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一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法技术
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下载一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法的技术资料
文档序号:10099165
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本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法,该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层,第二层为GaSb量子点,第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层,第四层为...
该专利属于华南师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南师范大学授权不得商用。
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