超疏水薄膜片材的制备方法技术

技术编号:10070511 阅读:171 留言:0更新日期:2014-05-23 15:01
本发明专利技术涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法。本发明专利技术的目的在于提供一种超疏水薄膜片材的制备方法,其通过调节光致抗蚀剂的固化时间及次数来生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。用于实现这种目的的本发明专利技术包括如下工序:(a)清洗硅晶圆的表面;(b)利用旋涂法,在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂-AZ4620,并利用烘箱实施软烘焙;(c)利用掩模对准器,对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光;(d)利用光致抗蚀剂显影液-AZ400K进行显影;(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型;以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂-AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种。本专利技术的目的在于提供一种,其通过调节光致抗蚀剂的固化时间及次数来生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。用于实现这种目的的本专利技术包括如下工序:(a)清洗硅晶圆的表面;(b)利用旋涂法,在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂-AZ4620,并利用烘箱实施软烘焙;(c)利用掩模对准器,对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光;(d)利用光致抗蚀剂显影液-AZ400K进行显影;(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型;以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂-AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材。【专利说明】
本专利技术涉及一种,更详细而言,涉及一种,其通过生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。
技术介绍
目前为止,为了人工实现超疏水性表面而进行了许多研究,但绝大多数都是在大部分表面进行化学处理或者通过半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超疏水薄膜片材的制备方法,其特征在于,包括如下工序:(a)清洗硅晶圆的表面;(b)利用旋涂法,在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂‑AZ4620,并利用烘箱实施软烘焙;(c)利用掩模对准器,对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光;(d)利用光致抗蚀剂显影液‑AZ400K进行显影;(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型;以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂‑AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材,其中,在所述(b)工序中,增加所述光致抗蚀剂的厚度,并且反复进行规定次数的所述光致抗蚀剂的软烘焙且在进行软烘焙时不同地设定固化时间,以能够使光致抗蚀剂的末...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:李东原高建朴昇桓李使命朴终成
申请(专利权)人:全南大学校产学协力团
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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