自对准垂直式梳状传感器及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种垂直式梳状传感器及其制作方法，特别是涉及一种自对准垂直式梳状传感器的制作方法及以该方法制成的垂直式梳状传感器。
技术介绍
目前在光学微机电领域中以微扫描面镜(micro scanning mirror)为应用最广泛的关键元件，而且常见以垂直式梳状传感器(vertical comb drive actuator)致动。由于垂直式梳状传感器上下两排的梳齿结构需要精确对准，使上下两排梳齿结构能相对运动且相对运动时能保持一定间隙，以避免在相对运动时产生受力不均而出现不稳定的运动行为，因而大幅降低传感器效能。一般制作垂直梳状传感器大多是由一晶圆的两面分别以黄光微影制程定义上下两排的梳齿结构，再分别由该晶圆两面所定义的图形蚀刻而形成梳齿结构，然而此方法容易存在对准误差，使上下两排的梳齿结构无法完全精确对准。因此已有人提出以自对准方式来制作垂直式梳状传感器的方法，例如美国专利US6612029及美国专利公开案US2007024107...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2012.11.06 TW 1011411291.一种自对准垂直式梳状传感器的制作方法；其特征在于：
该制作方法包含以下步骤：
提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一第一元件层、一被覆于该
第一元件层的一侧的第一屏蔽层及一被覆于该第一元件层另一侧的
阻挡层；
图案化该阻挡层，形成多个分别贯穿该阻挡层且相间隔排列的
穿槽；
提供一第二晶圆，该第二晶圆具有一第二元件层及一被覆于该
第二元件层的一侧的第二屏蔽层，并将该第二晶圆的该第二元件层
与该第一晶圆的图案化的该阻挡层面对面相对接合；
图案化该第一屏蔽层，以定义预定蚀刻该第一元件层的区域；
图案化该第二屏蔽层，以定义预定蚀刻该第二元件层的区域；
及
分别蚀刻该第一元件层及该第二元件层，以分别在该第一元件
层形成多个第一齿状部及在该第二元件层形成多个第二齿状部，使
所述第二齿状部与所述第一齿状部上下错位排列，并可相对运动，
其中蚀刻步骤包含
以该第一屏蔽层做为蚀刻屏蔽配合该阻挡层做为蚀刻停止
层，蚀刻该第一元件层，
以该第二屏蔽层做为蚀刻屏蔽配合该阻挡层做为蚀刻停止
层，蚀刻该第二元件层，
以该阻挡层做为蚀刻屏蔽蚀刻该第一元件层，及
以该阻挡层做为蚀刻屏蔽蚀刻该第二元件层。
2.根据权利要求1所述的自对准垂直式梳状传感器的制作方
法，其特征在于：该阻挡层连接于所述第一齿状部及所述第二齿状
部的部分进一步被移除，而在所述第一齿状部及所述第二齿状部之
间形成一气隙。
3.根据权利要求1所述的自对准垂直式梳状传感器的制作方
法，其特征在于：所述第一齿状部的宽度朝该阻挡层的方向渐缩及/
\t或所述第二齿状部的宽度朝该阻挡层的方向渐缩。
4.根据权利要求1所述的自对准垂直式梳状传感器的制作方
法，其特征在于：该制作方法还包含：提供一第三晶圆与移除该第
一屏蔽层后的该第一元件层面对面接合。
5.根据权利要求4所述的自对准垂直式梳状传感器的制作方
法，其特征在于：该第三晶圆还预先形成一凹槽以提供可动结构运
动的空间。
6.根据权利要求1所述的自对准垂直式梳状传感器的制作方
法，其特征在于：蚀刻该第一元件层及该第二元件层的步骤包含如
下顺序：
在接合该第一晶圆与该第二晶圆之前，以该阻挡层做为蚀刻屏
蔽蚀刻该第一元件层，通过所述穿槽形成多个分别贯穿该第一元件
层的第一沟槽，
接合该第一晶圆与该第二晶圆之后，以...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢哲伟，苏汉堂，
申请(专利权)人：亚太优势微系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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