电路宽度变细缺陷防止装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电路宽度变细缺陷防止装置及方法，并且通过包括以下装置能够防止由于在特定部分上的过度蚀刻引起的电路宽度变细缺陷（即，电路宽度的减少）：存储装置，用于存储根据弱部分的类型分类的坝设计信息；分析装置，用于分析第一设计信息以推断弱部分的类型和位置；匹配装置，用于从存储在存储装置中的坝设计信息中提取与弱部分的类型对应的坝设计信息；以及改变装置，用于改变第一设计信息以将根据通过匹配装置提取的坝设计信息的坝增加至通过分析装置推断的弱部分的位置。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年12月31日提交的韩国专利申请第10-2012-0158336号的权益，将其全部内容结合于本申请以供参考。
本专利技术涉及一种电路宽度变细缺陷防止装置以及防止电路宽度变细缺陷的方法。
技术介绍
一种在印刷电路板领域中广泛使用的方法是盖孔法。盖孔法是一种通过如下步骤形成电路图案的方法:使用干膜等在导电层的表面上形成抗蚀剂图案、通过蚀刻去除在没有形成抗蚀剂图案的区域(即，暴露在抗蚀剂图案外部的区域)中的导电层、以及去除抗蚀剂图案，并且在许多文献(诸如专利文献I)中引入了该盖孑L法。近来，随着对电子装置的纤细化和小型化以及高性能具有逐渐增长的需求，精细图案形成在具有高度集成的薄且狭窄的区域中。同时，这些电路图案可被设计成各种形状，并且蚀刻液的流动速率可根据电路图案的设计而改变。因此，可能出现在蚀刻量方面的差异。图1是用于说明根据蚀刻液的流动速率的蚀刻量的差异的视图。参照图1，蚀刻液的流动速率在电路图案之间的间隔较宽的部分(如区域A)中相对较高，并且在电路图案之间的间隔狭窄的部分(如区域C)中相对较低。因此，在区域A中的蚀刻量相比区域C中的蚀刻量增加。此外，在电路图案之间的间隔较宽并且随后减小的部分(如区域B)中，蚀刻液的流动速率迅速增加。因此，发生电路图案的过度蚀刻。这种现象频繁地发生在由BI表示的区域中。这种过度蚀刻现象引起电路宽度的减小，即所谓的电路宽度变细缺陷。电路宽度变细缺陷引起阻抗的增加，因此引起产品性能相比设计值降级。在现有技术中，为了防止电路宽度变细缺陷，已经应用了一种整体增加或减小电路图案或垫片的宽度的方法。然而，通过整体增加电路宽度的方法，仅可以防止发生在特定区域(诸如图1的区域B)中的电路宽度变细缺陷。图2A和图2B是示出发生电路宽度变细缺陷的弱部分的视图。参照图2A和图2B，检测到由于在蚀刻液的流动速率增加的部分中的过度蚀刻而出现的电路宽度变细缺陷。根据电路宽度的减少的该电路宽度变细缺陷已经成为严重的问题。因此，急需要克服此的装置。[现有技术文献][专利文献]专利文献1:韩国专利公开第2003-0012978号
技术实现思路
为了克服上述问题，专利技术了本专利技术，并且因此，本专利技术的目的是提供电路宽度变细缺陷防止装置以及能够防止电路宽度变细缺陷的防止电路宽度变细缺陷的方法。根据实现该目的的本专利技术的一个方面，提供了一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的电路宽度变细缺陷防止装置，其包括:存储装置，用于存储根据弱部分的类型分类的坝设计信息；分析装置，用于分析第一设计信息以推断弱部分的类型和弱部分的位置；匹配装置，用于从存储在存储装置中的坝设计信息中提取与通过分析装置推断的弱部分的类型对应的坝设计信息；以及改变装置，用于改变第一设计信息以将根据通过匹配装置提取的坝设计信息的坝增加至通过分析装置推断的弱部分的位置。此时，弱部分可以是第一电路图案与邻近于第一电路图案的第二电路图案之间的位于第一电路图案上的第一弱部分。进一步地，第一弱部分可以是第一电路图案与第二电路图案之间的距离发生改变的点。进一步地，第一弱部分可以是与第二电路图案平行的位于第一电路图案上的虚线与第一电路图案之间的角度改变超过I度的点。进一步地，坝可以具有三角形形状。进一步地，坝的一侧可以与第一电路图案接触，与第一电路图案接触的该侧的一个顶点可位于第一弱部分中，并且另一个顶点可位于第一电路图案与第二电路图案之间的间隔增加的方向。进一步地，未与第一电路图案接触的坝的至少一侧可与第二电路图案平行。进一步地，弱部分可以是在第一电路图案与邻近于第一电路图案的垫片之间的位于第一电路图案上的第二弱部分。进一步地，第二弱部分可以是第一电路图案与垫片之间的距离为最小的点。进一步地，坝可以具有半圆形形状。进一步地，坝的一侧可与第一电路图案接触，弧形部分可面向垫片，并且与第一电路图案接触的一侧的一个顶点可以由位于第二弱部分中的至少两个半圆组成。根据实现本目的的本专利技术的另一方面，提供了一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的防止电路宽度变细缺陷的方法，其包括:弱部分分析步骤，分析第一设计信息以推断弱部分的类型和弱部分的位置；坝匹配步骤，提取与在弱部分分析步骤中推断的弱部分的类型对应的坝设计信息；以及设计信息改变步骤，改变第一设计信息以将在坝匹配步骤中提取的坝设计信息增加至在弱部分分析步骤中推断的弱部分的位置。【附图说明】从以下结合附图进行的实施方式的描述中，本专利技术的总体专利技术构思的这些和/或其他方面以及优势将会变得显而易见和更易于理解，其中:图1是用于说明根据蚀刻液的流动速率的蚀刻量方面的差异的视图；图2A和图2B是示出出现电路宽度变细缺陷的弱部分的视图；图3是示意性示出根据本专利技术的实施方式的电路宽度变细缺陷防止装置的视图；图4是示意性示出根据本专利技术的实施方式的防止电路宽度变细缺陷的方法的视图；图5A至图5C是用于说明发生电路宽度变细缺陷的情况和弱部分的视图；图6A和图6B是示意性示出所设置的根据本专利技术的实施方式的用于防止电路宽度变细缺陷的坝(dam)的形状的视图；以及图7A至图7C是示意性示出在出现电路宽度变细缺陷的每种情况下的弱部分和所设置的匹配坝的形状的视图。