研磨设备和研磨方法技术

一种研磨设备，该研磨设备（100）包括：保持台（4），该保持台（4）保持基板（W）的后表面的中心部分；马达（M1），该马达（M1）旋转该保持台（4）；前表面喷嘴（36），该前表面喷嘴（36）将冲洗液馈送至基板（W）的前表面；后表面喷嘴（37），该后表面喷嘴（37）将冲洗液馈送至基板（W）的后表面；冲洗液控制部分（110），在通过前表面喷嘴（36）的冲洗液的馈送开始后经过预设时间之后，该冲洗液控制部分（110）通过后表面喷嘴（37）馈送冲洗液；和研磨头组合体（1A），在冲洗液控制部分（110）将冲洗液馈送至该基板（W）之后，该研磨头组合体（1A）研磨安装在保持台（4）上的基板（W）的外周部分。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种研磨设备，该研磨设备（100）包括：保持台（4），该保持台（4）保持基板（W）的后表面的中心部分；马达（M1），该马达（M1）旋转该保持台（4）；前表面喷嘴（36），该前表面喷嘴（36）将冲洗液馈送至基板（W）的前表面；后表面喷嘴（37），该后表面喷嘴（37）将冲洗液馈送至基板（W）的后表面；冲洗液控制部分（110），在通过前表面喷嘴（36）的冲洗液的馈送开始后经过预设时间之后，该冲洗液控制部分（110）通过后表面喷嘴（37）馈送冲洗液；和研磨头组合体（1A），在冲洗液控制部分（110）将冲洗液馈送至该基板（W）之后，该研磨头组合体（1A）研磨安装在保持台（4）上的基板（W）的外周部分。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
考虑到改善半导体制作中的成品率，就会关注到例如硅片的基板的外周部分的表面状态的管理。亦即，在半导体制作步骤中，许多材料沉积在基板的前表面(装置表面)上以形成装置。然而，在制作步骤中，多余的薄膜或者粗糙表面可能形成在基板的外周部分中。此外，近年来，用于运送其外周部分由臂部保持的基板的方法已经通用了。在这种背景下，当执行各种步骤时，残留在外周部分中的多余的薄膜可能从装置上剥落并附着到装置上，从而导致成品率减少。因此，研磨设备通常用于研磨基板的外周部分以去除多余的薄膜或者粗糙表面。通过例如将基板的后表面的中心部分吸附至台以支撑中心部分，并且在使台旋转同时将研磨带、磨石等等按压抵靠基板的外周部分，基板的外周部分被研磨。更具体地说，基板的外周部分通过首先以例如纯水的冲洗液(研磨液)涂敷基板的前表面和后表面而被大致的研磨，在基板的前表面和后表面涂敷有冲洗液后，将研磨带、磨石等等按压抵靠该外周部分。在这种情况下，在使台旋转的同时，通过经由前表面冲洗喷嘴馈送冲洗液和经由后表面冲洗喷嘴馈送冲洗液来执行冲洗液的涂敷，其中，前表面冲洗喷嘴设置成与基板的前表面相对，后表面冲洗喷嘴设置成与基板的后表面相对。馈送至基板的前表面和后表面的冲洗液通过离心力朝向基板的外周部分流动，该离心力由基板的旋转引起。因此，基板的前表面和后表面涂敷有冲洗液。引用列表专利文献专利文献1:日本特开专利公报N0.2011-161625然而，常规方法不能考虑到基板的后表面的颗粒环绕流动至基板的前表面的可能性。亦即，常规方法同时地通过前表面冲洗喷嘴和后表面冲洗喷嘴馈送冲洗液。在基板的前表面侧，冲洗液馈送至基板的前表面的中心部分，然后朝向基板的外周部分流动。与此相反，在基板的后表面侧，基板的后表面的中心部分保持在台上，因此冲洗液馈送至边界部分(台的外周部分)，该边界部分位于基板的保持在台上的后表面的区域和基板的未保持在台上的后表面的区域之间。从该边界部分，冲洗液朝向基板的外周部分流动。因此，后表面的冲洗液可能比前表面先到达基板的外周部分，然后环绕流动至前表面侧。因此，附着到基板的后表面的颗粒可能随着后表面冲洗液冲离，并且环绕流动至基板的前表面侧。因此，颗粒可能污染形成有装置的基板的前表面。因此，本专利技术的目的是抑制基板的后表面上的颗粒环绕流动至基板的前表面。
技术实现思路
