金属或焊锡做接合，其主要固着面为发光二极管的正向出光面。由于发光二极管发光层出光为360度,所以往下的出光一般通过反射面再反射回正向出光面或经由透明基板出光。但透明基板的厚度不可太厚，以避免出光强度减弱。此外，当发光二极管尺寸愈大时，将有愈多反射光经过发光层中的多层量子阱结构(MultiQuantum Well, MQff)，因吸光效应而使出光效率降低。图1为传统发光元件封装结构。如图所示，固着面I为发光二极管管晶100固着于载体3的平面，此平面与发光二极管管晶100的正向出光面4平行。往下的光通过一反射面2再反射回正向出光面4或侧向出光面5。此封装方式缺点为当发光二极管管晶尺寸愈大时，有愈多反射光经过发光层中的多层量子讲结构，因吸光效应而使出光效率降低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种发光元件的封装结构。此封装结构包含一具有一平台的载体；一具有透明基板的发光元件，透明基板包含一第一平面及一第二平面；一发光二极管管晶设置于透明基板的第一平面上，以及一第一透明胶材形成于第一平面上并包覆发光二极管管晶。其中透明基板的第一平面与载体的平台间的夹角不等于零度，且第一透明胶材在第一平面上的投影为圆形，发光二极管管晶实质上位于此圆形投影的几何中心。【专利附图】【附图说明】图1是显示发光元件传统封装方式；图2是显示本专利技术使用的发光二极管管晶的结构侧视图；图3是显示本专利技术另一使用的发光二极管管晶的结构侧视图；图4是显示本专利技术使用的发光元件的结构侧视图；图5是显示本专利技术另一使用的发光元件的结构侧视图；图6是显示本专利技术实施例的发光元件的封装结构侧视图；图7是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构侧视图；图8是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构侧视图；图9是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构侧视图；图1OA是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构侧视图；图1OB是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构上视图；图11是显示本专利技术另一实施例的发光元件的封装结构侧视图；图12是显示本专利技术实施例应用于液晶显示器背光源的设计结构侧视图；图13是显示本专利技术实施例另一种应用于液晶显示器背光源的设计结构侧视图。符号说明1:固着面2:反射面3:载体4:正向出光面5:侧向出光面10、20、30、40、50、60:发光元件封装结构70、80:液晶显示器背光源的发光元件封装结构100、200、300:发光二极管二极管管晶400、500:发光元件800、900:多重发光元件201,301:成长基板202、302:外延结构202a、302a:第一电性半导体202b,302b:活性层202c、302c:第二电性半导体203、303、403、606、607:电极404、504:透明基板404a、504a:透明基板第一平面404b、504b:透明基板第二平面503,603:平台504:内含突光粉体的透光基板505:荧光粉体层510、511:固定胶材501、601、701、801、902:载体602、703、805、901:反射层604:透镜605,704,804:连接材料702:扩散物质801:中间基板802、803:圆顶封装体806、903:薄膜材料901:导电连接层902:偏光板【具体实施方式】本专利技术揭露一种发光元件的封装结构及其制造方法。为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，可参照下列描述并配合图2至图13的图式。图2-3为本专利技术实施例所使用的发光二极管管晶。如图2所示，其结构为:于成长基板201上利用例如有机金属化学气相沉积法(MOCVD)成长外延结构202，或以接合方法将外延结构置于支持基板上。其中外延结构至少包含一第一电性半导体层202a，一活性层202b及一第二电性半导体层202c,然后于外延结构202上形成第一电极203及第二电极204，以形成一水平结构的发光二极管管晶200。成长基板201可为透明材料，例如蓝宝石基板、氧化锌或氮化铝。成长基板也可以是高散热材料，例如类钻碳薄膜(DLC)、石墨、硅、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)或铝酸锂(LiAlO2)15成长基板也可以是单晶材料，例如硅、氮化铝(AlN)或氮化镓(GaN);或者是包含单晶材料(如硅、氮化铝或氮化镓)及非单晶材料(如多晶材料、非晶材料)的复合材料基板，例如陶瓷。如图3所示，其结构为于成长基板301上，利用例如有机金属化学气相沉积法(MOCVD)成长外延结构302，或以接合方法将外延结构置于支持基板上。其中外延结构至少包含一第一电性半导体层302a，一活性层302b及一第二电性半导体层302c。第一电极303位于外延结构302的第一侧，第二电极304位于相对于外延结构302第一侧的第二侧，以形成一垂直结构的发光二极管管晶300。支持基板301可为高散热材料或是反射性材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、钥(Mo)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、镍-锡(N1-Sn)、镍-钴(N1-Co)、金合金(Au alloy)、类钻碳薄膜(DLC)、石墨、碳纤维、金属基复合材料(metal matrixcomposite, MMC)、陶瓷复合材料(ceramic matrix composite, CMC)、高分子复合材料(polymer matrix composite, PMC)、娃(Si)、憐化碘(IP)、硒化锋(ZnSe)、砷化嫁(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)或铝酸锂(LiAlO2)。图4为本专利技术实施例的一发光元件400的示意图。将发光二极管管晶结构如200或300置于一透明基板404的第一平面404a的上，以形成一发光元件400。以发光二极管管晶200结构为例，其结构包含一成长基板201 ;—外延结构202形成于成长基板201上，其中外延结构至少包含一第一电性半导体层202a，一活性层202b及一第二电性半导体层202c ;及一第一电极203及一第二电极204,形成于外延结构202上。透明基板的材料可为蓝宝石基板、钻石、玻璃、环氧树脂(epoxy)、石英、聚丙烯酸酯(acrylate)、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)或碳化硅(SiC)。图5所不为本专利技术实施例之一发光兀件500的不意图。将发光二极管管晶例如200或300置于一内含突光材料的透明基板50本文档来自技高网...
【技术保护点】
一发光元件的封装结构，包含：载体，具有平台；以及发光元件，包含：透明基板，具有第一平面及第二平面；以及发光二极管管晶，形成于该透明基板的该第一平面上；以及第一透明胶材，形成于该第一平面上且包覆该发光二极管管晶；其中该第一平面与该平台间的夹角不等于0度，且该第一透明胶材在该第一平面上的投影为圆形，该发光二极管管晶实质上位于该第一平面上该圆形投影的几何中心。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，巫汉敏，许晏铭，黄建富，徐子杰，谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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