太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池，其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明专利技术还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法
本专利技术大体上涉及太阳能电池装置及其形成方法和系统。具体来说，本专利技术涉及用于控制被用来提供与太阳能电池中的背电极接触的硒化钼层的厚度的方法和系统。
技术介绍
太阳能电池是用于从太阳光直接产生电流的光伏组件。由于对清洁能源的需求日益增长，因此近年来太阳能电池的制造显著增多并且持续增多。目前存在各种类型的太阳能电池。太阳能电池包括吸收层，其吸收来自太阳光的光子并且将光能转换为电能。一种这样的吸收层是CIGS(Cu(In,Ga)Se2)吸收层，但是在其他太阳能电池中使用其他吸收层。通过使用各种在衬底上方沉积材料层的沉积工艺来形成太阳能电池中使用的吸收层和其他材料层。钼（Mo）层常用作直接形成在衬底上或上方的背电极层。硒化钼（MoSe2）层常常形成在Mo背电极上方并且用于在Mo背电极和太阳能电池中诸如吸收层的其他层之间建立欧姆接触。重要但困难的是控制钼背接触层上方形成的硒化钼层的厚度。更具体来说，难以控制使用硒化工艺形成的MoSe2层的厚度，硒化工艺用于将硒引入Mo层以将Mo膜转换为Mo-Se材料。难以控制硒化的程度和Mo材料转换为M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，包括：衬底；Mo材料，设置在所述衬底上方；Mo‑Se层，设置在所述Mo材料上方，在所述Mo材料和所述Mo‑Se层之间夹置有界面；以及吸收层，设置在所述Mo‑Se层上方。

【技术特征摘要】
2012.11.15 US 13/677,3611.一种太阳能电池，包括：衬底；Mo材料，设置在所述衬底上方，所述Mo材料完全由Mo层组成；Mo-Se层，设置在所述Mo材料上方并与所述Mo材料直接接触，在所述Mo材料和所述Mo-Se层之间夹置有清楚可见的界面，其中，所述Mo-Se层中包括氮；以及吸收层，设置在所述Mo-Se层上方。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述衬底和所述Mo材料之间夹置有中间层，所述中间层为二氧化硅层和/或阻挡层，并且所述衬底是玻璃衬底。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述吸收层是Cu(In,Ga)Se2吸收层。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述Cu(In,Ga)Se2吸收层是具有黄铜矿晶体结构的材料，所述Mo-Se层包括MoSe2且所述Mo-Se层的厚度在10nm至40nm之间，并且所述Mo材料是所述太阳能电池的背电极。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述Mo-Se层其中进一步包括氧。6.一种用于形成太阳能电池的方法，包括：提供其上具有Mo层的衬底；在所述Mo层上形成包含氮的含Mo层，其中，在分离的沉积工艺中形成所述Mo层和所述含Mo层，以在直接接触的所述含Mo层与所述Mo层之间形成清楚可见的界面；以及通过在硒环境下加热来硒化所述含Mo层，从而选择性地从所述含Mo层而不是从所述Mo层中产生Mo-Se层，从而使得所述Mo-Se层与所述Mo层具有清楚可见的界面且直接接触。7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述含Mo层包括形成进一步包含氧的所述含Mo层。8.根据权利要求6所述的方法，其中，提供其上具有所述Mo层的所述衬底包括在溅射沉积室内溅射所述Mo层，并且形成所述含Mo层包括溅射，并且在所述沉积室内终止所述Mo层的沉积之...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世伟，李文钦，严文材，吴忠宪，陈冠竹，
申请(专利权)人：台积太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71