考虑到这个目的，实施例的一个方面是提供一种用于研磨基板的研磨方法，包括:使台旋转，基板保持在台上；将液体馈送至基板的第一表面，所述基板的第一表面未保持在台上；在液体开始馈送至基板的第一表面起经过预设时间之后，开始将液体馈送至基板的第二表面，基板的第二表面保持在台上；并且在液体馈送至基板的第一表面和第二表面之后，研磨基板的外周部分。此外，馈送液体包括:在液体开始馈送至基板的第一表面起经过预设时间之后，将液体馈送至基板的的第二表面，第二表面保持在台上，从而在馈送至基板的第二表面的液体通过离心力到达基板的外周部分之前，馈送至基板的第一表面的液体通过离心力到达基板的外周部分。此外，使台旋转是可以包括:利用基板的第二表面的中心使台旋转，第二表面保持在台上此外，将液体馈送至基板的第一表面可以包括:将液体馈送至基板的第一表面的中心部分，并且将液体馈送至基板的第二表面可以包括:将液体馈送至边界部分，该边界部分位于基板的第二表面的保持在台上的区域和基板的第二表面的未保持在台上的区域之间。此外，本实施例的一个方面提供了一种用于研磨基板的研磨方法，包括:使台旋转，基板保持在该台上；开始将液体馈送至基板的第一表面，基板的第一表面未保持在台上；将液体馈送至基板的第一表面，并且将液体以比馈送至基板的第一表面低的单位时间流速馈送至基板的第二表面；并且在液体馈送至基板的第一表面和第二表面之后，研磨基板的外周部分。此外，馈送液体可以包括:将液体馈送至基板的第一表面，并且将液体以比馈送至基板的第一表面低的单位时间流速馈送至基板的第二表面，从而在馈送至基板的第二表面的液体通过离心力到达基板的外周部分之前，馈送至基板的第一表面的液体通过离心力到达基板的外周部分。此外，本实施例的一个方面提供了一种用于研磨基板的研磨设备，包括:保持该基板的台；使台旋转的驱动部分；第一喷嘴，该第一喷嘴将液体馈送至基板的第一表面，第一表面未保持在台上；第二喷嘴，该第二喷嘴将液体馈送至基板的第二表面，第二表面保持在台上；控制部分，在通过第一喷嘴的液体开始馈送起经过预设时间之后，该控制部分通过第二喷嘴馈送液体；和研磨部分，在控制部分将液体馈送至基板的第一表面和第二表面之后，该研磨部分研磨保持在台上的基板的外周部分。此外，在通过第一喷嘴的液体的馈送开始后经过预设时间之后，该控制部分可以开始通过第二喷嘴馈送液体，从而在馈送至基板的第二表面的液体通过离心力到达基板的外周部分之前，馈送至基板的第一表面的液体通过离心力到达基板的外周部分。此外，该台被构造成保持基板的第二表面的中心，第一喷嘴被构造成将液体馈送至基板的第一表面的中心部分，并且第二喷嘴被构造成将液体馈送至边界部分，该边界部分位于基板的第二表面的保持在台上的区域和基板的第二表面的未保持在台上的区域之间。此外，该液体可以是用于研磨基板的冲洗液。此外，本实施例的一个方面提供了一种用于研磨基板的研磨设备，包括:保持该基板的台；使台旋转的驱动部分；第一喷嘴，该第一喷嘴将液体馈送至基板的第一表面，第一表面未保持在台上；第二喷嘴，该第二喷嘴将液体馈送至基板的第二表面，第二表面保持在台上；控制部分，该控制部分通过第一喷嘴馈送液体，并且以比馈送至基板的第一表面低的单位时间流速通过第二喷嘴馈送液体；和研磨部分，在控制部分将液体馈送至基板的第一表面和第二表面之后，该研磨部分研磨保持在台上的基板的外周部分。此外，控制部分可以通过第一喷嘴馈送液体，并且以比馈送至基板的第一表面低的单位时间流速通过第二喷嘴馈送液体，从而在馈送至基板的第二表面的液体通过离心力到达基板的外周部分之前，馈送至基板的第一表面的液体通过离心力到达基板的外周部分。本专利技术可以抑制基板的后表面上的颗粒环绕流动至基板的前表面。【专利附图】【附图说明】图1是根据实施例的研磨设备的平面图；图2是根据本实施例的研磨设备的竖直截面图；图3是研磨头的放大图；图4是显示基板的外周部分的放大截面图；图5是示意性地显示比较例中的冲洗液的馈送的简图；图6是根据本实施例的研磨方法的流程图；图7是示意性地显示根据本实施例的通过冲洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于研磨基板的研磨方法，其特征在于，包括：使台旋转，所述基板保持在所述台上；将液体馈送至所述基板的第一表面，所述基板的第一表面未保持在所述台上；在所述液体开始馈送至所述基板的所述第一表面起经过预定时间之后，将所述液体馈送至所述基板的第二表面，所述基板的第二表面保持在所述台上；和研磨所述基板的外周部分，并且所述液体被馈送至所述基板的所述第一表面和所述第二表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中西正行，小寺健治，谷中伸拓，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP