【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及刻蚀
,尤其涉及一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备。
技术介绍
在显示
,通常通过干法刻蚀工艺对玻璃基板进行刻蚀,以制作相应的图形。具体地,将待刻蚀的玻璃基板置于采用干法刻蚀设备中,利用等离子体放电来去除玻璃基板上待刻蚀的材料进行刻蚀。以下结合干法刻蚀设备的结构说明其刻蚀的原理。参见图1,为现有技术干法刻蚀设备结构示意图,包括:反应腔100、位于反应腔100内的上部电极101和下部电极102,位于下部电极102上用于放置玻璃基板104的基台103;在具体实施时,将待刻蚀的玻璃基板104置于下部电极102上方的基台103上,反应腔100内通入等离子气体,将反应腔100密闭,为上部电极101和下部电极102施加电压,二者之间形成电势差,从而促使等离子体向玻璃基板运动,对玻璃基板进行刻蚀。目前,一种较佳的下部电极102上方的基台103由基板和基板表面的表面浮点(Embossing Dot)构成,该表面浮点由氧化铝陶 ...
【技术保护点】
一种干法刻蚀设备的下部电极基台,其特征在于,包括:第一基板以及位于所述第一基板上的多个支撑件;其中,所述支撑件的顶部材质至少包括树脂。
【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀设备的下部电极基台,其特征在于,包括:
第一基板以及位于所述第一基板上的多个支撑件;
其中,所述支撑件的顶部材质至少包括树脂。
2.根据权利要求1所述的下部电极基台,其特征在于,所述支撑件为表
面浮点结构。
3.根据权利要求2所述的下部电极基台,其特征在于,所述树脂包括聚
四氟乙烯和/或环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的下部电极基台,其特征在于,所述支撑件的顶
部材质还包括无机矿物材料。
5.根据权利要求4所述的下部电极基台,其特征在于,还包括位于所述
第一基板上的树脂层,所述树脂层与所述各支撑件连接成一体式结构。
6.根据权利要求5所述的下部电极基台,其特征在于,还包括:设置于
所述第一基板上的多个用于紧固所述第一基板和所述树脂层的紧固件。
7.根据权利要求5所述的下部电极基台,其特征在于,所述支撑件的顶
部与所述树脂层之间的垂直距离为0.4~0.6mm。
8.根据权利要求1-7任一所述的下部电极基台,其特征在于,所述支撑
件的...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁魁,
申请(专利权)人:北京京东方显示技术有限公司,京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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