ESD防护结构及方法技术

本发明专利技术涉及显示器件的结构及其制备领域，尤其涉及一种ESD防护结构及方法，通过在器件制备工艺时，在器件区域制备具有导电性质的结构层的同时，于空旷区制备静电放电结构，将残存于器件区的载流子进行放电，并循环往复，以在每个具有导电性质的结构层的制备工艺时，均会对器件区域中残存的载流子进行一次放电，进而使得器件区域中的载流子不会大量聚集，避免形成过大的瞬间电流，进而有效的降低器件结构中静电击伤现象的发生的几率，提高了产品的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器件的结构及其制备领域，尤其涉及一种面板设计ESD防护结构及方法。
技术介绍
在显示器件（如AMOOLED等）的阵列（Array）制程中，由于制备的具有导电性能的器件结构中会残留有载流子（空穴或电子），进而汇聚形成静电，尤其是金属层的制备过程中，极易于制备的结构图层中产生多余的载流子，而相互连接的金属图层之间残存的同样的载流子（即同为电子或空穴）时，多余的载流子就汇聚进而形成很强的静电现象，在遇到合适的释放途径时就会瞬间大量载流子的转移或放电（Electronic Static Discharge，简称ESD），均会造成面板内部线路结构的损坏（ESD Attack）。在进行传统的阵列制程工艺中，虽然也可通过控制工艺条件尽量降低器件产品静电的产生，也可通过机器设备本身设置的防静电装置，将产生的静电释放，但在面板中具体的具有导电性能结构的制备中，由于其在进行沉积、刻蚀或研磨等工艺的时候，产生静电的几率都很大，现有的工艺条件无法完全将所有的工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ESD防护结构，所述防护结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区和空旷区；静电释放结构，所述静电释放结构设置于所述半导体衬底的空旷区；导电层，所述导电层设置于所述半导体衬底的器件区；其中，所述导电层与所述静电释放结构连接，以将残存于所述空旷区的载流子通过所述静电释放结构进行放电。

【技术特征摘要】
1.一种ESD防护结构，所述防护结构包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有器件区和空旷区；
静电释放结构，所述静电释放结构设置于所述半导体衬底的空旷
区；
导电层，所述导电层设置于所述半导体衬底的器件区；
其中，所述导电层与所述静电释放结构连接，以将残存于所述空
旷区的载流子通过所述静电释放结构进行放电。
2.如权利要求1所述的ESD防护结构，其特征在于，位于所述
空旷区的半导体衬底上设置有器件结构；
所述导电层通过所述静电释放结构将残存于所述器件结构和/或
所述导电层中的载流子进行放电。
3.如权利要求1所述的ESD防护结构，其特征在于，所述静电
释放结构的材质为金属。
4.如权利要求1～3中任意一项中所述的ESD防护结构，其特征
在于，所述静电释放结构为尖端放电结构。
5.如权利要4所述的ESD防护结构，其特征在于，所述静电释
放结构为火山靶诱导体。
6.一种ESD防护方法，其特征在于，包括：
提供一具有器件区和空旷区的半导体衬底；
于所述半导体衬底上制备一具有导电性能的结构层，且所述结构
层位于所述空旷区的部分形成静电释放结构，所述结构层位于所述器
件区的部分形成一导电层；
其中，将所述导电层将残存于所述空旷区的载流子通过所述静电
释放结构进行放电。
7.如权利要求6所述的ESD防护方法，其特征在于，所述静电
释放结构的材质为金属。
8.如权利要求6所述的ESD防护方法，其特征在于，所述静电
释放结构为尖端放电结构。
9.一种ESD防护方法，其特征在于，包括：
提供一具有器件区和空旷区的半导体衬底，且位于所述空旷区的
半导体衬底上设置有预置静电释放结构；
于位于所述器件区的半导体衬底上制备导电层；
将所述导电层将残存于所述空旷区的载流子通过所述预置静电
释放结构进行放电。
10.如权利要求9所述的ESD防护方法，其特征在于，所述静

\t电释放结构的材质为金属。
11.如权利要求9所述的ESD防护方法，其特征在于，所述静
电释放结构为尖端放电结构。
12.一种ESD防护方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡学明，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：