基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法技术

本发明专利技术提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明专利技术的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；接着再将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。本发明专利技术采用增强吸附来实现键合片的有效剥离。剥离后的表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高。

【技术实现步骤摘要】
基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法
本专利技术涉及半导体材料制备领域，特别是涉及一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。
技术介绍
绝缘体上硅（SOI）是一种在绝缘衬底上再形成一层单晶硅薄膜的结构或者是单晶硅薄膜被绝缘层（通常是SiO2）从支撑的硅衬底中分开所形成的结构，该种材料结构可使制造器件的薄膜材料与衬底材料完全隔离。在众多SOI制备技术中，氧离子注入隔离（SIMOX）技术、硅片直接键合与背面腐蚀（BESOI）技术是主导技术，采用SIMOX技术的主要优点是硅层和埋层具有好的均匀性，这是因为氧离子注入是以晶片表面作为参考面，顶层硅膜与埋层（BOX）退火时均能得到很好的均匀性，但此技术中需要高功率（中和大束流）离子注入（注氧或氮）设备和长时间高温退火，价格比较昂贵。智能剥离技术是近几年发展起来的一种新的SOI晶片制造技术，该技术建立在离子注入和键合两种技术相互结合的基础上，其独创性在于通过注H+并加热情况下形成气泡，使晶片在注入深度处发生劈裂。例如，如图1a至1c所示，对Si片11进行H+离子注入，随后Si片11和表面有SiO2层的Si片12低温键合；接着，键合片热处理，使Si片11在H原子分布的峰值处分离，其中一薄层单晶Si同Si片12键合形成SOI结构；最后，高温退火并抛光，可增强键合强度和回复顶层Si中由于H+离子注入引起的损伤，为改进表面均匀性，可用化学机械抛光。此外，剥离的Si片11可再次使用。然而，上述方式需要大剂量、高能量离子注入，由于离子注入剂量大，导致剥离后的表面均匀性差，需要进行化学机械抛光来改善表面均匀性。并且上述方法很难制备超薄绝缘体上材料。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其至少包括步骤：a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。优选地，掺杂用的材料包括C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种。优选地，超晶格结构是Si/Si1-xGex(0<x≤1)、Si1-xGex/Si1-yGey(0<x、y≤1)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN中的一种或多种混合，单晶薄膜的厚度在3nm至20nm之间。优选地，所述中间层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。优选地，所述缓冲层的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度不小于50nm。优选地，所述顶层薄膜的材料为四族元素、三五族元素、二六族元素、及氮化物中的一种，厚度大于等于5nm。优选地，离子注入剂量大于等于3E16/cm2。优选地，所述步骤c)采用等离子强化键合法来进行键合优选地，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法还包括：d)制备超薄绝缘体上材料时需对剥离后的结构进行化学腐蚀，以去除所述中间层及缓冲层。优选地，所述绝缘层为玻璃、氧化铝、二氧化钛、二氧化硅、氮化硅及氮化铝中的一种。如上所述，本专利技术的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法基于具有掺杂的超晶格结构的单晶薄膜对离子的强吸附力，在低剂量的离子注入后再与氧化片键合，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹，从而实现原子级的剥离，剥离表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高，无需化学机械抛光平整化处理。附图说明图1a至1c显示为现有技术中的绝艳体上硅的制备流程图。图2a至2f显示为本专利技术的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法的流程图。元件标号说明11、12硅片21硅衬底22单晶薄膜23Si中间层24SiGe缓冲层25Si顶层31氧化片具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图2a至2f。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图所示，本专利技术提供的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括以下步骤：第一步：在第一衬底上外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜。其中，所掺杂元素包括但不限于：C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种，所形成的超晶格结构可以是：Si/Si1-xGex(0<x≤1)、Si1-xGex/Si1-yGey(0<x、y≤1)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN中的一种或多种等，单晶薄膜的厚度优选在3nm至20nm之间。例如，在Si衬底21外延掺杂B的Si/Si1-xGex(0<x≤1)超晶格结构的单晶薄膜22，厚度为10nm，如图2a所示。第二步：在单晶薄膜表面依次外延形成中间层、缓冲层及顶层薄膜。其中，中间层的材料可以为四族元素，例如，Si、SiGe、Ge、Si1-xCx、Si1-x-yCxGey等，也可以为三五族元素，例如，AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、InP、InAs、AlGaAs等，还可以为二六族元素，例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgTe等，还可以为氮化物，例如，AlN、GaN、InN等，其厚度不小于50nm；所述缓冲层的材料可以为四族元素，例如，Si、SiGe、Ge、Si1-xCx、Si1-x-yCxGey等，也可以为三五族元素，例如，AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、InP、InAs、AlGaAs等，还可以为二六族元素，例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgTe等，还可以为氮化物，例如，AlN、GaN、InN等，其厚度不小于50nm；所述顶层薄膜的材料可以为四族元素，例如，Si、SiGe、Ge、Si1-xCx、Si1-x-yCxGey等，也可以为三五族元素，例如，AlP、AlAs、AlSb、GaP、GaAs、InP、InAs、AlGaAs等，还可以为二六族元素，例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、HgTe等，还可以为氮化物，例如，AlN、GaN、InN等，其厚度大于5nm。例如，在单晶薄膜22表面再外延Si中间层23，厚度为100nm；接着再外延SiGe缓冲层24，厚度为160nm；随后再外延Si顶层25，厚度为20nm，如图2b所示。第三步：对已形成顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括步骤：a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构进行等离子加强键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。

【技术特征摘要】
1.一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于，所述基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法至少包括步骤：a)在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜，其中，掺杂用的材料包括C、B、P、Ga、In、As、Sb中的一种或多种；b)对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；c)将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构进行等离子加强键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。2.根据权利要求1所述的基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法，其特征在于：超晶格结构是Si/Si1-xGex(0<x≤1)、Si1-xGex/Si1-yGey(0<x、y≤1)、Si/Ge、SiGe/Ge、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs、GaAs/InAs、AlN/GaN、GaN/InN中的一种或多种混合，单晶薄膜的厚度在3nm至20nm之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，陈达，狄增峰，薛忠营，魏星，王刚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31