【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示设备技术,尤其涉及一种显示装置的制备方法及显示装置。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro led)显示技术是将发光二极管结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,其尺寸仅在100微米以下的超小型发光二极管,然后将超小型发光二极管转移至电路基板上,再进行电极制备、封装等工艺形成显示装置。
2、为了简化电极布局和电路基板的布线,通常会采用共电极方案,即同一行(列)或几行(列)的发光二极管的阳极或阴极连接在一起,并连接一个共用电极焊盘。每一发光二极管的另一电极分别设置一个对应的电极焊盘。
3、通常共用电极焊盘设置于像素区域外围,其他电极焊盘设置于像素区域内。为避免micro led显示装置中共用电极焊盘与其他电极焊盘之间短路,通常在共用电极焊盘与像素区域之间会留有一圈空旷区域不做图案及电极,该空旷区域环绕包裹像素区域且的宽度远大于像素间距宽度,导致该空旷区域的强度较低,在激光剥离衬底时该空旷区域容易发生断裂,造成显示装置失效。
技术实现思路
1、本专利技
...【技术保护点】
1.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,制备发光二极管阵列基板,包括:
3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘,包括:
4.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘,包括:
5.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘之后,还包
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【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,制备发光二极管阵列基板,包括:
3.根据权利要求1所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述发光二极管阵列基板上形成第一电极焊盘和第二电极焊盘,包括:
4.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘,包括:
5.根据权利要求3所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述钝化层远离所述第一半导体层的一侧形成第一电极焊盘和第二电极焊盘之后,还包括:
6.根据权利要求3-5任一所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述发光二极管阵列基板上形成钝化层之前,还包括:
7.根据权利要求6所述的显示装置的制备方法,其特征在于,对所述发光二极管的侧壁进行侧蚀,包括:
8.根据权利要求1-5任一所述的显示装置的制备方法,其特征在于,键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板,包括:
9.根据权利要求1-5任一所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述加强结构设置有至少一个缺口,键合所述控制基板和所述发光二极管阵列基板后,由所述缺口在键合后的复合体的侧壁形成注胶口,在键合所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员:周鑫,郭佳琦,赵龙,章金惠,陈黎敏,朱丽娜,
申请(专利权)人:佛山市国星光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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