一种MEMS 晶圆辅助切割的对准装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准所述晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区用于放置待对准切割的晶圆。本实用新型专利技术提供的MEMS晶圆辅助切割的对准装置先通过外围区的标记精确对准好晶圆的位置，再通过外围区的刻度线直接对准切割道进行切割，避免了现有技术中的盲切引起的器件损伤，大大提高了切割工艺的可靠性，进而提高MEMS产品的产率。

【技术实现步骤摘要】
—种MEMS晶圆辅助切割的对准装置
本技术涉及半导体制造
，涉及一种对准装置，特别是涉及一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置。
技术介绍
微机电系统(Micro-electromechanical System, MEMS )是一种基于微电子技术和未加工技术的一种高科技领域。MEMS技术克将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元。MEMS器件具有微笑、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点。MEMS技术的发展开辟了一个全新的
和产业，利用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事，物联网以及其他领域汇总都有着十分广阔的应用前景。在目前的MEMS产品中，一般包括衬底晶圆和盖帽晶圆(cap wafer)，通过键合工艺使衬底晶圆上的器件处于密闭的真空腔体内，键合工艺完成后，只能看见所述衬底晶圆和盖帽晶圆的背面，看不到晶圆上的任何器件图案和标记，这给芯片切割带来了新的挑战。传统的MEMS器件切割工艺如图1所示，所述衬底晶圆IA和盖帽晶圆2A键合之后，在所述盖帽晶圆2A的两个相邻的侧边上进行盲切使切割出5?7mm的区域，然后露出下面衬底晶圆IA的切割道并进行对准切割。由于盲切很容易切到衬底晶圆IA上的器件，导致器件被切坏，使MEMS器件的产率大大降低。因此，提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，用于解决现有技术中MEMS晶圆切割时盲切容易发生器件被切坏的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准所述晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区上放置待对准切割的晶圆。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述晶圆通过粘结层固定于所述对准板的中心区。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述粘结层为胶带。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述刻度线包括长刻度线和短刻度线。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述长刻度线与短刻度线等距间隔排列。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述长刻度线与短刻度线间的间距为1.5~2.5mm。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区的标记与晶圆边缘的刻痕形状一致。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述标记与晶圆边缘的刻痕均为V字形。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区的标记与待切割晶圆边缘对准时偏移10~15μπι。作为本技术MEMS晶圆辅助切割的对准装置的一种优化的结构，所述外围区还包括将对准板固定放置在切割机台上的缺口。如上所述，本技术的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准所述晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区用于放置待对准切割的晶圆。本技术提供的MEMS晶圆辅助切割的对准装置先通过外围区的标记精确对准好晶圆的位置，再通过外围区的刻度线直接对准切割道进行切割，避免了现有技术中的盲切引起器件损伤，大大提高了切割工艺的可靠性，进而提高MEMS产品的产率。【附图说明】图1为现有技术的MEMS器件切割工艺的盲切示意图。 图2为本技术的MEMS晶圆辅助切割的对准装置结构示意图。图3为本技术的MEMS晶圆辅助切割的对准装置中心区上贴装晶圆的结构示意图。图4为利用技术的MEMS晶圆辅助切割的对准装置上的刻度线进行对准切割的结构示意图。元件标号说明100对准板I外围区101刻度线1011 长刻度线1012短刻度线102标记103缺口2中心区3粘结层4晶圆401刻痕IA衬底晶圆2Α盖帽晶圆【具体实施方式】以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。本技术提供一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，如图2所示，所述MEMS晶圆辅助切割的对准装置至少包括一对准板100，所述对准板100包括外围区I和中心区2。所述外围区I处于所述对准板100的边缘一圈，其宽度约为27cm。所述外围区I上设置有标记102，所述标记102用于与待切割晶圆4边缘的刻痕401对准，如图3所示。当利用对准机台将该标记102与晶圆4边缘的刻痕对准时，说明待切割的晶圆4处于正确的切割位置。所述标记102与晶圆4边缘的刻痕对准时允许偏移在10?15 μ m范围内。进一步地，所述外围区I的标记102与待切割晶圆4边缘的刻痕401形状一致。本实施例中，所述外围区I的标记102与待切割晶圆4边缘的刻痕401形状均为V字形。所述外围区I还设置有缺口 103，用于将对准板100与对准机台进行固定。需要说明的是，所述对准板100的形状不限，可以是方形或八边形等，以方便在外围区I上制作刻度线101。本实施例中，所述对准板100为八边形，八边形对准板100的上、下、左和右侧的外围区I边缘用于制作刻度线101。在所述外围区I上设置有刻度线101，该刻度线在切割时对准晶圆4的切割道。作为本技术的一种优化的结构，所述刻度线101包括长刻度线1011和短刻度线1012，由于刻度线101比较密集，操作人员容易在对准时看花眼，因此设置长短不同的刻度线101可以保证切割时对准的是两侧相对应的刻度线101，避免切偏。更进一步地，所述长刻度线1011和短刻度线1012呈等距间隔排列。作为示例，所述长刻度线1011与短刻度线1012间的间距为1.5?2.5mm。本实施例中长刻度线1011与短刻度线1012的间隔为2mm。需要说明的是，根据MEMS产品的不同，使用的对准板100上的刻度线101间的间距也不相同，即每一个产品对应有一个特定的对准板100。所述中心区2用于粘贴待切割的晶圆4，优选地，在所述中心区2上覆盖一层粘结层3，本实施例中，所述粘结层3为胶带，为了辨识度更高，胶带可以为蓝色胶带。在实际工艺中采用本技术的ME本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准待切割晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区上放置待切割晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于，所述MEMS辅助切割的对准装置至少包括一对准板，所述对准板包括外围区和中心区，其中，所述外围区设置有用于对准待切割晶圆边缘刻痕的标记和用于对准晶圆切割道的刻度线；所述中心区上放置待切割晶圆。2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于:所述晶圆通过粘结层固定于所述对准板的中心区。3.根据权利要求2所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于:所述粘结层为胶带。4.根据权利要求1所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于:所述刻度线包括长刻度线和短刻度线。5.根据权利要求4所述的MEMS晶圆辅助切割的对准装置，其特征在于:所述长刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，王伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11