高密封性的LED支架制造技术

本实用新型专利技术提出一种高密封性的LED支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正电极框架和负电极框架之间具有间隙，引线框架的底面凹设有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘部件，引线框架上表面包括暴露于反射凹腔的第一表面部分和被基座覆盖且至少部分未设置有镀层的第二表面部分，第二表面部分具有凹槽。该支架中，引线框架中的沟槽和间隙之间形成台阶，同时在被基座覆盖的第二表面部分至少部分地未设置有镀层并具有凹槽，都能增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度，从而提高支架密封性，增加LED封装器件的可靠性和使用寿命。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提出一种高密封性的LED支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正电极框架和负电极框架之间具有间隙，引线框架的底面凹设有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘部件，引线框架上表面包括暴露于反射凹腔的第一表面部分和被基座覆盖且至少部分未设置有镀层的第二表面部分，第二表面部分具有凹槽。该支架中，引线框架中的沟槽和间隙之间形成台阶，同时在被基座覆盖的第二表面部分至少部分地未设置有镀层并具有凹槽，都能增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度，从而提高支架密封性，增加LED封装器件的可靠性和使用寿命。【专利说明】高密封性的LED支架
本技术涉及发光器件，具体涉及一种高密封性的LED支架。
技术介绍
发光二极管器件由于具有发光效率高、体积小、无污染等特点，正被广泛应用于电视背光、图文显示屏、装饰照明等领域。随着芯片、封装胶水、支架等原物料价格的降低，芯片发光效率的不断提高，发光二极管已经开始进入商业照明、家居照明等室内照明领域。发光二极管器件通常包括支架和发光芯片，支架包括基座和引线框架，两者围成反射结构，具有一个反射凹腔，发光芯片即设于反射凹腔的底部，基座通常采用绝缘材料制成，引线框架包括正负电极。这种结构的发光二极管器件通常面临的一个大难题是密封性问题。因为，正负电极之间需要绝缘间隔，而且为提高引线框架的反光性能，通常进行电镀处理，形成光亮镀层，即使采用绝缘材料填充其间，绝缘材料与镀层之间密封效果不佳，外界的水分、氧气、杂质等沿绝缘材料与金属材料之间结合处渗入，往往该处成为渗漏的源头，使用时间一长，将导致光发芯片、金线等部件受到影响，从而导致发光二极管器件可靠性降低。
技术实现思路
有鉴于此，提供一种发光效果好、使用寿命长的高密封性的LED支架。一种高密封性的LED支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括正电极框架和负电极框架，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述引线框架的底面凹设有与间隙相通的沟槽，所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件，所述引线框架上表面包括暴露于反射凹腔的第一表面部分和被基座覆盖且至少部分未设置有镀层的第二表面部分，所述第二表面部分具有凹槽。进一步地，所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面，所述引线框架的底面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽，所述引线框架的底面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽。进一步地，所述第一侧凹槽沿着整个第一侧面方向延伸，所述第二侧凹槽沿着整个第二侧面方向延伸，所述第一侧凹槽、第二侧凹槽以及沟槽构成工字形槽。进一步地，所述基座为环氧树脂基座，所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层，所述绝缘部件及绝缘层为与基座一体成型的环氧树脂层。进一步地，所述间隙和沟槽组合的截面呈T字形。进一步地，所述沟槽的槽壁具有台阶。进一步地，所述基座与引线框架的结合的表面部分具有与凹槽相配的凸块或者是平面。进一步地，所述基座包括覆盖于引线框架第二表面部分的上基座和包覆于引线框架侧面的下基座。进一步地，所述第二表面部分中未设置有镀层的部分为环绕反射凹腔底部的环状结构，所述第二表面部分的凹槽为环绕反射凹腔底部的弧形槽。进一步地，所述引线框架为铜质框架或者铜合金框架。