【具体实施方式】通过参照以下结合附图详细描述的实施方式，本专利技术以及实现本专利技术的方法的优势和特征将会显而易见。然而，本专利技术不限于以下公开的实施方式并且可以各种不同的形式来实施。提供这些实施方式仅为了完成本专利技术的公开以及向本领域技术人员完整地表示本专利技术的范围。贯穿本说明书，相同的附图标记表示相同的元件。本文中使用的术语是用于说明实施方式，而不是限制本专利技术。贯穿该说明书，除非上下文明确地指出，否则单数形式包括复数形式，除了上面提及的部件、步骤、操作和/或装置之外，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”不排除另一个部件、步骤、操作和/或装置的存在和添加。为了说明的简便和清晰，附图示出了构造的一般形式，并且可以省略已知的特征和技术的描述和细节，以避免不必要地使本专利技术的描述的实施方式的讨论变得晦涩。此外，在附图中的元件没必要按比例绘制。例如，在附图中的一些元件的尺寸可相对于其他元件放大，以帮助提高对本专利技术的实施方式的理解。在不同附图中的相同附图标记表示相同的元件。在说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果有的话)是用于区分相似的元件，并且没必要用于描述特定的连续的或时间的顺序。应当理解，在合适的情况下，如此使用的术语可互换，因此，例如，本文中描述的本专利技术的实施方式能够按顺序而不是在本文中示出的或不然描述的那些来操作。类似地，如果在本文中方法被描述为包括一系列步骤，如本文中呈现的这些步骤的顺序没必要是可以执行这些步骤的唯一的顺序，并且某些特定步骤可以被省略和/或本文中未描述的某些其他步骤可被添加至该方法。此外，术语“包含”、“包括”、“具有”和其任何变形，旨在覆盖非排他的包含，因此，包含一组元件的工艺、方法、物件或设备没必要限于那些元件，而是可包括未明确列出的或对这些工艺、方法、物件或设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的电路宽度变细缺陷防止装置，包括：存储装置，用于存储根据所述弱部分的类型分类的坝设计信息；分析装置，用于分析所述第一设计信息以推断所述弱部分的所述类型和所述弱部分的位置；匹配装置，用于从存储在所述存储装置中的所述坝设计信息中提取与通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述类型对应的所述坝设计信息；以及改变装置，用于改变所述第一设计信息以将根据由所述匹配装置提取的所述坝设计信息的坝增加至通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述位置。

【技术特征摘要】
2012.12.31 KR 10-2012-01583361.一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的电路宽度变细缺陷防止装置，包括: 存储装置，用于存储根据所述弱部分的类型分类的坝设计信息； 分析装置，用于分析所述第一设计信息以推断所述弱部分的所述类型和所述弱部分的位置； 匹配装置，用于从存储在所述存储装置中的所述坝设计信息中提取与通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述类型对应的所述坝设计信息；以及 改变装置，用于改变所述第一设计信息以将根据由所述匹配装置提取的所述坝设计信息的坝增加至通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述位置。2.根据权利要求1所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，所述弱部分是在第一电路图案与邻近于所述第一电路图案的第二电路图案之间的位于第一电路图案上的第一弱部分。3.根据权利要求2所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，所述第一弱部分是所述第一电路图案与所述第二电路图案之间的距离发生改变的点。4.根据权利要求3所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，所述第一弱部分是平行于所述第二电路图案的位于所述第一电路图案上的虚拟线与所述第一电路图案之间的角度改变超过I度的点。5.根据权利要求2所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，所述坝具有三角形形状。6.根据权利要求5所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，所述坝的一侧与所述第一电路图案接触，与所述第一电路图案接触的所述侧的一个顶点位于所述第一弱部分，并且另一个顶点位于所述第一电路图案与所述第二电路图案之间的间隔增加的方向上。7.根据权利要求6所述的电路宽度变细缺陷防止装置，其中，未与所述第一电路图案接触的...

【专利技术属性】
技术研发人员：成定庆，丘奉完，赵元佑，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR