【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种SOI微型皮拉尼计,其特征在于,所述皮拉尼计的硅结构在器件层(8)上制作,硅结构主要包括厚度一致的加热结构和散热结构两部分;所述加热结构由两根呈周期梯形弯曲的加热体(5)组成;加热体(5)的梯形弯曲梯度为(2±1)°;两根加热体5通过两端的加热体锚点(6)与基底固定;所述散热结构由三部分组成:侧面两个相互对称的两侧散热体(2)和一个中间散热体梳齿(3);两侧散热体梳齿(2)、中间散热体梳齿(3)分别与加热体5)相互咬合,相互之间间距与绝缘层(9)的厚度一致,两个两侧散热体梳齿(2)通过两侧散热体锚点(1)、中间散热体梳齿(3)通过中间散热体锚点(4)固定在基底上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:苑伟政,王伟康,任森,孙小东,陈旭辉,
申请(专利权)人:西北工业大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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