上述高密封性的LED支架中，引线框架底面在电极框架和负电极框架之间间隙处再设一个更宽的沟槽，沟槽与间隙之间形成台阶，增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部路线复杂度，同样地，在被基座覆盖的第二表面部分至少部分未设置有镀层并具有凹槽，同样增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度，从而提高LED支架密封性，提升采用该支架的LED封装器件的可靠性和使用寿命。【专利附图】【附图说明】图1为本技术实施例的高密封性的LED支架的立体结构的示意图。图2为本技术实施例的高密封性的LED支架的剖视结构示意图。图3为本技术实施例的高密封性的LED支架的俯视结构示意图。图4为本技术实施例的高密封性的LED支架的底视图；图5为本技术实施例的高密封性的LED支架中的引线框架立体结构示意图；图6为本技术实施例的高密封性的LED支架中的引线框架底视图；图7为本技术实施例的高密封性的LED支架中的引线框架俯视图；图8为本技术实施例的高密封性的LED支架的另一种引线框架的底视图；图9为本技术实施例的高密封性的LED支架的又一种的引线框架的底视图。【具体实施方式】以下将结合附图及【具体实施方式】对本技术进行详细说明。请参阅图1到图6，示出本技术实施例的高密封性的LED支架100，其包括引线框架2和设于引线框架2上的基座1，引线框架2和基座I限定一个反射凹腔4，引线框架2包括正电极框架21和负电极框架22，所述正电极框架21和负电极框架22之间具有间隙24，所述引线框架2的底面凹设有与间隙24相通的沟槽25，所述间隙24和沟槽25内填充有绝缘部件26。如图5所示，所述引线框架2上表面包括暴露于反射凹腔4的第一表面部分211和被基座I覆盖且至少部分未设置有镀层的第二表面部分221，如图7所示，所述第二表面部分221具有凹槽27。引线框架2的底面包括正电极框架21的底面210和负电极框架22的底面220，两个底面210、220共面。沟槽25由引线框架2的第一侧面201贯穿到与第一侧面201相对的第二侧面202，所述引线框架2的底面210、220与所述第一侧面201相交处内凹有与沟槽25相通的第一侧凹槽203，所述引线框架2的底面与所述第二侧面202相交处内凹有与沟槽25相通的第二侧凹槽204。进一步地，所述第一侧凹槽203沿着整个第一侧面201方向延伸，所述第二侧凹槽204沿着整个第二侧面202方向延伸，由此沟槽25和第一侧凹槽203、第二侧凹槽204构成工字形槽。所述间隙24和沟槽25组合的截面呈T字形。进一步地，所述沟槽25的槽壁具有台阶，以进一步提高外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。优选地，所述引线框架2为铜质框架或者铜合金框架。如图所示，沟槽25的槽宽度大于间隙24的宽度。优选地，第一表面部分211具有反光镀层，以提高反光率。优选地，被基座I覆盖的整个第二表面部分都未设置有镀层。另外，当第二表面部分的部分未设置镀层时，未设置有镀层的部分为环绕反射凹腔4底部的环状结构，主要是阻断外界水分、氧气、杂质进入支架的路径即可。基座I为环氧树脂基座，所述第一侧凹槽203和第二侧凹槽204内分别填充有绝缘层，所述绝缘部件26及绝缘层为与基座I 一体成型的环氧树脂层。基座I包括覆盖于引线框架2第二表面部分的上基座11和包覆于引线框架2侧面的下基座12。基座1、绝缘部件26及绝缘层为同样材料一体成型的结构，并且可以是与引线框架2为模压成型结构。基座I与引线框架2的结合的表面部分具有与凹槽27相配的凸块或者是平面，以进一步提高外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。如图7所不，第一表面部分211包括分别属于正电极框架21的正极第一表面部分21a和属于负电极框架22的负极第一表面部分22a，第二表面部分2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高密封性的LED支架，其包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，所述引线框架包括正电极框架和负电极框架，其特征在于，所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙，所述引线框架的底面凹设有与间隙相通的沟槽，所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件，所述引线框架上表面包括暴露于反射凹腔的第一表面部分和被基座覆盖且至少部分未设置有镀层的第二表面部分，所述第二表面部分具有凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程志坚，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44