【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led，尤其涉及一种led器件的封装方法及led器件。
技术介绍
1、目前传统的led多为顶部出光的top结构，其封装结构为塑较碗杯包封金属部分功能区的支架结构，在碗杯底部金属部分功能区中间位置固装有led芯片，然后用金属导线采用热超声键合方式将led芯片正负电极分别与对应的功能区连接在一起，再向光杯槽填充液态胶水，最后将胶水固化形成led器件。然而，现有的胶水固化方式，容易导致固化的胶水出现少胶、多胶、位置偏移等不良问题，封装效果差。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种led器件的封装方法及led器件，用于解决led器件封装效果差的问题。
2、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供一种led器件的封装方法，采用了如下所述的技术方案：
3、一种led器件的封装方法，包括下述步骤：
4、提供胶膜和具有光杯槽的led支架，所述胶膜上设有胶体；
5、将所述胶膜设置在所述led支架上，且使所述胶体位于所述光杯槽内；
6、对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层；
7、分离所述胶膜和所述led支架，得到led器件。
8、进一步地，所述熔固处理包括加热处理和第一固化却处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
9、对所述胶体进行所述加热处理，以使所述胶体与所述胶膜
10、对所述第一液态胶体进行所述第一固化处理，以在所述光杯槽内形成胶层。
11、进一步地，所述胶体的熔点温度为165～175℃；和/或，
12、所述胶膜的熔点温度为220～250℃；和/或，
13、所述加热处理的温度为165～219℃；和/或，
14、所述加热处理的时间为1～30min；和/或，
15、所述第一固化处理的温度为150～160℃；和/或，
16、所述第一固化处理的时间为30～60s。
17、进一步地，所述熔固处理为第一紫外处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
18、对所述胶体进行所述第一紫外处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，并使所述胶体在所述光杯槽内形成第二液态胶体后，使所述第二液态胶体在所述光杯槽内形成胶层；其中，所述胶体为紫外吸收材料。
19、进一步地，所述第一紫外处理的紫外线波长为340～400nm；和/或，
20、所述第一紫外处理的时间为15～30min。
21、进一步地，所述熔固处理包括第二紫外处理和第二固化处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
22、对所述胶体进行所述第二紫外处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，并使所述胶体在所述光杯槽内形成第三液态胶体；其中，所述胶体为紫外吸收材料；
23、对所述第二液态胶体进行所述第二固化处理，以在所述光杯槽内形成胶层。
24、进一步地，所述第二紫外处理的波长为340～400nm；和/或，
25、所述第二紫外处理的时间为2～5min；和/或，
26、所述第二固化处理的温度为85～155℃；和/或，
27、所述第二固化处理的时间为0.5～2h。
28、进一步地，所述紫外吸收材料选自硅胶或环氧树脂；和/或，
29、所述胶膜的材料选自丙烯酸。
30、进一步地，所述光杯槽的数量为至少一个，所述胶体的数量与所述光杯槽的数量相同。
31、为了解决上述技术问题，本申请实施例还提供一种led器件，采用了如下所述的技术方案：
32、一种led器件，利用如上所述的led器件的封装方法制得。
33、与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：通过对胶体进行熔固处理，使得固态的胶体熔化成液态的胶体，与胶膜分离且填充在光杯槽内，从而保证封装的平整度，并由于胶膜与光杯槽围合形成密闭空间，可防止液态的胶体溢出；并且，熔化处理使得液态的胶体通过凝固形成固态的胶层，与光杯槽进行结合，实现对光杯槽的封装，这样采用液-固形态转换的封装方式，可改善封装后胶层的气密性，防止液体或灰尘进入，从而提升得到的led器件的封装效果，进而提升得到的led器件的发光效果。
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1.一种LED器件的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述熔固处理包括加热处理和第一固化处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述胶体的熔点温度为165～175℃；和/或，
4.根据权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述熔固处理为第一紫外处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述第一紫外处理的紫外线波长为340～400nm；和/或，
6.根据权利要求1所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述熔固处理包括第二紫外处理以及第二固化处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
7.根据权利要求6所述
8.根据权利要求4至7中任一项所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述紫外吸收材料选自硅胶或环氧树脂；和/或，
9.根据权利要求1至7中任一项所述的LED器件的封装方法，其特征在于，所述光杯槽的数量为至少一个，所述胶体的数量与所述光杯槽的数量相同。
10.一种LED器件，其特征在于，利用如权利要求1至9中任一项所述的LED器件的封装方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种led器件的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的led器件的封装方法，其特征在于，所述熔固处理包括加热处理和第一固化处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的led器件的封装方法，其特征在于，所述胶体的熔点温度为165～175℃；和/或，
4.根据权利要求1所述的led器件的封装方法，其特征在于，所述熔固处理为第一紫外处理；所述对所述胶体进行熔固处理，以使所述胶体与所述胶膜分离，且使分离的所述胶体在所述光杯槽内形成胶层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的led器件的封装方法，其特征在于，所述第一紫外处理的紫外线波长为340～400nm；和/或，
【专利技术属性】
技术研发人员：冯飞成，何方平，谢少佳，林伟建，冀瑞文，李文佳，李成辉，刘志春，许亚玲，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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