一种LED金属引线框架及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种LED金属引线框架及其制造方法。该金属金属引线框架的制造方法包括步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架；步骤S20：对金属引线框架进行粗化处理。其中所述步骤S10包括步骤：延平金属带，在金属带前后表面覆盖一防蚀层或覆盖一防蚀模具，然后对所述防蚀层或防蚀模具以外的金属带进行蚀刻，形成金属引线框架。所述步骤S20包括步骤：不移走所述防蚀层或防蚀模具，对所述金属引线框架的侧面进行粗化处理。本发明专利技术的制造方法实现了侧边粗化而前后面保持平整光滑的效果，可使基于该支架的LED器件的气密性大大提高，进而提高LED器件的可靠性，延长器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种LED金属引线框架及其制造方法
本专利技术涉及一种LED金属引线框架及其制造方法，尤其涉及一种具有侧边粗化的LED金属引线框架及其制造方法。
技术介绍
现有的LED用EMC（EpoxyMoldingCompound）支架，由金属引线框架以及热固性材料构成，由于金属引线框架表面是平滑的，热固性材料和金属引线框架结合时，两者接触位置的气密性不高，在后续的去飞边、过回流炉等工艺中，引线框架与热固性材料比较容易出现分层现象，这样容易导致应用EMC支架的LED器件的可靠性不高，从而影响LED器件的使用寿命。解决气密性低问题，一般通过对金属引线框架表面进行粗化，以增加热固性材料和金属引线框架的结合度，进而提高LED器件的气密性。因此，现有技术通过对LED金属引线框架做表面粗化处理，来增加热固性材料和金属引线框架的结合度。但是，目前对LED金属引线框架做表面粗化处理方法会使金属引线框架的前后表面及侧边同时粗化，较高的侧边粗化可提高引线框架的气密性，但同时产生的前后表面粗化会影响LED器件的出光效率。并且由于金属引线框架粗化后，前后表面不平整，有空隙，容易在后续的将热固性材料和金属引线框架结合的塑封工艺中，导致热固性材料从金属前后表面的空隙中溢出，即导致严重溢料现象的发生，覆盖芯片安装部等部位，大大降低EMC支架制作的可靠性。为了解决上述问题，本专利技术提出一种避免前后表面被粗化而仅侧边粗化的LED金属引线框架的制造方法，使金属引线框架经过本专利技术的工艺后，仅在金属引线框架的侧边具有粗化效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种避免前后表面被粗化而仅侧边粗化的LED金属引线框架的制造方法。本专利技术是采用以下的技术方案实现的：一种LED金属引线框架的制造方法，包括如下步骤：步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架；步骤S20：对金属引线框架进行粗化处理；其中所述步骤S10包括步骤：延平金属带，在金属带前后表面覆盖一防蚀层或覆盖一防蚀模具，然后对所述防蚀层或防蚀模具以外的金属带进行蚀刻，形成金属引线框架；所述步骤S20包括步骤：不移走所述防蚀层或防蚀模具，对所述金属引线框架的侧面进行粗化处理。通过上述步骤，金属引线框架的前后面通过防蚀层或防蚀模具遮掩以避免被粗化，从而实现了侧边粗化而前后面保持平整光滑的效果。进一步，还包括步骤S30：对该金属引线框架进行电镀银处理。该步骤是方便后续的种线工艺，同时有利于器件的出光。进一步，该步骤S30具体为首先对该金属引线框架电镀一第一银层，然后再在该第一银层的表面电镀一第二银层，该第二银层的厚度大于该第一银层。该第一银层形成一层缓冲层，起到阻挡层作用，可有效防止金属框架的金属原子因受热而扩散到第二银层表面。此外，本专利技术还提供一种根据上述制造方法制造的LED金属引线框架，其侧边形成峰谷状的微粗化结构，所述峰谷状的微粗化结构是两峰之间的最大间距值在5-20μm范围内，两峰之间的平均间距值在1-5μm范围内。相对于现有技术，本专利技术的LED金属引线框架的制造方法获得的金属引线框架的侧边具有粗化效果，而其前后表面保持平整光滑。为了能更清晰的理解本专利技术，以下将结合附图说明阐述本专利技术的具体实施方式。附图说明图1是本专利技术金属引线框架的制造结构流程示意图图2是金属引线框架的侧边粗化处理制造结构流程示意图。图3是图2所示金属引线框架的侧边粗化后的A区域的放大图。具体实施方式实施例1本专利技术的LED金属引线框架的制造方法包括如下步骤：步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架11。在本实施例中，该金属带为铜带。请参阅图1，其是本专利技术金属引线框架的制造结构示意图。该步骤S10具体包括如下步骤：步骤S11：延平铜带1，对铜带进行前期处理。具体包括去脂、清洗等前期处理。步骤S12：在铜带的前后表面分别覆盖一层防蚀层2。该防蚀层2覆盖在所述铜带上不需要被腐蚀的区域，该防蚀层2的图案与预先设计好的金属引线框架图纸的图案一致。