【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种能够抑制酸扩散从而降低线边缘粗糙度的下述化学式1的光酸发生剂及含有它的抗蚀剂组合物，化学式1在所述化学式1中，各取代基与说明书中所定义的相同。【专利说明】光酸发生剂及含有它的抗蚀剂组合物
本专利技术涉及一种能够防止由曝光区域向未曝光区域酸扩散从而降低未曝光和曝光界面处的线边缘粗糙度的新型光酸发生剂及含有它的抗蚀剂组合物。
技术介绍
近来,光刻(lithography)技术正在积极进行由ArF浸没式(immersion)、即液浸曝光技术的大批量生产(HVM、high volume manufacturing),主要正在开发实现线宽50nm以下的技术。这样，随着所要实现的线宽逐渐变窄，对抗蚀剂也要求高分辨率、确保能够适用于工艺的足够充分的裕度(能量裕度或对焦裕度)、对线宽减少和随之厚度减少引起的蚀刻具有足够的抗蚀性等物性，其中，特别要求改善线边缘粗糙度。线边缘粗糙度是用于表示曝光区域和未曝光区域之间界面的均匀度，近来，ArF浸没式光刻法要求粗糙度的精确度为2至3nm左右。影响这种线边缘粗糙度的因素有多种，但其中，认为主要原因是光酸发生剂通过曝光生成酸之后影响曝光时或PEB时的酸扩散距离和酸强度，因此，正在主要进行通过调节光酸发生剂的酸扩散来获得更佳的线边缘粗糙度特性的研究。此外，已知与酸扩散快的相比酸扩散慢时能够降低在未曝光/曝光边境区域由于酸扩散引起的粗糙度，因此，作为降低酸扩散的方法，已经研究了许多增加阴离子的大小来调节生成酸时扩散的方法。然而，随着阴 离子部分的大小增加其分子量也增加，其结果，存在每单位面积中所能添加...
【技术保护点】
一种光酸发生剂，由下述化学式1表示，化学式1在所述化学式1中，所述V1和V2分别独立为卤基，所述W1和W2分别独立为氢原子或卤基，所述X为选自由下述化学式2a至2d所组成的组中，化学式2a化学式2b化学式2c化学式2d在所述化学式2a至2d中，R1和R2分别独立地选自由氢原子、碳原子数1至10的烷基和碳原子数1至10的烷氧基所组成的组中，R3选自由碳原子数1至20的烷基、碳原子数1至20的烷氧基、碳原子数6至30的芳基和碳原子数3至30的环烷基所组成的组中，此外，所述R1至R3中相邻的两个官能团可以彼此连接形成碳原子数3至30的环烷基或在环内含有氧（O）原子的碳原子数3至30的杂环烷基，R4、R5和R6分别独立为碳原子数1至5的烷基，R7a和R7b分别独立地选自由氢原子、碳原子数1至10的烷基和碳原子数1至10的烷氧基所组成的组中，R7c为取代氢原子含有或不含有选自由烷基、全氟烷基、卤基、硝基、腈基、甲酰基、烷基羰基和羰基所组成的组中的至少一个官能团的碳原子数6至30的芳基或碳原子数3至30的环烷基或全氟烷基，R8、R9和R10分别独立为碳原子数1至10的烷基，而且，c为0至5的整数，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱炫相，金三珉，安浩益，申珍奉，成耆珠，
申请(专利权)人：锦湖石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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