一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，制作工艺流程为（1）线路基板的制备→（2）镜面铝的准备→（3）假贴→（4）排板→（5）压合→（6）二次钻基准孔→（7）数控钻铣外形。本发明专利技术的镜面铝基板经测试铝的导热系数为222 w/m·k，散热效果好，能有效降低封装产品的光衰，镜面铝的反光率高，全反射率可达98%以上，封装光源的光效高，可达170 lm/W以上，用该方法制作的封装基板，可使LED照明灯具产品的成本降低30%以上，本发明专利技术的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，制作工艺流程为（1）线路基板的制备→（2）镜面铝的准备→（3）假贴→（4）排板→（5）压合→（6）二次钻基准孔→（7）数控钻铣外形。本专利技术的镜面铝基板经测试铝的导热系数为222?w/m·k，散热效果好，能有效降低封装产品的光衰，镜面铝的反光率高，全反射率可达98%以上，封装光源的光效高，可达170?lm/W以上，用该方法制作的封装基板，可使LED照明灯具产品的成本降低30%以上，本专利技术的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。【专利说明】—种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法
本专利技术涉及一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法。
技术介绍
COB板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，在半导体封装领域通常是把半导体芯片交接贴装在线路基板上，芯片与基板的电气连接用引线键合方法，并用树脂覆盖以确保可靠性，但是对LED光源芯片的封装具有其特殊性，主要是在建立芯片之间、芯片基板之间的物理连接基础上，还需要保持LED芯片的发光和散热特性，现有的封装技术，不能很好的保证LED芯片的发光和散热的特性。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法。实现本专利技术目的的技术方案是:一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，包括以下步骤:( 1)线路基板的制备；(2)镜面铝的准备；(3)假贴;(4)排板；(5)压合；(6) 二次钻基准孔；(7)数控钻铣外形。作为优化，所述各步骤为:(I)线路基板的制备:(a)开料:用电动剪床将单面覆铜板剪切成生产需要的尺寸规格；(b) 一次刷板:用单面刷板机，将覆铜板表面的氧化层抛刷掉，刷辊目数为500目；(c)印湿膜:用丝网印刷的方法，在一次刷板后的覆铜板表面铜箔上均匀涂覆一层感光湿膜；(d) 一次预烘:将印好湿膜的覆铜板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度7(T80°C，时间为20~30分钟；(e) 一次曝光:将预先光绘好的线路底片覆盖在预烘后的覆铜板上，用8KW紫外曝光机曝光，使得底片上的线路图形转移到覆铜板上，能量设定值为350毫焦；(f) 一次显影:将一次曝光后的覆铜板经过显影机显影，显影液1%~3%无水碳酸钠，温度为28~32°C，时间为广2分钟，喷淋压力为I飞Kg/cm2 ；(g)检验:检测线路图形的完整性；(h)蚀刻:用酸性氯化铜蚀刻液将没有被湿膜覆盖的铜层腐蚀掉，保留需要的线路铜箔，蚀刻液的条件:铜含量为140~180 g/Ι，酸量为2~3 N，氧化还原电位为450~550 mv，温度为 49 ~54°C ；(i)去膜:用3%~5%的氢氧化钠溶液将蚀刻后的线路表面湿膜清除干净；(j) 二次刷板:用单面刷板机，将线路基板表面的氧化层抛刷掉，刷辊目数为500目；(k)印阻焊白油:用丝网印刷的方法，在二次刷板后的线路基板表面均匀涂覆一层型号为太阳PSR2000 CE800W的感光阻焊白油；(I) 二次预烘:将印好阻焊白油的的线路基板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度7(T80°C，时间为20~30分钟；(m) 二次曝光:将预先光绘好的阻焊底片，覆盖在二次预烘后的线路基板上，用8KW紫外曝光机曝光，使得底片上的阻焊图形转移到覆铜板上，能量设定值为950毫焦；(η) 二次显影:将二次曝光后的线路基板经过显影机显影，显影液1%~3%无水碳酸钠，温度为28~32°C，时间为广2分钟，喷淋压力为I飞Kg/cm2 ；(ο)后固化:将二次显影后的线路基板放置于烘箱中烘烤，将阻焊白油彻底固化，烘烤温度150°C，时间为60分钟；(P)化学镍IE金:采用了安美特Universal ASF II化学镍IE金体系,在打金线焊盘的表面镀覆一层合金镀层；(q)压合胶膜假贴:采用胶辊热压工艺，将胶膜与线路层假贴合，假贴工艺条件:压力f4Kg/cm2，温度8(T12(TC，假贴的方式避免了`压合时胶膜错位；`(r) 一次钻基准孔:利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形，然后钻定位孔，孔径为2.0mm ；(S)固晶区铣内模:利用钻好的定位孔定位，线路基板在数控铣床上加工出所需的镜面裸露图形；(t)胶膜预固化:将铣好内模槽的线路基板放置在烘箱中烘烤，烘烤温度6(T80°C度，时间为20-40分钟，降低胶膜在压合时流胶；(2)镜面铝的准备:采用了 Mirro 2 silve系列，其技术参数为全反射率>98%、漫反射率〈5% ；(3)假贴:采用胶辊热压工艺，将步骤(2)准备的镜面铝板整平后与步骤(1)中制备的线路基板假贴合，假贴工艺条件:压力f4Kg/cm2，温度8(Tl20°C ；(4)排板:将基板、离型膜、胶垫、钢板等按一定顺序排列叠合；(5)压合:在热压合机上，加热加压；(6)二次钻基准孔:利用全自动影像打孔机先识别线路定位孔的图形，然后钻定位孔，孔径为2.0mm ；(7)数控钻铣外形。作为优化，所述步骤(1)中的步骤(a)~(O)的导电线路图形制作时，使用了放大的菲林底片，放大比例为万分之六到万分之十二，线路层为BT材质，其厚度为0.1mm，铜箔的厚度为35um。作为优化，所述步骤(1)中的步骤(h)蚀刻用的蚀刻液为铜含量为160 g/Ι，酸量为2.5 N，氧化还原电位为475mv，温度为51.6°C。作为优化，所述步骤(1)中的步骤(P)采用的化学镀镍钯金工艺，镀层厚度Ni为5~8um、pb 为 2~8u 〃、Au 为 2~6u "。作为优化，所述步骤(1)中的步骤(q)压合胶膜假贴，胶膜使用半固化PI胶膜。作为优化，所述步骤(4)排板时，在线路基板的线路面与钢板面之间加入厚度为1.5_硅橡胶垫，排板的顺序为钢板、硅胶垫、离型膜、基板，这样消除了因为线路图形的厚度差造成的受压不均现象，也解决了非铜导线在压合过程中，受到的压力小，粘结不牢，结合力差的问题。作为优化，所述步骤(5)的压合分四个阶段，分别为预压:压力6~12Kg/cm2，温度0~175°C持续升温，预压保温:压力6~12Kg/cm2，温度17(Tl80°C，时间10-40分钟，全压:压力3(T50Kg/cm2，温度17(Tl80°C，时间90-120分钟，保压降温:压力3(T50Kg/cm2，温度175~50°C持续降温，当温度低于50°C后，卸除压力将板取出，该压合流程能控制胶膜的流胶量小于等于0.1mm,并确保了镜面铝与线路基板的结合力在热应力条件下结构的完整性。本专利技术的镜面铝基板经测试:铝的导热系数为222 w/m *k，散热效果好，能有效降低封装产品的光衰，镜面铝的反光率高，全反射率可达98%以上，封装光源的光效高，可达170 lm/ff以上，用该方法制作的封装基板，可使LED照明灯具产品的成本降低30%以上，本专利技术的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。【具体实施方式】实现本专利技术一种多晶COB封装镜面招基板的制作方法,COB (chip on board板上芯片封装)是裸芯片贴装技术之一，制作工艺如下:·( I)线路基板的制备:(a)开料:用电动剪床将单面覆铜板剪切成生产需要的尺寸规格；(b) 一次刷板:用单面刷板机，将覆铜板表面的氧化层抛刷掉，刷辊目数为500目；(c)印湿膜:用丝网印刷的方法，在一次刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶COB封装镜面铝基板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）线路基板的制备；（2）镜面铝的准备；（3）假贴；（4）排板；（5）压合；（6）二次钻基准孔；（7）数控钻铣外形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李桂华，金鸿，
申请(专利权)人：南京尚孚电子电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32