【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种SCM样品横断面的制备方法，包括在晶片上形成标识，确定目标样品的位置；根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面；按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。避免后续横断面的结构缺陷，同时省去了化学机械抛光过程，提高了聚焦离子束研磨形成开口后的后续工艺的可控性，提高SCM样品横断面制备效率。【专利说明】SCM样品横断面的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SCM样品横断面的制备方法。
技术介绍
扫描电容显微镜(SCM, Scanning Capacitance Microscope)通常用来检测离子注入分布区域的形貌、尺寸和特征等，可以形成空间分辨率为10?15nm、动态范围为每立方厘米Iel5tole20个原子的离子注入区域平面微分电容图像，因此SCM成为28nm以下技...
【技术保护点】
一种SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，包括： 在晶片上形成标识，以确定目标样品的位置； 根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片； 采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口； 按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面； 按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李楠，赖李龙，朱灵，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。