【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种实现通态电阻的降低或电流崩塌的抑制并且防止了耐压降低的半导体装置。该半导体装置具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层，形成于所述第1半导体层的表面的、由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层，形成于所述第2半导体层的表面上的第1电极，形成于所述第2半导体层的表面上的第2电极，形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜，以及形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，其中，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
宽带隙半导体具有高的绝缘击穿耐压、良好的电子输送特性、良好的热导率，所以作为高温环境用、大功率用或高频率用半导体器件的材料非常受欢迎。作为代表性的宽带隙半导体，有GaN、AlN、InN、BN或它们之中两种以上的混晶即氮化物系半导体。另外，...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：形成于基板上的由氮化物系半导体构成的第1半导体层；形成于所述第1半导体层的表面的，由带隙比所述第1半导体层宽的氮化物系半导体构成的第2半导体层；形成于所述第2半导体层的表面的第1电极；形成于所述第2半导体层的表面的第2电极；形成于所述第2半导体层的表面的所述第1电极和所述第2电极之间的电极间绝缘膜；以及，形成于所述电极间绝缘膜上的由绝缘体构成的介电常数调节层，所述第1电极具有以上载至所述电极间绝缘膜的方式形成的场板部，所述介电常数调节层具有与所述场板部的侧端部相接触的第1介电常数调节层和形成于所述第1介电常数调节层上的第2介电常数调节层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李江，高木启史，田村亮祐，伊仓巧裕，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。