步骤S13：蚀刻带有防蚀层2的铜带1，形成金属引线框架。具体地，将铜带1放入腐蚀液中进行蚀刻，在防蚀层2覆盖的区域由于防蚀层2的保护作用而不被腐蚀液腐蚀，从而使该铜带1在腐蚀液中腐蚀过后得到由多个支架单元构成的金属引线框架11。在本实施例中，腐蚀液采用的是氯化铁溶液。步骤S20：对由步骤S10获得的金属引线框架11的侧边进行粗化处理。请参阅图2，其是本专利技术金属引线框架的侧边粗化处理制造结构流程示意图。该步骤S20具体包括如下步骤：步骤S21：蚀刻带有防蚀层2的金属引线框架11的侧边。具体地，将带有防蚀层2的金属引线框架11放入微蚀剂中，由于金属引线框架11的前后表面具有防蚀层2的保护，微蚀剂只能对防蚀层2以外的金属引线框架11的侧边进行腐蚀。在本实施例中，该微蚀剂为硫酸、过氧化氢等组分的混合溶液。该金属引线框架11在微蚀剂中腐蚀时间约为30s，在金属引线框架11的侧边形成峰谷状的微粗化效果，如图3所示，其是金属引线框架11的侧边粗化后的A区域的放大图。该峰谷状的微粗化效果具体是：两峰（或两谷）之间的最大间距值在5-20μm范围内，两峰（或两谷）之间的平均间距值在1-5μm范围内。步骤S22：去除防蚀层2。在本实施例中，通过碱性溶液将所述防蚀层去除。步骤S23：对金属引线框架11进行清洗、风干，从而完成金属引线框架11的侧边粗化处理。步骤S30：对金属引线框架11进行电镀银处理。其具体包括如下步骤：步骤S31：将金属引线框架11放入碱性溶液中清洗，以去除其表面的油层。在本实施例中，该步骤重复两次，以清除金属引线框架11表面的杂质。步骤S32：将金属引线框架11放入酸性溶液中清洗，以去除其表面的氧化层。在本实施例中，将金属引线框架11放入弱酸性溶液中清洗即可。步骤S33：将金属引线框架11放入活化剂溶液中进行浸泡活化处理，以使其在后续的电镀工艺中，使电镀层与该金属引线框架11更容易结合。步骤S34：在金属引线框架11的前后表面电镀一薄铜层。该薄铜层为一过渡层，其使该金属引线框架11更容易与后续的电镀层结合。步骤S35：在薄铜层表面电镀第一银层。该第一银层的厚度为1~1.5μm之间。具体地，在本实施例中，在电镀过程中控制电镀电流的密度为0.2-0.5A/dm2，镀液的温度为40~80℃，优选电镀电流的密度为0.3A/dm2、镀液的温度为50℃，从而得到一层厚度为1~1.5μm的银层。镀该第一银层的目的是为了形成一层缓冲层，起到阻挡层作用，有效防止铜因受热而扩散到银层表面。在本步骤中，电镀电流不能过大，否则第一银层的厚度会过厚，不能达到上述效果。步骤S36：在第一银层的表面电镀第二银层。该第二银层的厚度大于第一银层的厚度，其厚度为1.5~2μm之间。具体地，在本实施例中，在电镀过程中控制电镀电流的密度为0.5-2A/dm2，镀液的温度为40-80℃，优选电镀电流的密度为0.7A/dm2、镀液的温度为50℃，从而得到一层厚度为1.5~2μm的银层。该第二银层可提高镀银层的反射率，使器件出光效率更高。相对于现有技术，本专利技术的LED金属引线框架的制造方法在对金属引线框架的侧边进行粗化时，金属引线框架的前后表面通过防蚀层遮掩以避免被粗化，从而实现了侧边粗化而前后表面保持平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED金属引线框架的制造方法，包括如下步骤：步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架；步骤S20：对金属引线框架进行粗化处理；其特征在于：所述步骤S10包括步骤：延平金属带，在金属带前后表面覆盖一防蚀层或覆盖一防蚀模具，然后对所述防蚀层或防蚀模具以外的金属带进行蚀刻，形成金属引线框架；所述步骤S20包括步骤：不移走所述防蚀层或防蚀模具，对所述金属引线框架的侧面进行粗化处理。

【技术特征摘要】
1.一种LED金属引线框架的制造方法，包括如下步骤：步骤S10：对金属带进行腐蚀，形成金属引线框架；步骤S20：对金属引线框架进行粗化处理；其特征在于：所述步骤S10包括步骤：延平金属带，在金属带前后表面覆盖一防蚀层或覆盖一防蚀模具，然后对所述防蚀层或防蚀模具以外的金属带进行蚀刻，形成金属引线框架；所述步骤S20包括步骤：不移走所述防蚀层或防蚀模具，对所述金属引线框架的侧面进行粗化处理，然后去除所述防蚀层或防蚀模具；还包括步骤S30：首先对该金属引线框架电镀一第一银层，然后再在该第一银层的表面电镀一第二银层，该第二银层的厚度大于该第一银层；该步骤S30中电镀第一银层的电镀电流的密度为0.2-0.5A/dm2，镀液的温度为40-80℃；或/和该步骤S30中电镀第二银层的电镀电流的密度为0.5-2A/dm2，镀液的温度为40-80℃。2.根据权利要求1所述的LED金属引线框架的制造方法，其特征在于：该第一银层...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏勋力，李程，唐永成，吴廷，麦家儿，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44