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本发明提供一种SCM样品横断面的制备方法，包括在晶片上形成标识，确定目标样品的位置；根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；按照第一工...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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