【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路。在制造基于高电子迁移率晶体管的交换电路和微波集成电路时，去除了影像场分界区或电路切割区中复合外延层材料以减小变形量而改进临界线宽的均匀性，从而达到增强一个高电子迁移率晶体管及其所制成的交换电路和微波集成电路的功能及稳定性。【专利说明】改进线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路
本专利技术涉及到用来作功率切换的电路及用来作微波放大的高电子迁移率晶体管器件和微波集成电路(MMIC)，以达到减小它们中间形成的缺陷微裂缝的产生并增强线宽的均匀性。
技术介绍
除了常用到功率的切换和放大的金属氧化物半导体(MOS)结构、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和浅掺杂漏极金属氧化物半导体结构(LDMOS)的器件，一种基於II1-氮化物的器件和电路也正被研发中。这是想满足对更高功率并减小功率损耗的要求。现有的在硅和砷化镓上制作的器件及电路还无法同时满足这两项要求。应用上也很需要可以操作在高达200千兆赫毫米波段的高功率器件及电路。对...
【技术保护点】
一个去除了影像场分界区中复合外延层材料以改进临界线宽均匀性及减少通道中缺陷，并基于高电子迁移率晶体管的交换电路及微波集成电路，所述电路制造在一个晶圆或基座上，该晶圆或基座上有至少一个X轴向影像场分界区或切割区和至少一个Y轴影像场分界区或切割区，定出至少四个影像场，该影像分界区或切割区介于相邻的影像场之间，并成为影像场边缘；每一个影像场上至少有一个覆盖了复合外延层的复合外延层区，每一个复合外延层区有一个复合外延层区长度，一个复合外延层区宽度，定义四个复合外延层区边缘，该复合外延层至少有一个缓冲层，一个导电通道层、一个肖特基层和一个欧姆接触层，一个源极层，一个漏极层；每个影像场...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石以瑄，邱树农，吴杰欣，邱星星，石宇琦，
申请(专利权)人：石以瑄，邱树农，邱星星，石宇琦，
类型：发明
国别省市：
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