边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。用于液晶显示装置的阵列基板包括公共线和选通线。该阵列基板包括第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层和薄膜晶体管。第二钝化层包括分别与漏极和公共线相对应的第一孔和第二孔。第二钝化层上的公共电极包括与薄膜晶体管相对应的第一开口和第二孔中的第二开口。穿过第三钝化层和第一钝化层的漏接触孔露出第二孔中的公共电极。穿过第三钝化层和第一钝化层的第二公共接触孔露出公共线，并且像素电极包括第三开口和将公共电极连接到第三钝化层上的公共线的连接图案。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及液晶显示器（LCD）装置。本公开还涉及具有改善的孔径比并且通过简单工艺而制造的用于边缘场切换（FFS）模式LCD装置的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
相关技术的液晶显示器（LCD）装置利用液晶分子的光学各向异性和偏振属性。由于液晶分子的形状是薄和长的，液晶分子具有明确的对准方向。可以通过对液晶分子施加电场来控制液晶分子的对准方向。在电场的强度或方向被改变时，液晶分子的对准也发生变化。由于液晶分子的光学各向异性而导致入射光基于液晶分子的取向而发生折射，所以可以通过控制光的透射率来显示图像。相关技术的LCD装置包括阵列基板、滤色器基板以及设置在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和薄膜晶体管（TFT），滤色器基板可以包括滤色器层和公共电极。相关技术的LCD装置通过像素电极和公共电极之间的电场而被驱动，获得透射率和孔径比的良好属性。然而，由于相关技术的LCD装置使用垂直电场，所以LCD装置的观看角度不好。可以使用面内切换（IPS）模式LCD装置以解决上面提到的问题。在IPS模式LCD装置中，像素电极和公共电极形成在同一个基板上，并且彼此交替设置，使得在像素电极与公共电极之间产生水平电场。由于液晶分子被水平电场驱动，所以IPS模式LCD装置的观看角度得以改善。但是，IPS模式LCD装置在孔径比和透射率方面具有缺点。为了解决这些局限，提出了通过边缘场来驱动液晶分子的FFS模式LCD装置。图1是示出用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板的一个像素区域的平面图。如图1所示，在基板上1上，选通线3和公共线7沿一个方向彼此分隔开，并且数据线30与选通线3交叉以限定像素区域P。另外，薄膜晶体管（TFT）Tr用作开关元件，并且形成在各像素区域P中。TFTTr连接到选通线3和数据线30。TFT Tr包括栅极5、栅绝缘层（未示出）、半导体层（未示出）、源极33和漏极36。在TFT Tr上以及在整个基板1上堆叠第一钝化层和第二钝化层（未示出），第一钝化层和第二钝化层均包括露出公共线7的公共接触孔55。公共电极60形成在第二钝化层上并通过公共接触孔55与公共线7接触。在公共电极60上形成包括漏接触孔68的第三钝化层（未示出）。TFT Tr的漏极36通过漏接触孔68露出。在第三钝化层上以及在各像素区域P中形成像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68而与漏极36接触，并且包括与公共电极60相对应的条形的开口“op”。图2是沿图1的线II-II截取的截面图，并且图3是沿图1的线III-III截取的截面图。如图2和图3所示，在基板1上形成（图1的）选通线3、栅极5和公共线7，并且在选通线3、栅极5和公共线7上形成栅绝缘层10。半导体层20形成在栅绝缘层10上，并且与栅极5相对应。源极33和漏极36形成在半导体层20上并且彼此分隔开。数据线30形成在栅绝缘层10上，并且与选通线3交叉以限定像素区域P。用无机绝缘材料形成的第一钝化层40形成在数据线30、源极33和漏极36上，并且用有机绝缘材料形成并具有平坦的顶表面的第二钝化层50形成在第一钝化层40上。穿过第一钝化层40和第二钝化层50地形成露出公共电极7的公共接触孔55。用透明导电材料形成的公共电极60形成在第二钝化层50上，并且公共电极60通过公共接触孔55与公共线7接触。用无机绝缘材料形成的第三钝化层65形成在公共电极60上。穿过第三钝化层65、第二钝化层50和第一钝化层40地形成露出TFT Tr的漏极36的漏接触孔68。在第三钝化层65上并且在各像素区域P中形成用透明导电材料形成的像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68与漏极36接触，并且包括图3中被标记为“op”的开口。在图3中，开口op形成为条形，与公共电极60相对应。用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板通过七道掩模工艺来制成。参照图1至图3解释所述制造工艺。首先，通过第一掩模工艺在基板上形成选通线3、栅极5和公共线7。接着，在选通线3、栅极5和公共线7上形成栅绝缘层10。接着，通过第二掩模工艺在栅绝缘层10上形成数据线30、半导体层20、源极33和漏极36。由于数据线30通过单个掩模工艺与半导体层20一起形成，所以存在包括位于数据线30下以及栅绝缘层10上的第一虚设图案21a和第二虚设图案21b的半导体图案21。接着，在数据线30、源极33和漏极36上顺序地形成第一钝化层40和第二钝化层50。通过第三掩模工艺，对第二钝化层50进行构图以形成分别露出第一钝化层40并且分别与漏极36和公共线7相对应的第一孔和第二孔（未示出）。接着，通过第四掩模工艺，对与第二孔相对应的第一钝化层40进行构图，以形成公共接触孔55，公共接触孔55露出公共线7。接着，通过第五掩模工艺，在第二钝化层50上形成公共电极60，公共电极60通过公共接触孔55与公共线7接触。接着，在公共电极60上形成第三钝化层65。