发光二极管封装结构制造技术

一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的一侧凸伸出的接触部，所述第一电极、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极、第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。在本发明专利技术中所述第一电极、第二电极与反射杯结合得更紧密，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装结构
本专利技术涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管的封装结构。
技术介绍
发光二极管(lightemittingdiode，LED)作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛运用于各种领域。在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。发光二极管封装结构通常分为侧面发光型发光二极管(side-viewlightemittingdiode)封装结构和顶部发光型发光二极管(top-viewlightemittingdiode)封装结构。顶部发光型发光二极管(top-viewlightemittingdiode)封装结构的电极一般设置于封装结构的底部，与顶部型发光二极管封装结构不同的是，侧面发光型发光二极管的电极位于其侧壁上，这能有效降低整个封装结构的整体厚度，因而侧面发光型发光二极管被广泛运用于显示成像领域，特别是在背光模组中侧面发光型发光二极管常作为背光模组的背光源使用以减小整个背光设备的厚度。然而，一般的侧面发光型发光二极管封装结构通常在反射杯成型之后将电极直接贴设于反射杯的底面以及侧面上，电极与反射杯的结合不紧密，侧面发光型发光二极管封装结构的密合度不佳，电极在使用过程中容易松动或脱落。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种密合度较佳的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的同一侧凸伸出的接触部，所述第一电极、第二电极的本体部嵌置于所述反射杯内，所述第一电极、第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。在本专利技术中所述第一电极、第二电极与反射杯结合得更紧密，有效提升了发光二极管封装结构的密合度。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1是本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。图2是图1中所示发光二极管封装结构沿II-II线的剖视示意图。图3是图1中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。图4是图1中所示发光二极管封装结构的第一电极和第二电极的立体示意图。图5是本专利技术第二实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。图6是图5中所示发光二极管封装结构沿VI-VI线的剖视示意图。图7是图5中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。图8是图5中所示发光二极管封装结构的第一电极和第二电极的倒置立体示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构100、100a第一电极10、10a第二电极11、11a第一本体部101、101a第一接触部102、102a第一接触面1021、1021a第二本体部111、111a第二接触部112、112a第二接触面1121、1121a顶面1011、1011a、1111、1111a底面1012、1012a、1112、1112a反射杯20、20a容置槽21、21a发光二极管芯片30、30a凹槽50、50a第一增厚部60第二增厚部61第一增厚部底面601第二增厚部底面611如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请同时参考图1至图3，本专利技术第一实施例的发光二极管封装结构100，包括间隔设置的第一电极10和第二电极11、围绕该第一电极10和第二电极11且具有一容置槽21的反射杯20、位于该容置槽21内并分别与第一电极10和第二电极11电连接的发光二极管芯片30以及位于容置槽21内并覆盖发光二极管芯片30的封装层(未标示)。请一并参考图4，该第一电极10和第二电极11为厚度分布均匀的片体。该第一电极10和第二电极11大致呈L形。该第一电极10包括一纵长的第一本体部101及与该第一本体部101垂直的第一接触部102。该第二电极11包括一纵长的第二本体部111及与该第二本体部111垂直的第二接触部112。该第一电极10的第一本体部101、第二电极11的第二本体部111均嵌置于该反射杯20内。该第一接触部102和第二接触部112均自该第一本体部101和第二本体部111相反的两端(即位于该第一本体部101和第二本体部111外侧相对的两端)朝向第一本体部101和第二本体部111的同侧凸出延伸。该第一接触部102包括一远离第一本体部101设置的第一接触面1021，该第二接触部112包括一远离第二本体部111设置的第二接触面1121。该第一电极10和第二电极11分别从反射杯20的左右两侧凸伸而出。该第一接触面1021和第二接触面1121外露于反射杯20。该第一本体部101包括相对设置的顶面1011和底面1012。该第二本体部111包括相对设置的顶面1111和底面1112。该容置槽21形成于该第一本体部101的顶面1011和第二本体部111的顶面1111上并向上贯穿反射杯20，或者容置槽21形成于该第一本体部101的底面1012和该第二本体部的底面1112上并向下贯穿反射杯20。在本实施例中，容置槽21为两个且正、反向相对设置，具体地，该容置槽21形成于该第一本体部101的顶面1011和第二本体部111的顶面1111并向上贯穿反射杯20并同时形成于该第一本体部101的底面1012和该第二本体部的底面1112并向下贯穿反射杯20。该两个正、反向设置的容置槽21位于第一电极10、第二电极11的相对两侧并正对设置。该反射杯20可为PPA、塑料或硅树脂材质中的一种，通过注塑成型的方式一体成型。可以理解地，为了提高该反射杯20的环绕发光二极管芯片30的内壁对发光二极管芯片30发出光线的反射效率，该反射杯20环绕发光二极管芯片30的内壁上优选形成有一镀银的反射薄膜(未标示)。至少一发光二极管芯片30位于该容置槽21内并通过导线分别连接至第一电极10和第二电极11。在本实施例中，一发光二极管芯片30位于正向的容置槽21内。具体地，该发光二极管芯片30设置于第一电极10的第一本体部101的顶面1011上并通过导线(未标示)分别与第一电极10和第二电极11电连接。可以理解地，在其他实施例中，该发光二极管芯片30还可以通过覆晶(Flip-Chip)的方式分别与第一电极10和第二电极11电连接。还可以理解地，该发光二极管芯片30还可位于反向的容置槽21内，或者同时在正、反向相对设置的容置槽21内设置发光二极管芯片30。当发光二极管芯片30分别位于两个正、反向相对设置的容置槽21内时，该发光二极管芯片30的发光波长可以不同，比如位于正向设置的容置槽21内的发光二极管芯片30发出波长较短的蓝光，而位于反向设置的容置槽21内的发光二极管芯片30发出波长较长的红光。该封装层(未标示)可为硅胶、环氧树脂或其他高分子材质中的一种。该封装层容置于容置槽21内并覆盖该发光二极管芯片30。优选地，该封装层还包含有荧光粉，以用于转换该发光二极管芯片30发出的光线。荧光粉可为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(ox本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，其特征在于：所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的一侧凸伸出的接触部，所述第一电极的本体部和第二电极的本体部均嵌置于所述反射杯内，所述第一电极的接触部和第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部延伸出所述反射杯并使其接触面暴露于反射杯之外。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括间隔设置的第一电极和第二电极、分别与第一电极和第二电极电连接的发光二极管芯片以及围绕发光二极管芯片设置的反射杯，所述反射杯具有一容纳发光二极管芯片的容置槽，其特征在于：所述第一电极、第二电极均包括一纵长的本体部以及从该本体部的一端部朝向本体部的同一侧凸伸出的接触部，所述第一电极的本体部和第二电极的本体部均嵌置于所述反射杯内，所述第一电极的接触部和第二电极的接触部均具有一远离本体部设置的接触面，所述接触部与所述反射杯直接接触并延伸超出出所述反射杯同一侧并使其接触面暴露于反射杯之外，所述第一电极和第二电极均为T形电极，所述第一电极的接触部自该第一电极的本体部的一端朝向该第一电极的相对两侧垂直延伸而出，所述第二电极的接触部自该第二电极的本体部的一端朝向该第二电极的相对两侧垂直延伸而出，所述第一电极和第二电极共同围设出一“工”字形凹槽。2.如权利要求1项中任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极分别从反射杯相对两侧凸伸而出。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极均包括相对设置的顶面和底面，所述容置槽形成于第一电极和第二电极的顶面和/或底面并向上和/或向下贯穿反...

【专利技术属性】
技术研发人员：林厚德，陈滨全，陈隆欣，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44