一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法技术

本发明专利技术公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5MLGaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5MLGaSb量子点；本发明专利技术实现了采用MBE技术在InP衬底上以S-K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明专利技术方法有效避免了As-Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料，其特征在于：其由以下结构组成：第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何苗，陈虞龙，王禄，石震武，孙庆灵，高优，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：