位置检测器制造技术

本发明专利技术公开了一种位置检测器，其具有以可运动的方式设置在模具（9）上在第一磁通传输部件（20）和第二磁通传输部件（30）之间的间隙（101）中以根据穿过其中的磁通密度输出信号的霍尔IC（60）。霍尔IC相对于旋转体（12）的运动被霍尔IC（60）检测到。霍尔IC具有第一磁通收集器（70）和第二磁通收集器（80）。第一磁通收集器和第一磁通传输部件之间的第一磁路（M1）的磁阻以及第二磁通收集器和第二磁通传输部件之间的第二磁路（M2）的磁阻构造为使得霍尔IC相对于旋转体在其中磁通密度减小至最小的预定径向距离处可运动。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种位置检测器，其具有以可运动的方式设置在模具（9）上在第一磁通传输部件（20）和第二磁通传输部件（30）之间的间隙（101）中以根据穿过其中的磁通密度输出信号的霍尔IC（60）。霍尔IC相对于旋转体（12）的运动被霍尔IC（60）检测到。霍尔IC具有第一磁通收集器（70）和第二磁通收集器（80）。第一磁通收集器和第一磁通传输部件之间的第一磁路（M1）的磁阻以及第二磁通收集器和第二磁通传输部件之间的第二磁路（M2）的磁阻构造为使得霍尔IC相对于旋转体在其中磁通密度减小至最小的预定径向距离处可运动。【专利说明】位置检测器
本专利技术整体涉及一种用于检测检测对象的位置的位置检测器。
技术介绍
一般来说，磁力式位置检测器检测检测对象的位置相对于参照部件的变化。磁力式位置检测器可利用诸如磁体的磁通产生器。例如，在专利文献I (即，日本专利特开N0.JP-A-H08-292004)中公开的位置检测器被构造为形成具有设置在参照部件上的两个磁通传输部件和两个磁体的闭合磁路。在这种结构中，两个磁体分别由两个互相面对的磁通传输部件的端部束缚。在两个磁通传输部件的各自端部之间的间隙内发生从一个传输部件至另一个传输部件的溢磁通(spill magnetic flux)流。磁通密度检测器被构造为在两个磁通传输部件之间的间隙内与检测对象一起运动，并根据从中穿过的磁通输出检测信号。按照这种方式，位置检测器基于从磁通检测器输出的输出信号检测检测对象相对于参照部件的位置。在专利文献I中，将位置检测器描述为能够检测相对于参照部件旋转的检测对象的旋转位置(参见所述专利文献中的图8)。位置检测器具有形成为沿着以检测对象的旋转轴线为中心的虚拟圆延伸的两个磁通传输部件。此外，位置检测器布置有两个轭，轭设置为沿着虚拟圆的径向束缚磁通密度检测器或将其夹在中间，以将磁通流集中到所述两个磁通传输部件之间的磁通密度检测器。在这种情况下,两个轭的每个具有面对对应的磁通传输部件的面。每个对应的磁通传输部件具有平面形状。此外，所述两个磁通传输部件之一的面对轭的面具有凸状，而所述两个磁通传输部件的另一个的面对轭的面具有凹状。因此，当磁通密度检测器布置在两个磁通传输部件之间的中点时，两个磁路中的导磁性不同，也就是说，(i)从一个传输部件至轭的磁路和(ii)从另一传输部件至轭的磁路之间的导磁性不同。在这种构造中，在两个磁通传输部件之间的间隙中沿着虚拟圆的径向磁通密度降低至最小的最小磁通位置沿着径向从磁通密度检测器的位置移开。结果，根据密度检测器沿着虚拟圆径向的移动，磁通密度在密度检测器的附近的变化增大。因此，由于密度检测器沿着虚拟圆的径向的移动，来自密度检测器的输出信号的变化会增大。因此，知道针对密度检测器的位移，位置检测器的稳健性会变差。也就是说，换句话说，在专利文献I的位置检测器中，用于检测检测对象的位置的位置检测精度会变差。
技术实现思路
本专利技术的一方面是提供一种具有提高的位置检测精度的具有磁通密度检测部分的位置检测器。在本专利技术的一方面，所述位置检测器检测相对于参照部件(位置检测器)运动的检测对象的位置。所述位置检测器包括第一磁通传输部件，其设置在检测对象或参照部件之一上，第一磁通传输部件具有第一端、第二端，并且具有沿着与检测对象的旋转轴线同心的第一虚拟圆延伸的形状。所述位置检测器还包括第二磁通传输部件，其设置为在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间限定间隙，第二磁通传输部件具有第一端、第二端，以及具有沿着与第一虚拟圆同心并且半径大于第一虚拟圆的第二虚拟圆延伸的形状。第一磁通产生器设置在第一磁通传输部件的第一端和第二磁通传输部件的第一端之间的位置。第二磁通产生器设置在第一磁通传输部件的第二端和第二磁通传输部件的第二端之间的位置。磁通密度检测器(i)设置在检测对象或参照部件的另一个上以在间隙中相对于所述检测对象或参照部件之一可运动，并且(ii)根据穿过磁通密度检测器的磁通的密度输出信号。第一磁通收集器设置在磁通密度检测器的一侧上并面对第一磁通传输部件；并且第二磁通收集器设置在磁通密度检测器的另一侧上并面对第二磁通传输部件，其设置方式是，将磁通密度检测器束缚在第一磁通收集器和第二磁通收集器之间。限定在第一磁通收集器和第一磁通传输部件之间的第一磁路的磁阻和限定在第二磁通收集器和第二磁通传输部件之间的第二磁路的磁阻分别被构造为使得磁通密度检测器在间隙中相对于检测对象或参照部件之一沿着其中检测到的磁通密度减小至最小的且半径在第一虚拟圆的半径和第二虚拟圆的半径之间的圆形路径可运动。此外，第一磁通收集器形成为使得(i)面对第一磁通传输部件的面和(ii)包括第一虚拟圆的虚拟平面之间的交叉部分具有直线形状。第二磁通收集器形成为使得(i)面对第二磁通传输部件的面和(ii)所述虚拟平面之间的交叉部分具有直线形状。磁通密度检测器设置在从第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间的中点朝着第二磁通传输部件沿着第一虚拟圆的径向偏移预定偏移距离的位置。此外，第一磁通收集器形成为使得(i )面对第一磁通传输部件的面和(ii )包括第一虚拟圆的虚拟平面之间的交叉部分具有沿着与第一虚拟圆同心并且半径大于第一虚拟圆且小于第二虚拟圆的第三虚拟圆延伸的形状。第二磁通收集器形成为使得(i)面对第二磁通传输部件的面和(ii)所述虚拟平面之间的交叉部分具有沿着与第一虚拟圆同心并且半径大于第三虚拟圆且小于第二虚拟圆的第四虚拟圆延伸的形状。磁通密度检测器设置在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间的中点。换句话说，位置检测器检测相对于参照部件旋转的检测对象的旋转位置。位置检测器包括第一磁通传输部件、第二磁通传输部件、第一磁通产生器、第二磁通产生器、磁通密度检测器、第一磁通收集器和第二磁通收集器。第一磁通传输部件设置在检测对象和参照部件之一上。第一磁通传输部件形成为沿着以检测对象的旋转轴线为中心的第一虚拟圆延伸的形状。第二磁通传输部件设置在检测对象或参照部件之一上，以使得在第一和第二磁通传输部件之间的位置形成间隙。第二磁通传输部件形成为沿着与第一虚拟圆同轴地布置并且半径大于第一虚拟圆的第二虚拟圆延伸的形状。第一磁通产生器设置在第一磁通传输部件的第一端和第二磁通传输部件的第一端之间的位置。因此，由第一磁通产生器产生的磁通从第一和第二磁通传输部件的第一端传输至第一和第二磁通传输部件的第二端。第二磁通产生器设置在第一磁通传输部件的第二端和第二磁通传输部件的第二端之间的位置。因此，由第二磁通产生器产生的磁通从第一和第二磁通传输部件的第二端传输至第一和第二磁通传输部件的一端。磁通密度检测器设置在检测对象或参照部件之一上，以使得检测器相对于检测对象或参照部件的另一个在第一和第二磁通传输部件之间的间隙中可运动。磁通密度检测器根据穿过所述密度检测器的磁通密度输出信号。在所述结构中，穿过磁通密度检测器的磁通主要是流动通过第一和第二磁通传输部件之间的间隙从所述两个传输部件之一到达另一个的溢磁通(即，从第一部分流至第二部分或从第二部分流至第一部分的磁通)。通过设计上述构造，位置检测器能够基于磁通密度检测器输出的信号检测检测对象相对于参照部件的位置。第一磁通收集器设置在密度检测器的靠近第一磁通传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测相对于参照部件（6、9）运动的检测对象（12）的位置的位置检测器（10），所述位置检测器（10）包括：第一磁通传输部件（20），设置在检测对象或参照部件中的一个上，第一磁通传输部件具有第一端（22）、第二端（23），并且具有沿着与检测对象的旋转轴线同心的第一虚拟圆（C1）延伸的形状；第二磁通传输部件（30），设置为在第一磁通传输部件和第二磁通传输部件之间限定间隙（101），第二磁通传输部件具有第一端（32）、第二端（33），以及具有沿着与第一虚拟圆同心并且半径大于第一虚拟圆的第二虚拟圆（C2）延伸的形状；第一磁通产生器（40），设置在第一磁通传输部件的第一端和第二磁通传输部件的第一端之间的位置；第二磁通产生器（50），设置在第一磁通传输部件的第二端和第二磁通传输部件的第二端之间的位置；磁通密度检测器（60），（i）设置在检测对象或参照部件中的另一个上以在间隙中相对于所述检测对象或参照部件中的所述一个可运动，并且（ii）根据穿过磁通密度检测器的磁通的密度输出信号；第一磁通收集器（70），设置在磁通密度检测器的一侧上并面对第一磁通传输部件；以及第二磁通收集器（80），设置在磁通密度检测器的另一侧上并面对第二磁通传输部件，其设置方式是，将磁通密度检测器束缚在第一磁通收集器和第二磁通收集器之间，其中，限定在第一磁通收集器和第一磁通传输部件之间的第一磁路（M1）的磁阻以及限定在第二磁通收集器和第二磁通传输部件之间的第二磁路（M2）的磁阻分别被构造为使得磁通密度检测器在间隙中相对于检测对象或参照部件之一沿着具有其中检测到的磁通密度减小至最小的且半径在第一虚拟圆（C1）的半径和第二虚拟圆（C2）的半径之间的圆形路径可运动。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野尚明，山中哲尔，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP