QFN 框架制作方法技术

本发明专利技术提供一种QFN框架制作方法，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。本发明专利技术提供的QFN框架制作方法，既可以在金属的正面进行布线，又可以以节约快捷的方法完成金属背面凸点的形成，成本较低，具有较好的实际操作性，并且封装体的厚度也适应了越来越薄的趋势。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种QFN框架制作方法，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。本专利技术提供的QFN框架制作方法，既可以在金属的正面进行布线，又可以以节约快捷的方法完成金属背面凸点的形成，成本较低，具有较好的实际操作性，并且封装体的厚度也适应了越来越薄的趋势。【专利说明】QFN框架制作方法
本专利技术涉及半导体元器件制造
，尤其涉及一种QFN框架制作方法。
技术介绍
随着电子产品如手机、笔记本电脑等朝着小型化，便携式，超薄化，多媒体化以及满足大众化所需要的低成本方向发展，高密度、高性能、高可靠性和低成本的封装形式及其组装技术得到了快速的发展。BGA (ballgridarray)封装是常见的封装结构,其中芯片以键合或倒装形式与基板相连接，然而即便是普通基板的造价也是要占总体封装的60%以上。与价格昂贵的BGA等封装形式相比，近年来快速发展的新型封装技术，即四边扁平无引脚QFN (QuadFlatNon一IeadPackage)封装，由于具有良好的热性能和电性能、尺寸小、成本低以及高生产率等众多优点，引发了微电子封装
的一场新的革命。
技术实现思路
在下文中给出关于本专利技术的简要概述，以便提供关于本专利技术的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本专利技术的穷举性概述。它并不是意图确定本专利技术的关键或重要部分，也不是意图限定本专利技术的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。本专利技术提供一种QFN框架制作方法，包括步骤:SlOl:提供一定厚度的金属片条；S102:在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103:对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104:将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上;S105:将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。本专利技术提供的QFN框架制作方法，既可以在金属的正面进行布线，又可以以节约快捷的方法完成金属背面凸点的形成，成本较低，具有较好的实际操作性，并且封装体的厚度也适应了越来越薄的趋势。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的QFN框架示意图；图2-图8B为本专利技术制作QFN框架的过程示意图；图9为本专利技术提供的QFN框架制作步骤示意图。【具体实施方式】为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。在本专利技术的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本专利技术无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种QFN框架制作方法，如图1所示为QFN框架的示意图，所述QFN框架由多个单元组成，例如图1中所示I为一个单元，整个框架的多个单元同时制造和使用，所述框架上有多个单元同时制造，成本相对较低并且有较好的可操作性，以下的制作方法以所述的一个单元为例。本专利技术提供的高密度多排QFN框架的制作方法包括步骤:SlOl:提供一定厚度的金属片条IOla ；如图2所示，首先提供一定厚度的金属片条101a，所述金属片条的厚度根据实际情况的需要，例如QFN框架上芯片的数量，金属片条上焊盘的设计等等来决定，所述金属片条的厚度通常为0.25mm、0.3mm、0.5mm等等,这点为本领域所熟知的公知技术,在此不再赘述。步骤SlOl中所述金属片条的材料需要具有良好的导热导电性能，可选的，所述的金属片条可以为铜合金。S102:在所述金属片条IOla的正面和背面镀感光材料201，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；如图3所示，在上述金属片条IOla的正面和背面都镀上感光材料201，然后再在金属片条的正面和背面分别进行掩膜，在这里正面和背面进行掩膜，所述掩膜的图案并不相同，在接下来的步骤形成不同的形状，各自有不同的作用。所述感光材料201是一种具有光敏特性的半导体材料，通常能够感受可见光、红外线、紫外线、X射线等电磁辐射信息并发生物理变化和化学变化，经过曝光和一定的加工，可以得到固定的影像。本专利技术中，在所述金属片条的正面和背面同时镀感光材料，并且在感光材料上还进行掩膜，是为了接下来的步骤在金属片条的正面和背面分别形成需要的样式，有掩膜的地方会保留下来，没有掩膜暴露出所述感光材料的地方的金属会被腐蚀而形成一定的图案。S103:对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；上一个步骤，在金属片条IOla的正面和背面都镀了感光材料，并且还进行了掩膜，接下来要对金属片条的正面和背面分别进行光刻，将金属片条表面特定部分去除，保留了特征图形的部分，如图4所示。金属片条IOlb正面形成一定密度分布的金属布线，并且随后贴上芯片等等；金属片条背面形成金属凸点，图4背面所示的为初步形成的金属凸点，此时的金属凸点与金属片条还相连接，没有与芯片等等连接，所以在接下来的步骤中还需要去除与金属凸点相连的金属，使得金属凸点能够与芯片或者焊盘之类的相连。上述的方法通过在金属片条正面和背面分别镀感光材料和掩膜，然后进行光刻，正面和背面的图案一次都能够形成，节约了成本，并且实际操作更加简单方便。可选的，在步骤S104前还包括:在金属片条IOlb正面形成的金属布线上作为焊盘的部位镀表面材料层301 ；如图5所示，在金属片条IOlb的正面镀上表面材料301，所述表面材料301用来保证所述金属片条的可焊接性，但是并不是将金属片条的正面完全覆盖，而是选择性的镀表面材料，即在金属片条正面形成的金属布线上作为焊盘的部位镀上表面材料层。图5所示金属片条IOlb上表面两侧较窄作为焊盘的部位镀上表面材料，因为此处金属作为焊盘，需要增加表面材料使其具有更好的焊接性,其他部位根据实际需要和节约材料的角度,也可以不镀表面材料。可选的，还可以对所述金属片条IOlb表面进行抗氧化处理，保证金属表面不被氧化，以便于接下来步骤的实施。S104:将芯片601与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；如图6所示，然后将芯片601与金属布线相连接，所述芯片6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种QFN框架制作方法，其特征在于，包括步骤：S101：提供一定厚度的金属片条；S102：在所述金属片条的正面和背面镀感光材料，之后在金属片条的正面和背面分别进行掩膜；S103：对金属片条正面和背面分别进行光刻，以在正面形成一定密度分布的金属布线、且在背面形成金属凸点；S104：将芯片与金属布线电连接，并用塑封底填料将芯片固定和封装在金属片条上；S105：将金属片条背面腐蚀直至分隔开正面的不同金属布线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫红，张童龙，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：