发光二极管封装结构、其围墙结构及围墙结构的制造方法技术

一种发光二极管封装结构、其围墙结构及围墙结构的制造方法，发光二极管封装结构包括一设有多个发光二极管的承载板体、一第一胶层、一第二胶层及一填于该第一和第二胶层内的封装胶体。第一胶层涂布于该承载板体的顶面，呈层状且具有大致平坦的顶面。第二胶层叠设于该第一胶层上。其中该第二胶层的高度大于该第一胶层的高度，该第二胶层的体积大于等于该第一胶层的体积。本发明专利技术还提供一种发光二极管封装结构的围墙结构的制造方法，以稳定地产出形状均一的围墙结构，并且产出高瘦（高宽比，height/width ratio）的围墙。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，发光二极管封装结构包括一设有多个发光二极管的承载板体、一第一胶层、一第二胶层及一填于该第一和第二胶层内的封装胶体。第一胶层涂布于该承载板体的顶面，呈层状且具有大致平坦的顶面。第二胶层叠设于该第一胶层上。其中该第二胶层的高度大于该第一胶层的高度，该第二胶层的体积大于等于该第一胶层的体积。本专利技术还提供一种发光二极管封装结构的围墙结构的制造方法，以稳定地产出形状均一的围墙结构，并且产出高瘦（高宽比，height/width?ratio）的围墙。【专利说明】
本专利技术涉及一种发光二极管封装结构、其围墙结构、及其围墙的制造方法，特别是指一种在基板顶面设有多个LED芯片，并具有围墙结构以圈住封装胶体于其内的发光二极管封装结构，以及围墙结构的制造方法。
技术介绍
由于发光二极管(LED)技术的进步，加上相关周边集成电路控制元件及散热技术的日渐成熟，使得LED的应用日渐多元化。如图1所示，现有技术已发展一种发光二极管封装结构，其包括一承载板体9、多个LED芯片92设于该承载板体9顶面、及一围墙(dam) 94环绕所述多个LED芯片92。承载板体9包括可导电的基板90、绝缘层(Dielectric layer)D及线路层91。芯片92大部分是用金线921、922以打线(wire bonding)的方式连于两侧的线路层91。围墙94为一围绕所述多个LED芯片的白色框体，中间再填入封装树脂(图略)。现有采用的围墙有的是通过一模制成型(molding)的方式来制作，此种方式需要配合模具来成型围墙，导致制作成本增加。当白色框体的形状需要改变时，模具的形状也要跟着改变。因此，此种现有使用的模制成型来制作围墙时，在变化上比较没有弹性。另一种现有技术是利用点胶机(dispenser)供应胶材并围绕一圈在所述多个LED芯片92的外围，然后经过固化(curing)程序，以完成围墙结构94。此种方式的围墙94外观常有不良状况，特别是在围墙结构94的起点与终点的连接处容易发生突起，往往造成胶面不均匀，颜色均匀性不佳的问题。因而影响大量制作时形状不均一的问题。再者，由于受限于胶材材料特性，例如选用摇变系数(Thixotropic Index,又称触变系数、触变指数)为3.5的胶材，现有围墙结构94的高宽比(如图所示，高度h /宽度w)通常小于0.8，大体位于0.6至0.7，亦即外观较低而宽，造成围墙94内可置放的LED芯片92数量较少，而影响整体的设计。此外，外观较低而宽的围墙结构94容易压到金线而产生漏电风险。如图1右边的金线921容易被围墙94所压到。此外，在灯具应用时，LED封装结构通常会加上二次光学的透镜来改变出光光形。为此目的，设计者在设计为围墙外径时，需要将“围墙的外径规格接近光学透镜的内径规格”的条件因素考虑进来。因此，当围墙结构的外径过大时，除了会影响发光区域内的置放的LED芯片数外，也使得灯具制造商无法对此LED封装结构直接套上一般规格的二次光学透镜。因此，本专利技术人有感上述问题，而提出一种设计合理且有效改善上述问题的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，在于提供一种发光二极管封装结构，其改善现有围墙容易产生不平整外观的问题，并且具有高瘦(较大的高宽比，height/width ratio)的围墙，以减少因围墙矮胖而容易压到金线的机率，并减少占用承载板体面积，藉此使发光区域变大，并方便灯具制造商对该发光二极管封装结构外加二次光学的透镜。本专利技术所要解决的技术问题，还在于提供一种发光二极管封装结构的围墙的制造方法，可以稳定地产出形状均一的围墙结构，并且产出高瘦(较大的高宽比，height/widthratio)的围墙。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种发光二极管封装结构，包括:—承载板体；至少一发光二极管，设置于该承载板体上；一围墙结构，设置于该承载板体的顶面，且围绕所述至少一发光二极管，该围墙结构包含:一第一胶层；及—第二胶层，设于该第一胶层上，该第二胶层的高度大于该第一胶层的高度，且该第二胶层的体积大于等于该第一胶层的体积；以及一封装胶体，设置于该围墙结构内，以封装该发光二极管。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种发光二极管封装结构的围墙结构的制造方法，适用于一发光二极管封装结构，该围墙结构包含第一胶层和第二胶层，该围墙结构的制造方法包括下列步骤:设定一点胶机的点胶针头以一第一出胶高度及一第一出胶压力于一承载板体的顶面涂布一第一胶层；以及利用该点胶机的点胶针头以一第二出胶高度及一第二出胶压力于该第一胶层上涂布一第二胶层；其中该第二出胶高度大于该第一出胶高度，该第二出胶压力大于该第一出胶压力，该第二胶层的体积大于等于该第一胶层的体积。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的其中一种方案，提供一种利用上述的围墙结构的制造方法所制得的围墙结构。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术利用点胶(dispensing)替代模制成型(molding)，免除了模具的使用，降低制造成本；此外，本专利技术搭配两次点胶的方式，可简单制得并稳定产出均一性高的围墙结构，避免因围墙结构外观不良而影响LED封装结构的整体合格率。再者，本专利技术的二层式的围墙结构可以制作较为高瘦(较大的高宽比，height/width ratio)的围墙,一面可以减少压到金线的机率,另一面减少占用承载板体面积而增加功能区以供置放更多的芯片。为了能更进一步了解本专利技术为达成既定目的所采取的技术、方法及功效，请参阅以下有关本专利技术的详细说明、图式，相信本专利技术的目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体的了解，然而附图与附件仅提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。【专利附图】【附图说明】图1为现有发光二极管封装结构的剖视图。图2为本专利技术的发光二极管封装结构的平面图。图2A为本专利技术的发光二极管封装结构涂布第一胶层的示意图。图2B为本专利技术的发光二极管封装结构涂布缓第二胶层的示意图。图3为本专利技术的围墙制造方法的前置预备程序的流程图。图3A为本专利技术的发光二极管封装结构的第一种制造方法的流程图。图3B为本专利技术的发光二极管封装结构的第二种制造方法的流程图。图4为本专利技术的围墙制造方法的后置涂布程序的流程图。图5A为本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构涂布第一胶层的示意图。图5B为本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构涂布第二胶层的示意图。图6为本专利技术的发光二极管封装结构完成后的剖面示意图。图7A至7B为依本专利技术的双层围墙制造方法实验的剖视示意图。图8A至SC为依现有单层围墙涂布流程实验的剖视示意图。其中，附图标记说明如下:承载板体10、IOa基板11线路层12、12a沟槽120发光二极管14导线142围墙结构2O第一胶层21第二胶层22点胶机30封装胶体40宽度w、wl、w2高度11、111、112、1121、1^1-!1、1^2-!1承载板体9基板90线路层91LED 芯片 92围墙M导线921、922绝缘层D【具体实施方式】请参阅图2，为本专利技术的发光二极管封装结构的平面图。本专利技术的发光发二极管封装结构包括承载板体10及多个设于该承载板体10上的发光二极管14，发光二极管14以导线142 (如金线、合金线等)彼此连接并连接于线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：一承载板体；至少一发光二极管，设置于该承载板体上；一围墙结构，设置于该承载板体的顶面，且围绕所述至少一发光二极管，该围墙结构包含：一第一胶层；及一第二胶层，设于该第一胶层上，该第二胶层的高度大于该第一胶层的高度，且该第二胶层的体积大于等于该第一胶层的体积；以及一封装胶体，设置于该围墙结构内，以封装该发光二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱国铭，
申请(专利权)人：光宝电子广州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44