【技术实现步骤摘要】
四(二乙氨基)锆的合成方法
本专利技术涉及化学领域中金属有机配合物的合成方法,具体的说就是用于高k值前驱体材料胺基类化合物配位的金属锆的合成方法
技术介绍
在传统的MOSFET中,栅介质材料大部分采用二氧化硅,因为SiO2具有良好的绝缘性能及稳定的二氧化硅-硅衬底界面。然而对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持良好的漏电性能。这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽带,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性。此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容。最有希望取代SiO2栅介质的高k材料主要有两大类:氮化物和金属氧化物。Si3N4的介电常数比SiO2略大,约为7。由于五价N多余的电荷和界面处键合应力引起的高缺陷密度,使得通道载流子的迁移率和驱动电流大大降低。故Si3N4不适合作为高k材料。Al2O3是非常稳定的材料,作为一种替代的高介电材料,Al2O3具有许多优良特性,满足作为高介电材料的大部分要求,如高能隙(8.9 eV),在高温下与Si之间很好的热稳定性,并且能在传统的CMOS高温热处理条件下保持非晶。但其介电常数不够大,约为9,不能很好地满足高k材料介电常数为20的期望。其他的金属氧化物如Y203、La203、TiO2和Ta2O5,热稳定性较差或漏电流较大,都不适合作为高k材料。HfO2和ZrO2等过渡金属氧化是近年来研究最为深入的栅介质材料,介电常数为25,接近期望值20。它们的禁带宽带(4.7飞eV)以及与Si间的导带偏移量(0.8~1.6eV)都满足下一代高k栅介质材料的要求。Hf ...
【技术保护点】
四(二乙氨基)锆的合成方法,其特征在于合成步骤为:(1)在惰性气氛下,按照每100克二乙胺中加入100~300毫升烷烃溶剂的比例,向三口瓶内加入二乙胺和烷烃溶剂,搅拌均匀,并将反应瓶置于‑20~‑80℃之间,按照二乙胺:正丁基锂为1.2:1~2:1的摩尔比例,向反应瓶中滴加的正丁基锂的正己烷溶液,滴加完后搅拌反应16小时;(2)按四氯化锆:二乙胺为1:5~1:8的摩尔比例,将固体四氯化锆加入到上述反应体系中,保持反应体系的温度在‑20℃到40℃之间,在加完四氯化锆后,将反应体系在惰性气体保护的条件下搅拌反应24–72小时;(3)反应结束后,一个大气压除去反应的溶剂,等溶剂完全除去后,减压蒸馏,收集120℃/0.5mmHg的馏份,即为四(二乙氨基)锆化合物。
【技术特征摘要】
1.四(二乙氨基)锆的合成方法,其特征在于合成步骤为: (1)在惰性气氛下,按照每100克二乙胺中加入100~300毫升烷烃溶剂的比例,向三口瓶内加入二乙胺和烷烃溶剂,搅拌均匀,并将反应瓶置于-20~-80°c之间,按照二乙胺:正丁基锂为1.2:1~2:1的摩尔比例,向反应瓶中滴加的正丁基锂的正己烷溶液,滴加完后搅拌反应16小时; (2)按四氯化锆:二乙胺为1:5~1:8的摩尔比例,将固体四氯化锆加入到上述反应体系中,保持反应体系的温度在_20 C到40 C之间,在加完四氣化错后,将反应体系在惰性气体保护的条件下搅拌反应24 - 72小时; (3)反应结束后,一个大气压除去反应的溶剂,等溶剂完全除去后,减压蒸馏,收集1200C /0.5mmHg的馏份,即为四(二乙氨基...
【专利技术属性】
技术研发人员:孔令宇,虞磊,潘毅,王晓晨,陆志进,安光辉,孙海龙,郑军,
申请(专利权)人:南京大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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