通过第六掩模工艺，对与第一接触孔相对应的第三钝化层65和第一钝化层40进行构图，以形成露出漏极36的漏接触孔68。接着，通过第七掩膜工艺，在第三钝化层65上形成设置在各像素区域P中的像素电极70。像素电极70通过漏接触孔68与漏极36接触，并且包括与公共电极60相对应的条形的开口“op”。通过以上七道掩模工艺，获得了用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板。上述七道掩模工艺可以用于制造阵列基板。然而，由于掩模工艺包括诸如沉积步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤等多个步骤，所以掩模工艺使得生产成本增加。如上所述，用于相关技术的FFS模式LCD装置的阵列基板需要所述七道掩模工艺，这可导致生产成本随着掩模工艺数量的增加而增加的缺点。
技术实现思路
因此，本专利技术的实施方式致力于用于FFS模式LCD装置的阵列基板及其制造方法，所述阵列基板和所述方法基本上消除了由于相关技术的局限和缺点所导致的一个或更多个问题。本专利技术的一个目的在于提供一种具有改进的孔径比的用于FFS模式LCD装置的阵列基板。本专利技术的另一个目的在于提供一种能够减少掩模工艺的用于FFS模式LCD装置的阵列基板。本专利技术的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分地显现，或者可以通过本专利技术的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本专利技术的目的和其它优点。为了实现这些和其它优点，并且根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.11.13 KR 10-2012-01279971.一种用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：
公共线，其位于包括显示区域的基板上；
第一选通线和第二选通线，它们位于所述公共线的相对侧；
栅绝缘层，其位于所述第一选通线、所述第二选通线和所述公共线上；
第一数据线和第二数据线，它们位于所述栅绝缘层上，所述第一数据线和所述第
二数据线与所述第一选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第一像素区域，并且与
所述第二选通线和所述公共线中的一个交叉以限定第二像素区域；
第一薄膜晶体管TFT和第二TFT，它们位于所述第一像素区域和所述第二像素
区域中的每一个中；
第一钝化层，其位于所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一TFT和所述
第二TFT上；
第二钝化层，其位于所述第一钝化层上，并且包括分别与所述第一TFT和所述
第二TFT的漏极和所述公共线相对应的第一孔和第二孔；
公共电极，其位于所述第二钝化层上，并且包括与所述第一TFT和所述第二TFT
中的每一个相对应的第一开口和所述第二孔中的第二开口；
第三钝化层，其位于所述公共电极上；
漏接触孔，其与所述第一孔相对应并穿过所述第三钝化层和所述第一钝化层，使
得所述第一TFT和所述第二TFT的所述漏极通过所述漏接触孔露出；
第一公共接触孔，其与所述第二孔相对应并穿过所述第三钝化层，使得所述第二
孔中的所述公共电极通过所述第一公共接触孔露出；
第二公共接触孔，其与所述第二开口相对应并穿过所述第三钝化层、所述第一钝
化层和所述栅绝缘层，使得所述公共线通过所述第二公共接触孔露出；
像素电极，其位于所述第三钝化层上以及所述第一像素区域和所述第二像素区域
中的每一个中，所述像素电极包括至少一个第三开口并且连接到各个漏极；以及
连接图案，其位于所述第三钝化层上，并且将所述公共电极连接到所述公共线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述显示区域的
中心。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述公共线设置在所述第一选通线
中的一个与所述第二选通线中的一个之间，并且其中，其它选通线彼此相邻并且其间
没有所述公共线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述连接图案的一端在所述第一公
共接触孔中与所述公共电极接触，并且所述连接图案的另一端在所述第二公共接触孔
中与所述公共线接触。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅绝缘层、所述第一钝化层和
所述第三钝化层由氧化硅或氮化硅中的一种形成，并且所述第二钝化层由光敏亚克力
形成。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一TFT连接到所述第一选通
线和所述第一数据线，并且所述第二TFT连接到所述第二选通线和所述第二数据线。
7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述第三开口在所述第一像素区域和所
述第二像素区域中的每一个中具有弯曲形状，或者关于所述公共线具有弯曲形状。
8.一种制造用于边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板的方法，该方法包括
以下步骤：
在显示区域的中心形成公共线，在所述公共线的一侧形成第一选通线，在所述公
共线的另一侧形成第二选通线，并且形成连接到各选通线的栅极；
在所述公共线、所述第一选通线、所述第二选通线和所述栅极上形成栅绝缘层；
在所述选通线上形成与所述栅极相对应的半导体层，在所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹泳奕，崔赫，金元头，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：